▲佔據上遊的日本電子製造業
日本半導體產業整體呈衰退趨勢。2018 年,全球半導體銷售額達到 4779.4 億美元,年增長率為 15.9%,創歷史新高,而日本地區半導體銷售額為 335 億美元,在世界市場中的份額不足 8%,落後於韓國、中國等國家和地區。在 2018 年發布的半導體企業排名中,日本企業僅有東芝在前十大供應商中佔據一個席位,而在 1990 年的前十大半導體廠商中,有六家是日本企業,日本企業萎縮明顯。▲IC 銷售市場份額(按公司總部所在地劃分)
日本在半導體設備和材料領域表現強勁。日本在晶片產品領域已經衰落,但是在晶片產業鏈的上遊設備領域仍處在不可忽視的地位。在設備領域,近年來日本銷售額佔全球市場銷售額的比重能夠維持在 10%左右。其中,TEL、日立高新、DNS等企業佔有舉足輕重的地位。▲2013 年-2018 年日本半導體設備銷售額
除了在設備領域仍存在較大影響力之外,日本企業在半導體材料持續領先。日本半導體材料產業在貿易摩擦後繼續保持強勁增長勢頭,市場佔有率在隨後的五年中繼續擴大。而日本半導體材料產業發展至今,在世界半導體材料領域保持著絕對優勢,Si 晶圓、光罩等重要的半導體材料全球市場中佔據了主要份額,Sumco、信越等企業佔據絕對的霸主地位。▲2018 年日本半導體材料銷售情況
日本電子元器件總產值在整個日本電子行業中佔比上升。日本電子元器件在日本電子工業中佔有重要地位,2019 年電子元器件產值達到 8.27 萬億日元,約佔日本電子行業總產值的 43.78%,且這一比例在過去十年時間裡呈不斷上升趨勢的。▲日本電子元器件總產值在日本電子行業中佔比不斷提高
日本的電子元器件主要由集成電路、液晶裝置、被動元件、分立半導體和連接部件組成,其中 2019 年集成電路、液晶裝置、被動元件在日本電子元器件產值中佔比分別為 36.25%、13.92%和 10.21%,分立半導體和連接部件也達到了 9.95%、13.24%。▲日本主要電子元器件產值
在被動元器件市場上,日本一家獨大。日本最大三家的被動元件製造商村田、TDK 和太陽誘電 2019 年被動元件的銷售收入分別為 67.4 億美元、45.93 億美元和18.04 億美元,分別在全球被動元件市場中排第一、第二和第四,合計超過了 130 億美元,佔據了一半以上的市場份額。▲2019 年全球主要被動元件製造商銷售收入
連接器市場競爭格局相對穩定,日本三家公司進入全球前十。在連接器上,根據 Bishop and Associates 發布了一份新的全球 100 強電子連接器製造商榜單,日本共有三家公司進入了前 10 名,分別是矢崎、日本航空電子和日本壓著電子,分別排第七、第八和第九名。對比 2004 年的市場佔有率,日本的這三家公司穩定排在全球第六到第十名之間。▲2019 全球連接器製造商銷售額排名
半導體分立器件市場佔有率不高,但相對穩定。日本是全球半導體分立器件廠商主力國,主要有東芝、瑞薩、羅姆、富士電機等半導體廠商,日本廠商在半導體分立器件方面具有較強競爭力且廠家眾多,但很多廠商的核心業務並非半導體分立器件,使得日本半導體分立器件的市場佔有率不高。日本半導體分立器件的代表性企業日本羅姆,2018 年分立器件銷售收入為 14.36 億美元,2010 年以來市場佔有率徘徊在 6%左右,相對穩定。▲2018 全球主要半導體分立器件製造商營業收入
PCB產業,日本 PCB 產業景氣高點已過。1990 年後隨著日本電子製造業的崛起,全球 PCB 產業開始向日本聚集,到了 2000 年日本 PCB 產值佔全球比重達 28%。但是 2008 年全球金融危機的衝擊,同時日元的升值以及中國臺灣、韓國、中國大陸地區的廠商的崛起,日本 PCB 行業加速海外轉移。▲2000 年世界各地區 PCB 佔比
▲2018 年世界各地區 PCB 產值佔比日本 PCB 產值中硬板佔比最大, 各類 PCB 產品產值均在下滑。2019 年日本PCB 總產值為 4438 億日元,同比上年下降 7%,其中硬板產值為 2983.51 億日元,佔 PCB 總產值 67%,同比下降 6.50%。從 2002 年到 2019 年整體來看,日本 PCB 產值不斷下滑,年複合增長率為-3.33%,其中硬板複合增長率為-3.25%,軟板為-6.78%,載板為-1.07%。▲2002-2019 日本各類 PCB 產值和總產值增長率
