就算買到了光刻機也不夠,還缺光刻膠、掩膜版等各種晶片生產材料

2020-12-06 景小妹的哥哥

#光刻機#都說中國晶片業最缺的是光刻機，鬧了半天才發現，就算中國買到了光刻機也不夠，中國還缺光刻膠、掩膜版等各種晶片生產材料。

1、近年來，因為華為被M國卡脖子，既買不到晶片，自己研發的晶片又沒人敢代工，後來，大家就開始對光刻機感興趣了，因為大家發現，光刻機是中國最缺的晶片核心設備之一，導致中芯國際無法更早上馬7納米晶片工藝，也無法給華為代工。

2、可是，如今又發現，就算全球最先進的光刻機企業荷蘭阿斯麥公司肯冒風險賣EUV光刻機給中國，中國還有多道難關受制於西方企業，比如光刻膠。

光刻膠是晶片中微細圖形加工的關鍵材料之一，1954 年由明斯克等人首先研究成功。

光刻膠其實與照相機衝洗膠捲的原理一樣，它本身是一種有機化合物，它被紫外光曝光後，在顯影溶液中的溶解度會發生變化。矽片製造中所用的光刻膠以液態塗在矽片表面，而後被乾燥成膠膜。

3、大家都知道，光刻機是晶片生產中最尖端的核心設備之一，而光刻膠則是晶片製造領域最難生產的耗材。也是光刻機最複雜的耗材，雖然跟相機膠捲的原理大致一樣，但光刻膠的解析度遠遠高於普通膠捲，膠捲一般只能顯示肉眼可見的圖案，而光刻膠的圖案是顯微鏡都難以看清楚的。

4、光刻膠還涉及到專利保護的問題。國內公司即使知道光刻膠的配方和生產工藝，也不能隨便生產，因為會侵犯人家的專利。所以，全球光刻膠行業呈現寡頭壟斷格局，長年被日本、歐美專業公司壟斷。目前前五大廠商佔據了全球光刻膠市場87%的份額，行業集中度較高。其中，日本JSR、東京應化、日本信越與富士電子材料市佔率加和達到72%。而中國在高端光刻膠領域的情況非常糟糕。

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  • 一文看懂光刻膠
    在光刻和蝕刻生產環節中，光刻膠塗覆於晶體薄膜表面，經曝光、顯影和蝕刻等工序將光罩（掩膜版）上的圖形轉移到薄膜上，形成與掩膜版對應的幾何圖形。在大規模集成電路的製造過程中，一般要對矽片進行超過十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中，光刻膠都要通過預烘、塗膠、前烘、對準、曝光、後烘、顯影和蝕刻等環節，將光罩（掩膜版）上的圖形轉移到矽片上。
  • 詳細解析晶片光刻的步驟
    在集成電路的製造過程中，有一個重要的環節——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的晶片上實現功能。現代刻劃技術可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以後，開始試圖複製一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上塗有溶解在植物油中的瀝青。
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    那什麼是光刻機呢？光刻機又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等，是製造晶片的核心裝備。它採用類似照片衝印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印製到矽片上。3.切割而單晶矽棒在成型後，掐頭去尾修整直徑，打磨拋光，再用各各種方法將單晶矽棒切割成圓片，也就是我們常說的圓晶。當然這樣的圓晶還不可以直接使用，還需要打磨，拋光，研磨處理，最後成為了真正可以製作晶片的圓晶。
  • 光刻機為什麼這麼重要?
    對於光刻機的概念，「光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
  • 淺談光刻機
    但是光刻機的技術含量是非常高的，是目前地球上技術含量最高，研發難度最大的產品之一，所以很多國家都不具備生產研發光刻機的實力，即便有些國家在航空航天，飛機大炮等方面技術很先進，但在光刻機面前卻無從下手，由此可見，光刻機的技術層面到底有多高。其次，工藝原理：光刻技術指利用光學-化學反應原理，將電路圖轉移到晶圓表面的工藝技術，光刻機是光刻工序中的一種投影曝光系統。
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    什麼是光刻機 　　光刻機是晶片製造中光刻環節的核心設備， 技術含量、價值含量極高。 光刻機涉及系統集成、精密光學、精密運動、精密物料傳輸、高精度微環境控制等多項先進技術，是所有半導體製造設備中技術含量最高的設備，因此也具備極高的單臺價值量。
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    光刻機是幹什麼的 與非網 發表於 2020-03-15 14:46:00 經常聽說，高端光刻機不僅昂貴而且還都是國外的，那麼什麼是光刻機呢？
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    常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System. 　　光刻機的結構： 　　光刻機性能指標： 　　光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸範圍，解析度、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。 　　解析度是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。
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    再按照相應的工藝參數將文件格式轉換為光刻設備專用的數據形式。（3）圖形光刻：通過光刻機進行雷射光束直寫完成客戶圖形曝光。掩膜版製造都是採用正性光刻膠，通過雷射作用使需要曝光區域的光刻膠內部發生交聯反應，從而產生性能改變。（4）顯影：將曝光完成後的掩膜版顯影，以便進行蝕刻。
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    一般的光刻工藝要經歷氣相成 底膜、旋轉塗膠、軟烘、對準與曝光、曝光後烘培、顯影、堅膜烘培、顯影檢查等工序，光 刻工藝佔晶圓製造耗時的 40%-50%，光刻機約佔晶圓製造設備投資額的 23%，考慮到光刻 工藝步驟中的光刻膠、光刻氣體、光罩（光掩膜版）、塗膠顯影設備等諸多配套設施和材料 投資，整個光刻工藝佔晶片成本的 30%左右。
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    多次光刻工序「堆疊」形成立體的電路結構 圖2是多次光刻工序「堆疊」形成立體的電路結構的示意圖。圖2(a)是一個電晶體的版圖。版圖按照製造工藝被拆分為至少5層掩膜版，如圖2(b)所示。晶片製造過程中要為每一層掩膜版安排一次光刻工序，經過5次光刻工序後，立體的電晶體就「堆疊」而成了,如圖2(c)所示。
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