2019年7月PTL光通信論文評析_光纖在線 - 和我們一起塑造中國光...

2020-11-22 光纖日報

光纖在線特約編輯:邵宇豐,龍穎,胡欽政

2019年7月出版的PTL主要刊登了以下一些方向的文章,包括:有源器件、無源器件和光波導、光子系統、自由空間光傳輸系統、光電探測器等,筆者將逐一評析。

1. 有源器件

麥吉爾大學的Fatemeh Soltani等研究人員設計了一種可以實現差分相移鍵控(DPSK)的新型環路鏡調製器(LMM),如圖1所示。LMM由一個馬赫-增德爾調製器(MZM)組成,兩個輸出端位於MZM的一側,並由一個波導環進行連接。環形鏡輸入端的光被被分成兩部分,每一部分都沿著環形鏡反向移動。在非線性應用中,初始信號之間的相對相位由僅在一個方向上傳播的信號功率控制(取決於初始信號每個部分的相對相位,可以反射到輸入端或傳輸到輸出端)。他們選擇使用馬赫-增德爾幹涉儀(MZI)來控制功率分配器中的耦合比,並將環形鏡設計成集成光學調製器。他們使用TW-LMM生成了10Gbit/s的DPSK信號,並實現了無差錯傳輸;並通過分析得到了該器件實現任意相位和振幅調製所需的兩驅動電壓之間的關係,實驗裝置如圖2所示。但是,該器件中的射頻調製信號只能驅動LMM中的一個臂,從而導致光信號顯示出相位調製和振幅調製,無法滿足生成DPSK信號僅需調製相位的條件[1]。


圖1 環路鏡調製器(LMM)結構

圖2 評估LMM DPSK性能的實驗裝置

2. 無源器件和光波導

香港城市大學的Quandong Huang等研究人員設計了一種基於相移長周期光柵(LPG)結構的超寬帶模式濾波器,如圖3所示。該濾波器將長周期光柵濾出的少模波導(FWM)模式轉換為高階模式,然後通過集成波導錐抑制該模式;其中採用了能提供100nm帶寬的相移LPG,以滿足超寬帶工作條件。研究人員設計了製備模式濾波器的步驟,並通過實驗演示了模式濾波器抑制三模波導(支持E11,E21和E12模式)基模的工作過程(實驗中採用了長度為26mm的聚合物材料)。實驗結果表明,該濾波器對帶寬分別為190nm和140nm的兩個高階模式實現了偏振不敏感的10dB基模抑制過程[2]。


圖3 超寬帶模式濾波器結構

3. 光子系統

韓國先進科學技術研究院的Xiao-Zhou Li等研究人員基於諧波注入鎖定和半導體光放大器(SOA)的增益飽和放大實驗研究了鎖模光纖雷射器中重複倍率倍增的過程,原理如圖4所示。實驗結果表明,注入光功率越高,重複率越低,相位噪聲水平越低;但對於高注入功率,側模抑制比(SMSR)也會降低。為了保證低相位噪聲和高信噪比的重複倍率優化,他們在實驗中使用強光注入,使得相乘脈衝具有良好的相位噪聲特性,然後使用一個增益飽和半導體光放大器,以有效增加SMSR和降低倍增脈衝的調製深度。研究人員使用250MHz鎖模雷射器,演示了1GHz重複率、3%調製深度和33dB SMSR的倍增脈衝產生過程;當實現從10 kHz到10MHz偏移頻率集成時,測得應用該方案後絕對均方根集成定時抖動值僅為14fs[3]。


圖4 鎖模雷射器重複速率倍增原理

4. 自由空間光傳輸系統

為了提高雷射雷達三維成像的精度,解決幹涉條紋對電光晶體偏振調製的負面影響,中科院的Shengjie Wang等研究人員設計了一種基於偏振調製技術的三維圖像深度信息校正算法。他們在偏振調製三維成像雷射雷達系統中進行了實驗(如圖5所示),將系統接收到的目標反射光經電光晶體調製後,通過偏振分束器(PBS)分成兩個互補光束,分別由兩個EMCDS接收,可以同時通過添加兩個調製圖像來重建深度圖像和強度圖像。然而,電光晶體的錐形幹涉效應會影響偏振光的調製過程,從而導致距離誤差。研究人員通過擬合兩個EMCCD來獲得每個像素的光強度比曲線與電壓變化的關係,並通過與精確的偏振調製範圍相對應的光強來計算實際電壓。實驗結果表明,該算法在高精度成像過程中表現出優異性能,在0.9mrad的寬視場範圍內誤差值小於0.1m[4]。


圖5 偏振調製三維成像得雷射雷達系統

5. 光電探測器

印度理工學院的Rishibrind Kumar Upadhyay等研究人員以摻氟氧化錫(FTO)為基底,製備了異質結構的高性能光電探測器(製備步驟如圖6所示)。他們使用溶膠-凝膠法合成了鈣鈦礦CH3NH3PbI3和金屬氧化物氧化鋅(ZnO)薄膜,所合成的複合鈣鈦礦CH3NH3PbI3薄膜具有四方結構,晶體尺寸為39.01nm;而ZnO薄膜具有纖鋅礦六方結構,晶體尺寸為26.47nm。在這兩種薄膜中,顆粒分布均勻,平均粒徑分別為50nm和30nm。研究人員測量確定了CH3NH3PbI3和ZnO之間形成的勢壘,並對異質結構進行了表徵;並測量了該光電探測器在黑暗情況和太陽光和單色光照射時的光電性能。研究結果表明:在−1 V外加偏壓下的藍光光譜附近可獲得21.8 A/W的最大光響應值,證明該器件具有良好的光響應性能,是一種可應用於寬範圍高光響應的光電檢測器件[5]。


圖6 光電探測器製備步驟

參考文獻

[1] Fatemeh Soltani; David Patel; Michaël Ménard; et al. DPSK Modulation With a Dual-Drive Silicon Photonic Loop-Mirror Modulator [J]. IEEE Photonics Technology Letters, 2019, 31(13):1037 - 1040. 

[2] Quandong Huang; Wen Wang; Wei Jin; et al. Ultra-Broadband Mode Filter Based on Phase-Shifted Long-Period Grating [J]. IEEE Photonics Technology Letters, 2019, 31(13):1052 - 1055.

[3] Xiaozhou Li; Changi Jeon; Shilong Pan; Jungwon Kim. Low-Noise Repetition-Rate Multiplication by Injection Locking and Gain-Saturated Amplification [J]. IEEE Photonics Technology Letters, 2019, 31(13): 997-1000.

[4] Shengjie Wang; Bo Liu; Zhen Chen; Heping Li. Chung. High Precision Calibration Algorithm for Large Field-of-View Polarization-modulated 3D imaging [J]. IEEE Photonics Technology Letters, 2019, 31(13): 1064-1067.

[5] Rishibrind Kumar Upadhyay; Abhinay Pratap Singh; et al. High-Performance Photodetector Based on Organic–Inorganic Perovskite CH3NH3PbI3/ZnO Heterostructure [J]. IEEE Photonics Technology Letters, 2019, 31(14): 1151- 1154.

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