日本 7 家企業進入 2018 年全球 PCB 廠商前 30 名。根據 Prismark 2018 年全球PCB 廠商前 30 排名,日本的旗勝、藤倉、揖斐電、名幸、住友電工、中央銘板、新光電器排名全球第 2、11、13、14、17、21、30 名。在軟板(FPC)方面,日本處於行業領先地位,3 家企業進入全球前 10。根據PCB 信息網的統計,2018 年全球 FPC 前 10 廠商中,日本的旗勝、住友電工、藤倉分別排在第 2、第 4 和第 5 位。雖然軟板在日本 2018 年 PCB 產生中佔比僅 10.61%,佔比不大,且整個日本軟板的產值也是逐年下降,但是日本的軟板仍然處於全球軟板的領先地位。在硬板方面,日本名幸在 2018 年全球 HDI 前 10 大廠商中排第 6。作為日本最大的硬板廠商,名幸 2018 年 PCB 銷售收入為 10.74 億美元,同比增長 13.40%,在日本前五大 PBC 廠商中是增速最快的。公司增長主要來源於汽車板市場需求的穩定增長以及中國和韓國手機客戶需求的增長。面板產業開始向中國轉移,日本廠商逐漸衰落。1988 年,夏普推出了世界第一臺 14 英寸液晶顯示器,這讓日本幾乎壟斷了世界液晶面板產業,在 1990 年-1994 年,日本在全球液晶面板產業的份額佔比高達 90%-94%以上。隨著韓國實行集中國家力量進行超強投入進行創新的策略,韓國液晶面板逐漸實現了對日本的趕超,韓國三星和 LG 在顯示面板領域全面超過日本。▲全球主要地區面板市場佔有率變遷
JDI 成為日本面板行業唯一廠商。隨著日本面板行業的衰落,曾經的日本面板各大廠商三洋電機、愛普森、NEC、東芝、索尼、日立、三稜也開始逐漸退出了面板市場,曾經的行業巨頭夏普也被鴻海收購,日本目前能實現量產的面板廠商只剩下 JDI。▲日本 9 大面板廠商逐漸退出市場
JDI 專注於中小尺寸面板市場。2017 年全球顯示面板出貨面積約 2.01 億平米,其中大尺寸面板出貨面積合計約 1.81 億平米,佔比達到約 90%,中小尺寸面板出貨面積合計 0.2 億平米。在大尺寸面板市場中,主要還是由韓國、中國大陸和中國臺灣的企業所瓜分,在中小尺寸面板市場中,韓國三星電子和 LGD 佔據行業第 1、第 3,日本 JDI 排名第 2。▲2018 年全球大尺寸面板市場格局
▲ 2018 年全球中小尺寸面板市場格局
OLED 時代,JDI 收入開始下滑。隨著三星提前推出 OLED 面板,在各方面性能上領先於 JDI 的液晶面板,全球高端手機開始選擇使用 OLED 屏幕,JDI 因此受到巨大衝擊。JDI 一半以上的收入來自蘋果手機,隨著中國 LCD 面板廠商的崛起,蘋果手機銷量的下跌,且 2017 年 iPhone X 也開始使用 OLED 屏幕,JDI 的收入進一步下降。JDI 長期以來的虧損和只注重營業利潤的企業文化導致了財務造假。2020 年 4月對歷年財務報告進行修正。▲2013-2018 年 JDI 盈利情況
2、 日本電子行業分布九州島被稱之為日本的「矽島」, 是日本集成電路工業的重要基地。因為九州島富含矽片洗淨工程所需超純水(九州島阿蘇外輪山周邊有豐富的泉水)、電力充足、航空運輸便利(九州島現有 13 個機場)、稅收政策對企業有利、生產成本較低等有利條件吸引了大批半導體企業。從上個世紀 60 年代起,九州逐漸成為半導體企業群聚的地區。東京電子、索尼、瑞薩科技、SUMCO 等都在九州設有生產基地。九州島半導體企業眾多,且因為有知名大企業牽頭,所以是擁有世界級尖端半導體技術的地區。全球約有 15%的半導體矽片在九州生產,九州島半導體年產值為日本全國年產值的三分之一左右。由於 IC 一般只使用飛機運輸,以集成電路為主的九州島的半導體企業及工廠一般都是圍繞主要城市和機場輻射分布。公路幹線沿線、九州沿海也是半導體企業/工廠設址地點。同時,九州島半導體產業鏈完整,從 IC 設計到封裝測試以及材料與設備的供應,都有領域內重要企業設廠。3、 日本電子製造業的轉移日本電子製造業早期並不注重地理上的水平分工,並且早期日本電子行業大量出口彩電、收音機等偏終端產品,這樣的後果一方面是容易遭受反傾銷和反補貼的調查,另一方面也沒有利用發展中國家的低成本勞動力優勢。1960 年代為了躲避日美彩電戰,日本彩電企業曾開始在美國建廠,1980 年代半導體戰之後日本加速對發展中國家的投資,方向主要是中國以及東南亞國家。貿易摩擦前日本電子製造業
