1)光敏電晶體的光譜特性
光敏電晶體的光譜特性曲線如下圖所示。
從曲線可以看出,當入射光的波長增加時,相對靈敏度要下降。這是容易理解的,因為光子能量太小,不足以激發電子空穴對。當入射光的波長縮短時,相對靈敏度也下降。這是由於光子在半導體表面附近就被吸收,並且在表面激發的電子空穴對不能達到P-N結。因而使相對靈敏度下降。
矽的峰值波長為0.9 μm左右,鍺的峰值波長為0.5 μm左右。由於鍺管的暗電流比矽管大,因此鍺管的性能較差。故在可見光或探測赤熱狀態物體時,一般都選用矽管。但對紅外光進行探測時,則採用鍺管較為合適。
2)光敏電晶體的伏安特性
光敏電晶體的伏安特性曲線如下圖所示。
光敏電晶體在不同的照度下的伏安特性,就像一般電晶體在不同的基極電流時的輸出特性一樣。因此,只要將入射光在發射極e與基極b之間的P-N結附近所產生的光電流看作基極電流,就可將光敏電晶體看作成一般的電晶體。光敏電晶體把光信號變成電信號,而且輸出的電信號較大。
3)光敏電晶體的光照特性
光敏電晶體的光照特性曲線如下圖所示。
這是描述光敏電晶體的光電流和照度之間關係的。這種光照特性曲線是線性關係,從而使光敏電晶體有可能應用於測量技術領域中。
4)光敏電晶體的溫度特性
如下圖所示為光敏電晶體的溫度特性曲線所示。
它指的是光敏電晶體的暗電流及光電流與溫度的關係。從特性曲線可以看出,溫度變化對光電流的影響很小,因為光電流主要由光照強度來決定。
另外,溫度變化對暗電流的影響很大,所以在電子線路中應該對暗電流進行溫度補償,否則將會導致輸出誤差。
5)光敏電晶體的頻率特性
如下圖所示為光敏電晶體的頻率特性曲線。
對於鍺管,入射光的調製頻率要求在5000 Hz以下。矽管的頻率響應要比鍺管好。實驗證明,光敏電晶體的截止頻率和它的基區厚度成反比關係。如果要求截止頻率高,那麼基區就要薄;但基區變薄,光電靈敏度要降低。在製造時要適當兼顧兩者