在過去 30 多年中，諸如 MOSFET 和 IGBT 之類的 CMOS 替代產品在大多數電源設計中逐漸取代基於矽的 BJT，但是今天，基於碳化矽的新技術為 BJT 賦予了新的意義，特別是在高壓應用中。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/175250.htm碳化矽布局以同等或更低的損耗實現更高的開關頻率，並且在相同形狀因數的情況下可產生更高的輸出功率。 運用了 SiC BJT 的設計也將使用一個更小的電感，並且使成本顯著降低。 雖然運用碳化矽工藝生產的 BJT 相較於僅基於矽的 BJT 會更昂貴，但是使用 SiC 技術的優勢在於可在其它方面節省設計成本，從而實現更低的整體成本。 本文介紹的升壓轉換器設計用於光伏轉換階段，其充分利用 SiC BJT 的優勢，在顯著降低系統成本的同時可實現良好的效率。
碳化矽的優勢
基於矽的 BJT 在高壓應用中失寵有幾方面原因。 首先，Si BJT 中的低電流增益會形成高驅動損耗，並且隨著額定電流的增加，損耗變得更糟。 雙極運行也會導致更高的開關損耗，並且在器件內產生高動態電阻。 可靠性也是一個問題。 在正向偏壓模式下運行器件，可能會在器件中形成具有高電流集中的局部過溫，這可能導致器件發生故障。 此外，電感負載切換過程中出現的電壓和電流應力，可能會導致電場應力超出漂移區，從而導致反向偏壓擊穿。 這會嚴格限制反向安全工作區 (RSOA)，意味著基於矽的 BJT 將不具有短路能力。
在運用碳化矽的新型 BJT 中不存在同樣的問題。 與矽相比，碳化矽支持的能帶間隙是其三倍，可產生更大的電流增益，以及更低的驅動損耗，因此 BJT 的效率更高。 碳化矽的擊穿電場強度是矽的 10 倍，因此器件不太容易受到熱擊穿影響，並且要可靠得多。 碳化矽在更高的溫度下表現更出色，因此應用範圍更為廣泛，甚至包括汽車環境。
從成本角度而言，碳化矽的高開關頻率在硬體級可實現成本節約。 雖然相較於基於純矽，基於碳化矽的 BJT 更昂貴，但 SiC 工藝的高功率密度將會轉換為更高的晶片利用率，並且支持使用更小的散熱器和更小的過濾器元件。 從長遠來看，使用更昂貴的碳化矽 BJT 實際上更省錢，因為整體系統的生產成本更低。 我們設計的升壓轉換器就是一個例子。 它設計用於額定功率為 17 千瓦的光伏系統中，具有 600 伏的輸出電壓，輸入範圍為 400 到 530 V。
管理效率
BJT 的驅動器電路能夠減少損耗和提高系統效率。 驅動器做了兩件事： 對器件電容迅速充放電，實現快速開關;確保連續提供基極電流，使電晶體在導通狀態中保持飽和狀態。
為了支持動態操作，15V 的驅動器電源電壓引起更快的瞬態變化，並提高性能。 SiC BJT 的閾值電壓約為 3V。通常情況下無需使用負極驅動電壓或米勒鉗位來提高抗擾度。
SiC BJT 是一個「常關型」器件，並且僅在持續提供基極電流時激活。 選擇靜態操作的基極電流值會涉及到傳導損耗和驅動損耗間的折衷平衡。 儘管有較高的增益值(因此會形成較低的基極電流)，驅動損耗對 SiC BJT 仍非常重要，由於 SiC 布局具有較寬能帶間隙，因此必須在基極和發射極間提供一個更高的正向電壓。 將基極電流增加一倍，從 0.5A 增加到 1A，僅降低正向等效電阻 10%，因此需要降低傳導損耗，同時使飽和度轉變為較高水平。 這是我們設計升壓轉換器的一個重要考慮因素，因為它會在更高的電流紋波下運行。 1A 的基極電流會使開關能力增加至 40A
靜態驅動損耗是選定驅動電壓和輸入電壓的一個函數(間接表示佔空比值)。 實現高開關速度需要 15V 的驅動電壓，產生約 8W 的損耗，主要集中在基極電阻上。 為了彌補這方面的損耗，對於動態和靜態操作，我們通常使用兩個單獨的電源電壓。 圖 1 提供了示意圖。高壓驅動器的控制信號會「中斷」，因此它僅在開關瞬態期間使能。 靜態驅動階段使用較低電壓，從而可以降低靜態損耗，並在整個導通期間保持激活狀態。
圖 1.使用兩個電源電壓降低損耗