日美貿易摩擦整體延續近 30 年,其中電子行業戰爭始於 1985 年,終於 1991 年。廣義層面看日美貿易摩擦肇始於 1960 年代,激化於 1970 年代,高潮於 1980 年代,基本上跟日本製造業的重生、崛起、鼎盛三個階段相契合,從 1960-1990 這三十多年間,日美之間爆發了無數次貿易糾紛。
但是在行業層面看日美貿易摩擦在電子製造業領域開始於 1985 年之後,尤其是在半導體領域。早期,日本憑藉低價晶片對美國產業造成重大衝擊,美國以反傾銷、反投資、反併購等手段進行貿易保護,最高時對相關產品加收 100%關稅。因此本報告所指貿易摩擦是指電子行業層面的貿易摩擦,相關時間節點以 1985 年為界。▲日美貿易摩擦時間軸
1、 二戰後初期,快速復甦二戰後,美國對日本的經濟政策可以大致劃為為三大階段:1945-1950 年戰爭剛剛結束階段、1950-1985 年的冷戰時期以及 1985 年開始冷戰緩和時期。戰後初期(1945-1950)「1940 體制」+「道奇計劃」,日本電子製造業快速復甦 。戰後日本原材料奇缺、生產開工率低、物資供給匱乏並且通脹惡劣,為迅速度過經濟混亂和生產衰退的難關,日本政府在 1947 年到 1951 年推行著名的傾斜生產方式,集中力量增加煤炭、鋼鐵等基礎工業的生產,從而使得日本經濟能重新進入再生產的循環軌道,到 1948 年,工業生產指數已由戰敗初年的 30%左右上升到 60%以上,嚴重的經濟混亂、生產滑坡局面已經過去。我們把日本戰後所使用的傾斜生產以及特殊行業貸款政策等統稱為「1940 體制」。但「1940 體制」後遺症也非常明顯,其中最引人注意的就是通脹,在推行傾斜生產期間,儘管政府通過多種手段控制物價上漲,通貨膨脹率仍居高不下,兩年間消費物價上漲 7 倍。▲1949 年之前日本通脹率一度達到 80%
美國管制之下的駐日盟軍總司令部在二戰後佔領了日本,美軍對日本的扶持態度比較曖昧。美方考慮扶持日本戰後復甦,但又怕日本工業迅速發展實現軍事化。於是美方出臺了旨在援助日本的道奇計劃。道奇計劃是當時佔領日本軍隊的統治者為維持日本經濟的穩定,平衡其財政預算,抑制通貨膨脹而制定。計劃最開始實行時日本經濟遭遇了嚴重的衰退,但日本貨幣和物價也因該計劃迅速趨於穩定,通貨膨脹也得到了抑制,道奇計劃的實施為之後的信貸和其他產業政策的實行提供了穩定的宏觀經濟環境,有助於日本產業結構實現合理化、現代化。▲1940 體制與道奇計劃
儘管當時美國的援助計劃沒有特別針對電子製造業,但是佔領軍當局要求日本政府確保通信和交通事業的發展,並大力推動了電報電話和廣播事業的復興。當時駐日同盟總部指定要求日本生產收音機,並且重建 NHK 成為特殊法人,同時,日本民間廣播事業也開始發展起來。得益於佔領軍的這一系列政策,日本電子產業開始快速復甦。2、 1950-1985,日本電子產業騰飛的 30 年經過戰後初期的復甦,日本電子製造業迎來了真正騰飛的30年。30多年的時間,其產值從 1955 年的 0.02 萬億日元增長到 1985 年的 17.7 萬億日元,同期出口產值從近乎為 0 增長到 9.9 萬億日元,貿易收支方面, 1955 年為貿易逆差發展到 1985 年順差 8.92 萬億日元,同期日本整體貿易順差 10.87 萬億,電子製造業貢獻了其中的82%,足以證明到 1985 年電子製造業已經成為日本的支柱產業。▲日本電子產業產值以及進出口金額
▲ 日本全行業以及電子行業貿易收支
日本電子製造業取得的成就是輝煌的,但輝煌的原因在不同時間段卻有很大的不同,以 1970 為界可以分為上半場和下半場。冷戰背景下美國加大對日本援助。隨著冷戰的局面越來越緊張,特別是韓戰(1950-1953)的爆發,美國對日本政策發生巨大的變化,開始轉變為支援日本的產業發展。另一方面,韓戰期間,日本作為西方勢力最靠近戰場的大本營,順理成章成為了後勤基地,美國想要把日本發展成為物美價廉的工業產品供應地,使之服務於自身的軍事目的。美國的態度轉變對日本經濟的復甦作用巨大,韓戰期間,美國因為戰爭需要在日本進行大量的訂貨,極大地促進了日本經濟的增長。一方面是軍用訂單的刺激,另一方面在民用電子領域日本趁勢壯大。因為在二戰期間美國主要生產軍用訂單,所以靠進口才能滿足民用電子訂單的需求。1950 年美國電子產業中民用電子產值為 15 億美元,軍用電子產值為 6.5 億美元,然而 1957年卻逆轉為 17 和 41 億美元,美國產業政策的此次改變給日本民用電子產品進入美國市場創造了條件。▲美國軍用電子和民用電子產值
