AN-基於線性霍爾套電流傳感模塊的設計考量---自帶溫漂補償的高性能霍爾傳感器CC652x/651x系列的應用

2021-01-18 芯進電子

CC652x/651x Application Note

AN-基於線性霍爾套電流傳感模塊的設計考量

---自帶溫漂補償的高性能霍爾傳感器CC652x/651x系列的應用


關鍵詞:非接觸式,傳感器,電流傳感模塊,線性霍爾,磁環

在遍及工業與生活的各大領域中,電流檢測是不容忽視的一個重要市場門類。傳統上,常見到的檢測技術包括電阻採樣式(Shunt),電流互感器式(Current Transformer),羅戈夫斯基線圈式(Rogowski Coil),磁阻式(xMR),以及本文會著重分析到的霍爾式(Hall)。

霍爾式能檢測的範圍涵蓋DC和AC,電流從A級到kA級,靈敏度適中。它具有當今業界技術最成熟和性價比最高等特點,因而廣受行業內人士的喜愛。

霍爾式又可以分為閉環式和開環式。從構造複雜度和性價比而言,開環式結構有著更高的綜合效益。開環霍爾檢測,主要有單晶片檢測技術,和霍爾檢測模塊技術兩種。單晶片技術對於小電流範圍和低功耗應用最佳。

而霍爾檢測模塊技術,具有對更大電流、大功耗的應用具有更廣闊的適應空間。直接購買檢測模塊,對快速切入很有利,然而,模塊核心技術依然主要受制於LEM(萊姆),Yazaki等國際上的電流模塊生產大廠。而研製檢測模塊,雖然更耗費開發時間和精力,對於擁有自研技術而言,大有裨益。

本文將針對霍爾電流模塊,著重探討其中的磁場學考量和電子設計因素,以幫助您進行模塊設計。

我們知道,霍爾效應利用垂直磁場中的霍爾板,感應出與磁場成正比的電壓(即霍爾電壓)的原理,進行磁場測量。現實世界中的磁場源無非三種,磁鐵是其中一種,而導體流過的電流,也是重要的一種。根據安培右手螺旋定則,直導線電流,產生環繞導線方向的磁場。

但是,當單純依靠電流產生磁場時,由於相對自由的散布在空間,非常容易受到外在雜散磁場影響。比如,其他通電導線,或者附近電機的磁場都有可能完全混淆到磁場中,使原本的待測電流信號不可辨分。

圖1 以檢測磁鐵為例的霍爾效應示意圖

(圖片來自知乎)

圖2 一種磁環材料(帶氣隙)

(圖片來自google)

作為基本的磁學原理,所有各條磁感線具有永不相交和各自閉合的特性。當使用帶氣隙(airgap)的磁環時,由於磁環本身為軟磁(Soft Iron)材料的導磁(magnetic conduction)特性,使電流產生的磁場匯聚到磁環中,並在氣隙中產生均勻磁場(homogeneous field)。由此,很容易直觀理解其結構的兩大優點,即,外在雜散磁場對氣隙中的磁場影響小到可以忽略,並且在氣隙中磁場因獲得額外增益而得以加強。

   

圖3 線性霍爾模塊方案檢測電流示意圖(左 原理示意;右 外形示例)

在氣隙狹小的空間中,磁環方案的電流檢測獲得出色的抗幹擾、抗共模特性。

圖4 氣隙內均勻磁場區域放大圖

假設氣隙的大小是g(mm),如圖所示。而導線通過的電流為I(A),則磁感強度B(mT)可以由以下經驗公式計算出

以電流為400A、氣隙大小是2.5mm為例,在氣隙內的區域,可以產生200mT(即2000Gauss)的磁場。

這時候,為了檢測該磁場,氣隙中需要一顆能夠處理200mT磁感應強度的線性霍爾傳感器晶片放置在氣隙中,它可以用來反映被檢測的電流。

CC652x/651x系列晶片就是這樣的高性能線性霍爾傳感器晶片,是由成都芯進電子有限公司自主研發的高性能線性霍爾傳感器。該系列晶片是原廠可編程的單片傳感器IC,採用標準SIP封裝。該系列傳感器支持的輸出採樣頻率高達200kHz,高速輸出正比於磁感強度的模擬信號。CC652x系列更是令用戶獲得3.7μs快速響應時間的精密傳感器。CC652x通過MTP(多次編程)技術,提供靈敏度、失調量等基本參數的多次可編程特性。出廠晶片皆通過片內溫度補償獲得高品質的溫度特性和參數一致性。

