實驗:PN結電容與電壓的關係

2021-01-08 電子發燒友
實驗：PN結電容與電壓的關係

廠商供稿 發表於 2019-11-25 14:30:51

作者：Doug Mercer、Antoniu Miclaus ADI公司

目標

本實驗活動的目的是測量反向偏置PN結的容值與電壓的關係。

背景知識

PN結電容

增加PN結上的反向偏置電壓VJ會導致連接處電荷的重新分配，形成耗盡區或耗盡層（圖1中的W）。這個耗盡層充當電容的兩個導電板之間的絕緣體。這個W層的厚度與施加的電場和摻雜濃度呈函數關係。PN結電容分為勢壘電容和擴散電容兩部分。在反向偏置條件下，不會發生自由載流子注入；因此，擴散電容等於零。對於反向和小於二極體開啟電壓（矽晶片為0.6 V）的正偏置電壓，勢壘電容是主要的電容來源。在實際應用中，根據結面積和摻雜濃度的不同，勢壘電容可以小至零點幾pF，也可以達到幾百pF。結電容與施加的偏置電壓之間的依賴關係被稱為結的電容-電壓（CV）特性。在本次實驗中，您將測量各個PN結（二極體）此特性的值，並繪製數值圖。

圖1.PN結耗盡區。

材料

►ADALM2000 主動學習模塊

►無焊麵包板

►一個10 kΩ電阻

►一個39 pF電容

►一個1N4001二極體

►一個1N3064二極體

►一個1N914二極體

►紅色、黃色和綠色LED

►一個2N3904 NPN電晶體

►一個2N3906 PNP電晶體

步驟1

在無焊麵包板上，按照圖2和圖3所示構建測試設置。第一步是利用在AWG輸出和示波器輸入之間連接的已知電容C1來測量未知電容Cm。兩個示波器負輸入1–和2–都接地。示波器通道1+輸入與AWG1輸出W1一起連接到麵包板上的同一行。將示波器通道2+插入麵包板，且保證與插入的AWG輸出間隔8到10行，將與示波器通道2+相鄰偏向AWG1的那一行接地，保證AWG1和示波器通道2之間任何不必要的雜散耦合最小。由於沒有屏蔽飛線，儘量讓W1和1+兩條連接線遠離2+連接線。

圖2.用於測量Cm的步驟1設置

硬體設置

使用Scopy軟體中的網絡分析儀工具獲取增益（衰減）與頻率（5 kHz至10 MHz）的關係圖。示波器通道1為濾波器輸入，示波器通道2為濾波器輸出。將AWG偏置設置為1 V，幅度設置為200 mV。測量一個簡單的實際電容時，偏置值並不重要，但在後續步驟中測量二極體時，偏置值將會用作反向偏置電壓。縱坐標範圍設置為+1 dB（起點）至–50 dB。運行單次掃描，然後將數據導出到.csv文件。您會發現存在高通特性，即在極低頻率下具有高衰減，而在這些頻率下，相比R1，電容的阻抗非常大。在頻率掃描的高頻區域，應該存在一個相對較為平坦的區域，此時，C1、Cm容性分壓器的阻抗要遠低於R1。

圖3.用於測量Cm的步驟1設置

步驟1

圖4.Scopy屏幕截圖。

我們選擇讓C1遠大於Cstray，這樣可以在計算中忽略Cstray，但是計算得出的值仍與未知的Cm相近。

在電子表格程序中打開保存的數據文件，滾動至接近高頻（》1 MHz）數據的末尾部分，其衰減電平基本是平坦的。記錄幅度值為GHF1（單位：dB）。在已知GHF1和C1的情況下，我們可以使用以下公式計算Cm。記下Cm值，在下一步測量各種二極體PN結的電容時，我們需要用到這個值。

步驟2

現在，我們將在各種反向偏置條件下，測量ADALM2000模擬套件中各種二極體的電容。在無焊麵包板上，按照圖4和圖5所示構建測試設置。只需要使用D1（1N4001）替換C1。插入二極體，確保極性正確，這樣AWG1中的正偏置將使二極體反向偏置。

圖5.用於測量二極體電容的步驟2設置。

硬體設置

圖6.用於測量二極體電容的步驟2設置。

使用Scopy軟體中的網絡分析儀工具獲取表1中各AWG 1 DC偏置值時增益（衰減）與頻率（5 kHz至10 MHz）的關係圖。將每次掃描的數據導出到不同的.csv文件。

程序步驟

在表1剩餘的部分，填入各偏置電壓值的GHF值，然後使用Cm值和步驟1中的公式來計算Cdiode的值。

表1.電容與電壓數據

圖7.偏置為0 V時的Scopy屏幕截圖。

使用ADALM2000套件中的1N3064二極體替換1N4001二極體，然後重複對第一個二極體執行的掃描步驟。將測量數據和計算得出的Cdiode值填入另一個表。與1N4001二極體的值相比，1N3064的值有何不同？您應該附上您測量的各二極體的電容與反向偏置電壓圖表。

然後，使用ADALM2000套件中的一個1N914二極體，替換1N3064二極體。然後，重複您剛對其他二極體執行的相同掃描步驟。將測量數據和計算得出的Cdiode值填入另一個表。與1N4001和1N3064二極體的值相比，1N914的值有何不同？

您測量的1N914二極體的電容應該遠小於其他兩個二極體的電容。該值可能非常小，幾乎與Cstray的值相當。

額外加分的測量

發光二極體或LED也是PN結。它們是由矽以外的材料製成的，所以它們的導通電壓與普通二極體有很大不同。但是，它們仍然具有耗盡層和電容。為了獲得額外加分，請和測量普通二極體一樣，測量ADALM2000模擬器套件中的紅色、黃色和綠色LED。在測試設置中插入LED，確保極性正確，以便實現反向偏置。如果操作有誤，LED有時可能會亮起。

問題

使用步驟1中的公式、C1的值以及圖4中的圖，計算示波器輸入電容Cm。

您可以在學子專區博客上找到問題答案。

作者簡介

Doug Mercer於1977年畢業於倫斯勒理工學院（RPI），獲電子工程學士學位。自1977年加入ADI公司以來，他直接或間接貢獻了30多款數據轉換器產品，並擁有13項專利。他於1995年被任命為ADI研究員。2009年，他從全職工作轉型，並繼續以名譽研究員身份擔任ADI顧問，為「主動學習計劃」撰稿。2016年，他被任命為RPI ECSE系的駐校工程師。

作者簡介

Antoniu Miclaus現為ADI公司的系統應用工程師，從事ADI教學項目工作，同時為實驗室電路®、QA自動化和流程管理開發嵌入式軟體。他於2017年2月在羅馬尼亞克盧日-納波卡加盟ADI公司。他目前是貝碧思鮑耶大學軟體工程碩士項目的理學碩士生，擁有克盧日-納波卡科技大學電子與電信工程學士學位。

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