▲ 日本收音機出口數量(千臺)和金額(百萬元)
15 年的時間,出口增加 11 倍。日本電子產業出口收支從 1970 年開始飆升,一直到 1985 年達到頂峰, 1970-1985 的 15 年間,電子產業的產值增加了 5 倍,內需增加了 3 倍,出口則增加了額 11 倍之多,可以說日本電子製造業在 1970 年後完全靠出口實現了騰飛。1970 年-1985 年電子行業出口大幅增長的同時日元的匯率在不斷升值,日元兌美元的匯率從期初的 360 升值到期末的 234,說明日本電子行業的出口並不是因為日元匯率貶值所帶動,相反,日本電子製造業公司需要不斷降低成本以抵消日元升值帶來的下遊國外客戶採購成本上升。▲日本電子產業貿易收支與日元匯率
產業結構轉變,大力扶持半導體。上世紀七十年代至 80 年代中期,日本產業結構巨變。原油進口量以及鋼鐵產量自 1973 年開始降低,而此時日本對矽的需求量逐漸加大。以鋼鐵代表的「重、大」型產業日漸衰落,半導體等「輕、薄、小」型產業飛速發展。上世紀 70 年代初微處理器的出現,引發了微型計算機的熱潮,而半導體內存是計算機的主要部件,於是半導體產業由此得以發展。1970 年到 1985 年之間日本內存行業得到了迅猛發展,在一段時期內全球市佔率高達 80%。回答日本內存行業為什麼能獲得如此成就一定程度上可以解釋日本電子製造業能夠騰飛的原因。▲全球晶片區域消耗量變遷(1980-1988)($ millions)
▲日本矽、原油、粗鋼需求量
▲ DRAM 產品全球市佔率
舉國體制加創新型模仿造就日本 DRAM 的輝煌。1970 年初,儘管日本可以生產DRAM 晶片,但沒有掌握關鍵的製程和設備。因此,1976 年在大藏省等多個部門的協商下,日本開始實行「DRAM 製法革新」國家項目。由政府出資 320 億,富士通、NEC 等公司出資 400 億,總共籌資 720 億日元,目標是在短期內提高 DRAM 的製作水準。國家性科研機構——「VLSI 技術研究所」因此設立,該所是由日本電子綜合研究所和計算機綜合研究所主導創辦的。VLSI 技術研究所匯集了 800 多名技術精英以研製日本產高性能 DRAM 製程設備,想要短期內實現 64K DRAM 和 256K DRAM可實用性,並在 10 到 20 年之間實現 1M DRAM 的可實用性。▲MITI(日本通產省)和 NTT(日本電話電信)的 VLSI 項目對比
在產業化方面,日本政府為半導體企業,提供了高達 16 億美元的巨額資金,包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策,幫助日本企業打造 DRAM 集成電路產業群。到 1978 年,日本富士通公司研製成功了 64K DRAM 大規模集成電路。創新型模仿,日本 DRAM 成功的又一關鍵。英特爾當初憑藉 4KB DRAM 搶佔了超過 80%的市場份額,日本公司紛紛效仿,導致英特爾的市佔率急轉直下。後來英特爾研發了 16KB DRAM(三電源供電)和 64KB DRAM(三電源供電),然而由於跟風者不斷追進,英特爾很難持續壟斷市場。於是英特爾在 1979 年推出殺手鐧產品:單電源供電的 16KB DRAM,日本公司根本無從下手,所以該款 DRAM 產品在發售時獲得 100%市佔率,然而,競爭對手紛紛模仿英特爾開發單電源 DRAM 產品,最終英特爾的市佔率跌到 10%左右,最後英特爾決定退出 DRAM 行業。英特爾的退出造就了日本 1985 年取得全球 80%的巔峰市佔率。▲英特爾 DRAM 產品市佔率