仍以剛才的條件為例,如果採用CC652x晶片默認的靈敏度值SENS=0.9mV/Gs=9mV /mT,則0~400A的電流範圍將產生2.5V+-1.8V的輸出電壓範圍,支持峰-峰值3.6V的高速輸出。

在實際設計中,上面的經驗公式結果一般具有非常準確。當然同時,設計中需要留意的電磁因素,主要是磁環和晶片應用兩方面。

圖5 磁飽和示意圖 (電流磁場達到足夠大,磁材料飽和,不再明顯增加)

磁環方面涉及:磁飽和(saturation),磁環的磁溫度漂移(magnetic temperature drift),層壓(lamination),邊緣效應(fringing effect),機械固定與應力(housing and strain),散熱(thermal heating)等。

磁飽和,普遍存在於所有磁材料,無論軟磁(soft iron)、硬磁(hard magnet),而磁環材料屬於軟磁。其機理是超過磁材的磁飽和閾值後,內部可極化的微粒已經幾乎極化迨盡。因此,使用前請認真查閱磁環材料規格書,了解其飽和極限。正如示例圖中所示,超過磁飽和的閾值使用,會大幅度降低系統的電流檢測精度。

磁環的磁溫度漂移,即環境溫度的不同,會導致其磁性強度隨著溫度改變。在磁環的規格書中也有對溫度漂移係數的明確說明,需要查明。

層壓,即廠家所生產的磁環材料直接成形為平行獨立片層。這樣有什麼好處呢?可以衰減趨膚效應(skin effect)的影響。

磁環材料具有趨膚效應,並且越強磁場的趨膚效應越明顯。尤其是,當其所匯聚的磁場由幾百A以上這樣的大電流產生,那麼嚴重的趨膚效應會導致,大部分磁場主要聚集在臨近磁環表面的物質區域,導致磁通密度的嚴重不均,嚴重影響傳感精度。通過磁感線方向的層壓生產技術,可以削弱該影響到可以忽略不計的程度。

邊緣效應是指:越靠近磁環氣隙邊緣處,磁感線變得越發彎曲。而且更容易受外界幹擾影響,所以使用中需要避免將傳感器晶片放置於太靠邊的位置。

圖6 磁環邊緣效應

(氣隙中央區均勻,而越靠近紅色位置的磁感線越彎曲)

磁環直徑的考慮,要為磁環與被測的通電導體之間留出充足的間隙,以利於電氣安全和散熱效率。

另外,磁環在受到機械應力作用下時,其磁場性質也會有所改變,因此,在保證磁環方便固定的前提下,儘可能避免受強壓力/強應力碰撞、擠壓。

晶片應用方面, CC652x/651x系列IC, VCC對GND端需要外掛去耦電容。芯進經過嚴格的測試驗證,選取100nF電容值,可以確保電源電氣品質。

安全可靠使用方面,使用晶片元件,需遵守防靜電(ESD)可靠性要求。晶片為精密微電子元件,切不可超越極限參數使用,否則可能會造成不可逆的損壞。

避免晶片受到極端的管腳應力和塑料封裝應力,否則甚至可能完全破壞晶片功能。

總體上,線性霍爾搭配磁環的方案,由於性價比、以及非接觸式的優點,加上電氣安全能力、散熱好等優勢,在非常多的應用領域中非常受歡迎,諸如:電力配電櫃,大型通信機櫃,電池管理,大功率智能儲電設備,分布式電源系統組元(PDU),大電流焊機、電機等系統中皆可用於感測電流。


圖7 來自客戶的應用示例

圖8 芯進電子基於線性霍爾的經濟型電流測量演示板


結論:

基於CC6521配合磁環方案,非常適合搭建電流傳感器應用。傳感器IC置於環形軟鐵磁芯精巧的氣隙中,電流導體穿過鐵磁環的內部,磁環匯集並放大磁通密度,均勻磁場線由此垂直穿過傳感器IC的傳感元,從而產生與電流成比例的輸出電壓。依據此原理,組建電流測量系統,典型的精確測量範圍從100A~1000A,廣泛適用於工業與生活的方方面面。


附表:成都芯進電子-可編程線性霍爾IC系列


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作者:

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