變容二極體(Varactor Diodes)又稱「可變電抗二極體」，是利用pN結反偏時結電容大小隨外加電壓而變化的特性製成的。反偏電壓增大時結電容減小、反之結電容增大，變容二極體的電容量一般較小，其最大值為幾十皮法到幾百皮法，最大區容與最小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動調諧、調頻、調相等、例如在電視接收機的調諧迴路中作可變電容。
一、工作原理
變容二極體為特殊二極體的一種。當外加順向偏壓時，有大量電流產生，PN(正負極)結的耗盡區變窄，電容變大，產生擴散電容效應;當外加反向偏壓時，則會產生過渡電容效應。但因加順向偏壓時會有漏電流的產生，所以在應用上均供給反向偏壓。
變容二極體也稱為壓控變容器，是根據所提供的電壓變化而改變結電容的半導體。也就是說，作為可變電容器，可以被應用於FM調諧器及TV調諧器等諧振電路和FM調製電路中。
其實我們可以把它看成一個PN結，我們想，如果在PN結上加一個反向電壓V(變容二極體是反向來用的)，則N型半導體內的電子被引向正極，P型半導體內的空穴被引向負極，然後形成既沒有電子也沒有空穴的耗盡層，該耗盡層的寬度我們設為d，隨著反向電壓V的變化而變化。如此一來，反向電壓V增大，則耗盡層d變寬，二極體的電容量C就減少(根據C=kS/d)，而反向電壓減小，則耗盡層寬d變窄，二極體的電容量變大。反向電壓V的改變引起耗盡層的變化，從而改變了壓控變容器的結容量C。達到了目的。
變容二極體是利用PN結之間電容可變的原理製成的半導體器件，在高頻調諧、通信等電路中作可變電容器使用。
電路圖形符號
二、封裝形式
變容二極體有玻璃外殼封裝(玻封)、塑料封裝(塑封)、金屬外殼封裝(金封)和無引線表面封裝等多種封裝形式、如圖4-18所示。通常，中小功率的變容二極體採用玻封、塑封或表面封裝，而功率較大的變容二極體多採用金封。
三、特性參數
1.最高反向工作電壓VR：是指加在變容二極體兩端的反向電壓不能超過的電壓允許值。
2.反向擊穿電壓VB：在施加反向電壓的情況下，使變容二極體擊穿的電壓。
3.結電容C：它是指在一特定的反偏壓下，變容二極體內部PN結的電容。
4.結電容變化範圍：在工作電壓範圍內結電容的變化範圍。
5.電容比：是指結電容變化範圍內的最大電容與最小電容之比。
6.Q值：是變容二極體的品質因數，它反映了對迴路能量的損耗。
四、作用特點
1.變容二極體的作用是利用PN結之間電容可變的原理製成的半導體器件，在高頻調諧、通信等電路中作可變電容器使用。
變容二極體屬於反偏壓二極體，改變其PN結上的反向偏壓，即可改變PN結電容量。反向偏壓越高，結電容則越少，反向偏壓與結電容之間的關係是非線性的，如右圖所示。
2.變容二極體的電容值與反向偏壓值的關係圖解：
(a) 反向偏壓增加，造成電容減少;
(b) 反向偏壓減少，造成電容增加。
電容誤差範圍是一個規定的變容二極體的電容量範圍。數據表將顯示最小值、標稱值及最大值，這些經常繪在圖上。
五、正負極區分
選擇500型萬用表的R×1k檔。首先將紅表筆接一端，黑表筆接另一端，若測得電阻值為6.5kΩ，與此同時記下錶針倒數偏轉格數n′≈19.7格。然後交換管腳位置後重新測量，電阻值變成無窮大。由此判定第一次為正向接法，正向電阻為6.5kΩ，正嚮導通電壓VF=0.03V/格×9.7格=0.59V。第二次則屬於反向接法。該管子具有單向導電性，並且靠近紅色環的管腳為正極。欲測量變容二極體的結電容，可選用100pF量程的線性電容表。