3、 對日本電子製造業取得成功的一點思考縱觀日本電子製造業在 1950-1985 年這 35 年間取得的成就,我們認為有幾點值得當前中國電子製造業思考與學習 。起步低不代表長不大。日本電子製造業從 1950 年開始發展,在此之前從沒有哪一項電子技術是從日本起步,韓戰爆發後日本的收音機出口開始迅猛增長,但是讓索尼引以為傲的電晶體收音機的核心電晶體技術也是索尼從美國購買,1959 年德州儀器製作了世界上第一塊集成電路,在美國企業一直認為電晶體已經成為過去,集成電路才是未來的背景下日本自主研發了第一臺電晶體計算機 NEAC-2201 並參加巴黎萬國博覽會,但與美國同行差距仍然甚大。日本的電子製造業正是從收音機開始做起,最後在半導體技術方面躋身全球一流。我們一直對當前中國電子製造業所從事的低端生產存有偏見,認為中國電子製造業就是以富士康為代表的產品組裝,中國電子製造業的精密製造就是生產以線束連接器為代表的低端產品,但日本例子告訴我們起步低但依然可以通過後續追趕而在全球市場擁有一席之地,中國智能機行業近年來的發展也證實這一可能。模仿可以短期內獲得最大的進步。日本 DRAM 行業發展壯大的歷程告訴我們通過模仿龍頭產品,可以短期之內獲得與龍頭同臺競技的資格。此外,韓國 DRAM 也是靠模仿日本而壯大,相信中國電子製造業在創新型模仿的戰略下並結合自身實際,可以迅速趕上龍頭國家。舉國體制是發展高精尖製造業的有效方式。1976 年日本的「DRAM」製法革新項目下的「VLSI 技術研究所」共耗資 720 億日元,其中政府出資 320 億,企業界籌集 400 億日元,最後日本得以先於美國研發 64k 集成電路、256k 動態儲存器,完成對美國技術的趕超,奠定了日本在 DRAM 市場的霸主地位。包括韓國在內也採用舉國體制發展半導體,1983 年韓國公布「半導體工業振興計劃」,韓國政府共投入了3.46 億美元的貸款,並激發了 20 億美元的私人投資,促進了韓國半導體產業的發展。當前中國也開啟了扶持半導體大基金計劃,已經開啟了第二期的投資,日本和韓國的例子告訴我們對於落後者而言,舉國體制是發展高精尖製造業的有效方式,中國的半導體大基金計劃對半導體的發展有實實在在的推動作用。▲日本半導體的舉國體制之路
貿易摩擦後的日本電子製造業:開始分化▲全球半導體產值分布(1978-1991)
美國對日半導體貿易摩擦措施:智慧財產權委員會+最低價格協定+超級 301 條款 。1984 年成立智慧財產權委員會,限制本國技術外流。1983 年美國商務部認定, 「對美國科技的挑戰主要來自日本,目前雖僅限少數的高技術領域,但預計將來這種挑戰將涉及更大的範圍」,以後,美國就開始在高技術方面對日本採取防範措施,並加大對智慧財產權的保護力度,1984 年成立智慧財產權委員會,限制本國技術外流。1986 年初,日美兩國籤訂了為期 5 年的《日美半導體保證協定》。在美國政府強力施壓之下,1986 年初日美兩國籤訂了為期 5 年的《日美半導體保證協定》,該協議的主要內容為:美國暫停對日本 DRAM 傾銷訴訟,但作為交換條件,要求日本政府促進日本企業購買美國生產的半導體,加強政府對價格的監督。《協定》的具體內容包括:1)在市場準入方面:日本擴大外國半導體加入日本市場的機會,要求在日本市場必須有 20%的美國半導體產品佔有率;2)在傾銷方面,美國暫停對 DRAM 的反傾銷調查,並根據日本生產商提供的成本資料確立了外國市場價格。當銷售價低於外國市場價水平時,就可以斷定該生產商正在以低於平均成本的價格進行傾銷(在美國的反傾銷法中,允許加上 8%的邊際利潤)。加徵關稅以及「超級 301」條款。1987 年 3 月,美國政府以日本未能遵守協議為由,就微機等日本有關產品採取了徵收 100%進口關稅的報復性措施。1988 年美國通過「綜合貿易與競爭法」,祭出「超級 301」條款,使日本所有出口商品都處於美國貿易制裁風險之中。1989 年美國認定日本在大型計算機、衛星和林業產品方面封閉市場,動用「超級 301」條款進行調查。新半導體協議。之後,日美兩國政府於 1991 年 6 月籤定了五年期的新半導體協議,其主要內容為:擴大市場準入條款,削減並修改了反傾銷條款。▲日美貿易摩擦之半導體戰爭
廣場協定:日本 DRAM 成本優勢不再的直接原因。儘管美國迫使日本籤訂廣場協定不是只針對半導體產業,但是不得不提廣場協定對日本半導體的出口影響是巨大的。1985 年 9 月,日元匯率在 1 美元兌 250 日元上下波動,在「廣場協議」生效後不到 3 個月的時間裡,快速升值到 1 美元兌 200 日元附近,升幅 20%。1986年底,1 美元兌 152 日元,1987 年最高達到 1 美元兌 120 日元。1985 年後日本電子製造業的貿易順差開始掉頭向下,DRAM 產品的市場佔有率也開始急劇下降,時間點與廣場協議籤訂時間高度相關。▲日本 DRAM 的全球市佔率與日元匯率
2、 貿易摩擦後的日本電子製造業的兩層分化第一層分化:終端產品萎縮,零部件與設備佔比提升 。1985 年後集成電路、零部件出口持續增長,視頻、音頻、計算機持續萎縮。出口是衡量一個國家某種產品在全球競爭力最有效的方式之一。我們對日本電子行業每種細分品類在 1985 年之後的出口額進行了詳細統計,以此來觀察在 1985 年貿易摩擦之後日本電子行業哪些產品衰落了,哪些產品競爭力提升了。從下圖中可以看出在 1985 年之後出口額能持續增長的只有集成電路產品,零部件產品在 1985 年後2000 年之前仍然保持高速增長,視頻產品、音響設備、計算機及相關設備等產品在1985 年之後出口額持續萎縮。▲日本電子製造業分產品出口額
零部件與設備成為出口創匯主力。1985 年之後日本電子製造業中零部件與設備的產值佔比持續提升,從 1985 年的 30%提升到 2013 年的 60%,出口創收佔比更是從不到 30%提升到接近 80%,同時佔電子行業進口額的比重持續下降到 40%,說明日本本土零部件與設備廠商的競爭力不斷提升,不光實現了實現進口替代,更是成為了出口創匯的主力產業。▲日本電子產業中零部件、設備佔比
▲ 彩色電視機、VTR、集成電路的出口(萬億日元)
▲ 液晶面板市場格局變化
▲ 液晶面板份額變化
第二層分化:半導體領域 DRAM 開始衰敗,設備與材料興起 。除了終端電子產品之外,日本半導體領域也同樣出現分化趨勢。日本 DRAM 行業在 1985 年之後在全球市場份額持續下滑,但是日本半導體行業中核心設備在全球的份額持續提升,80 年代是日本半導體設備及材料崛起的黃金十年。在 1980 年全球前十大半導體設備廠商中,美國佔有 9 席,日本僅僅佔 1 席;而到 1990 年全球前十大廠商中,日本佔有 5 席,美國佔有 5 席。根據 SEMI 的預測,在半導體材料領域,日本企業全球市場佔有率約為 52%,其中歐洲與北美佔比都為 15%左右。在全球該領域中日本行業佔據了絕對優勢,此時期日本半導體材料在光刻膠、模壓樹脂、矽晶圓、鍵合引線及引線框架等重要材料方面佔了非常高的份額,日本半導體材料企業在全球行業中地位舉足輕重。像日立化學、京瓷化學、信越、三菱佳友株式會社 SUMCO、佳友電木等日本企業幾乎壟斷了全球半導體材料。靶材領域,市場佔有率超 90%的全球 6 大廠商中前兩大就是日本的廠商 Shin-Etsu 和 SUMCO,兩家市場佔有率合計超過 50%。矽片領域被日本信越化學、三菱住友、中國臺灣地區環球晶圓、德國世創和韓國 LG 五大供應商壟斷,全球矽片供應佔比超 90%。其中日本的信越化學、三菱住友分別佔比 27%、26%。▲ 日本集成電路行業貿易數據
日本集成電路行業整體貿易順差在 1985 年之後曾經歷短暫快速下跌,主要是由於之前順差貢獻的主力 DRAM 出現較大滑坡所致,但是日本集成電路行業並未一蹶不振,從 87 年開始恢復增長一直持續到金融危機前的 2007 年,這其中設備和材料的貢獻功不可沒。▲關鍵半導體日本企業市佔率變化
3、 貿易摩擦加速了日本電子製造業的第一層分化,但並不影響第二層分化貿易摩擦的確加速了第一層分化 。貿易摩擦後日本電子產業的演進規律是從終端產品向上遊核心零部件以及設備的進化,其本質上是從低端低毛利產品到高端高毛利進化的過程,日美貿易摩擦不是這一進化的根本原因,但具有加速作用。1985 年之後日本電子製造業的貿易順差開始急速下降,日本彩電以及曾經的貿易順差主力產品 VTR 從 1985 年開始下滑。日本電子製造業從彩電出口為主到液晶面板出口為主,從終端組裝產品出口為主到集成電路出口佔比持續上升,貿易摩擦後日本電子產業的演進規律是從終端產品向上遊核心零部件以及設備的進化,其本質上是從低端低毛利產品到高端高毛利進化的過程。日美貿易摩擦只是影響了日本部分終端產品的出口,相反,日美貿易摩擦卻是日本電子製造業升級轉型的催化劑。從一國產業發展規律來看,日本電子製造業的這一升級並不是遭受了貿易摩擦的日本一國獨有的專利,從全球來看,雖然美國從來不是被貿易摩擦的國家,但是美國電子製造業的歷史其實就是一部低端產品生產不斷向日本以及亞洲四小龍再向東南亞國家遷移而美國本土製造業不斷升級的歷史。只是因為貿易摩擦的影響使得日本電子製造業在 1985 年就開始被迫需要升級。第二層分化更深層次原因是其沒有跟上科技產業創新潮流 。日本 DRAM 行業的潰敗最根本原因在於錯過了個人 PC 的興起。DRAM 是日本半導體行業最具代表性的產品,考察日本 DRAM 產品的興衰可以一窺日本半導體行業的整體興衰。日美半導體貿易摩擦在 1991 年以籤訂《新半導體保證協議》結束,新條款當中對日本 DRAM 的最低價格決定者已經從美國變更為日本,由日本廠商參考全球 DRAM 平均價格自行決定最低售價,相比由美國決定最低售價已經寬鬆很多,但此時日本 DRAM 的全球市佔率還有接近 70%,貿易摩擦可以解釋日本 DRAM 市佔率從 80%下降到 70%,但是無法解釋為何後來日本 DRAM 在全球的市佔率從 70%下降到 10%以及後續強強聯合的爾必達的倒閉。我們認為日本 DRAM 行業失敗的根本原因在於日本廠商錯過了個人 PC 的興起。日本 DRAM 廠商錯失個人 PC 創新潮流。20 世紀 90 年代,電腦界開啟了換代潮流,從大型機向個人 PC 轉變,這一換代也導致了 DRAM 需求的變化,DRAM 的主力需求從大型機生產商向 PC 生廠商切換。伴隨著這一轉變,日本 DRAM 市佔率不斷萎縮,韓國開始後來居上,在 1992 年超過日本成為霸主。主要是大型機和 PC需要的 DRAM 規格是完全不同的,PC 需要的 DRAM 的製造要求就是低成本而不是 25 年的質量保證,而韓國廠商生產的 DRAM 切合了低成本的要求最終打敗了日本。但是,處於潮流轉變中的日本廠商肯定也感受到了 PC 的興起,但日本廠商的追求極致的文化告訴他們可以將大型機高質保要求的理念用於生產 PC 用 DRAM 當中,於是日本廠商堅持生產 25 年質保的 PC 用 DRAM,而這種 DRAM 對於 PC 來說質量明顯過剩。結果,大量生產低成本 PC 用 DRAM 的韓國廠商崛起,而日本失去了霸主地位。▲大型機與個人 PC 產值與價格
日本半導體行業的文化過於追求極限。半導體製造需要精密的技術,而這些技術並不是一朝一夕能形成的。當時 DRAM 多用於大型電腦和電話交換機設備,其立下的技術標準是要求大型電腦用的 DRAM 有 25 年的質保,日本半導體製造商的工匠精神生產出了這種可靠性要求極其嚴格的DRAM,由此日本DRAM開始橫掃全球。此時,在技術上追求極限,生產高品質的 DRAM 這一技術文化開始紮根於日本半導體企業的方方面面,而這種技術文化正是日本半導體行業競爭力的源泉。強強聯合的爾必達也未能挽救日本的 DRAM 行業。1999 年底,日立和 NEC 合資成立專門生產 DRAM 的公司爾必達,當時普遍認為爾必達是「強大技術研發實力的日立」和「強大生產技術的 NEC」合二為一,由此將誕生世界上最強大的 DRAM製造商。甚至後來還有三菱電機的加入,但是爾必達的命運卻以破產倒閉而告終。爾必達最根本的問題在於公司固守生產大型機 DRAM 思維而缺乏用低成本來生產低價格 PC DRAM 的意識。金融危機之後 DRAM 曾經跌破了 1 美元,當時爾必達高管在公開場合認為 1 美元的 DRAM 是無稽之談,爾必達還是堅持了早年日本DRAM 行業走高端高價格的路線,必然遭到時代的淘汰。日元升值並不是日本 DRAM 喪失地位的主因。部分研究認為主要是貿易摩擦導致的日元匯率升值使得日本成本優勢降低,於是韓國的 DRAM 後來居上,我們認為不應高估匯率變動對日本 DRAM 產品競爭力的影響,85 年之後的韓國在 DRAM 市場可謂一騎絕塵,但 97 年韓元在短暫貶值後開啟了 10 年的升值周期,升值幅度接近一倍,但這期間韓國 DRAM 的全球市佔率卻從 35%上升到接近 50%,而且在 08年金融危機後韓元同樣持續升值,但 DRAM 市佔率一路衝到最高接近 70%。並且以美元計價的日本和韓國兩國製造業平均工資水平韓國曾一度與日本相當,但日本卻再也沒能重拾當年的雄風,在 DRAM 市場一路潰敗。4、 日美半導體貿易摩擦最大的贏家是韓國1984 年才成立智慧財產權委員會限制對日技術輸出的意義不大。1983 年美國認定,對美國科技的挑戰主要來自日本。以後,美國就開始在高技術方面對日本採取防範措施,並加大對智慧財產權的保護力度於 1984 年成立智慧財產權委員會,限制本國技術外流。而此時的日本半導體技術雖然無法完全與美國抗衡,但關鍵技術都已經獲得突破。1980 年,日本宣布為期四年的「VLSI」項目順利完成,期間申請實用新型專利 1210 件,商業專利 347 件。更重要的是,到了 64K DRAM 大規模集成電路時代,富士通公司的研發進度開始與 IBM、德州儀器等美國企業並駕齊驅,而到了 256KDRAM 時代,美國才剛研製出來,日本富士通和日立的產品已經量產上市。可以說此時的日本 DRAM 產業已經不需要依靠美國技術。對日本 DRAM 反傾銷犧牲了日本卻成全了韓國。到了 1985 年眼看限制對日技術輸出也無法阻止日本 DRAM 一統天下,美國開始對其進行更直接的反傾銷調查直至後續逼迫日本籤訂《日美半導體協議》。儘管我們認為日本 DRAM 衰敗更多原因來自於日本企業自身,不可否認美國的反傾銷調查加速了日本 DRAM 的下滑,但美國沒有想到的是韓國的 DRAM 廠商卻趁勢崛起,以三星為代表的廠商獲得了全球 70%左右份額。韓國DRAM廠商崛起而美國無力阻止。1985年之後韓國DRAM份額逐漸上升,此時 DRAM 的消費主力逐漸從大型機轉向個人 PC,而個人 PC 的生產主力地區在中國臺灣,因此韓國DRAM主要銷往臺灣等地,美國無法阻止臺灣廠商進口韓國DRAM。當然美國進口的 PC 當中也有使用韓國 DRAM 的,但是這些進口 PC 中大部分都是美國自己的品牌,並且,在 1980 年之後由於受日本 DRAM 衝擊太大,美國本土企業已經逐漸撤出 DRAM 生產,此時美國對韓國 DRAM 進行貿易摩擦已經沒有意義。▲韓國 DRAM 趁勢崛起
貿易摩擦後日本電子製造業的演進對中國的啟示▲當前處於向 AI、5G 以及智能汽車變革關鍵期
中國當前雖有貿易摩擦,但基本卡位了科技創新的每一波潮流。當前中國雖然處於貿易摩擦的陰霾籠罩下,但是我們緊扣科技產業創新的節奏,中國科技公司緊跟網際網路 2.0 以及移動網際網路的步伐,並且在新能源車領域整體水平不輸國外公司,在這過程中湧現出一大批領導者企業如 5G 領域的華為、AI 領域的海康威視、商湯科技以及智能駕駛領域的百度。我們持續看好中國科技企業今後的創新,在這之前日本公司的一些經驗教訓值得我們學習。1、 加大核心零部件與設備的自製,降低對產品組裝的依賴貿易摩擦不可否認對日本電子製造業的出口額造成了巨大影響,尤其是對於部分電子產品如電視機以及家庭錄像設備(VTR)而言幾乎是毀滅性的打擊,但日本電子製造業當中零部件的出口卻一直處於上升態勢,相對於終端產品需要大量的組裝工序,零部件尤其是核心零部件的出口佔比提升可以有效拉動日本電子製造業的毛利率水平。類似案例在電視機行業尤為顯著,日本彩電行業在 1985 年之後出口銳減,但是日本液晶顯示屏的出口卻日益增加,一直到 2003 年日本液晶面板佔據了全球市場的 40%以上。2008 年之前我國半導體設備基本全靠進口,因此國家設立了 02 專項研發國產化設備。但是,由於設備製造對技術和資金需求要求比較高,只有北方華創、中微半導體、上海微電子等少數重點企業能夠承擔 02 專項研發工作,整個行業集中度相對較高。雖然在 02 專項的支持下,我國半導體設備實現了從無到有,但相比國內龐大的市場規模而言,自給率不足 15%。即使在發展水平相對較高的 IC 封裝測試領域,我國與先進國際水平相比仍然存在較大差距。尤其是單晶爐、氧化爐、 CVD 設備、磁控濺射鍍膜設備、 CMP 設備、光刻機、塗布/顯影設備、 ICP 等離子體刻蝕系統、探針臺等設備市場幾乎被國外企業所佔據。2、 注重水平分工,降低生產成本水平分工分為兩個層次:一個是產業內的從 IDM 模式到 Fabless 模式,另外是地域性的從國內到國外的水平分工。忽視產業內的水平分工是日本半導體企業失敗的重要原因之一。貿易摩擦對日本電子製造業低端產品影響較大,而相對高端的日本半導體企業之所以衰退的第一個重要原因就是堅持垂直一體化的生產模式(IDM)。早期日本半導體企業都是和Fabless 的模式背道而馳,與此同時日本半導體企業也在節節敗退,從 2000 年開始,日本半導體企業已經無法繼續堅持IDM 的模式開始向 Fabless 模式轉變。收入增長時設備投入也增加。日本半導體企業在銷售額增加的時候,當年的設備投資額也會相應增加,銷售額減少的時候設備投資額也會減少,結果是當銷售額減少的時候,由於前期投資持續增加,帶來設備的折舊也是在增加的,導致企業的盈利忽高忽低。而採用 Fabless 模式的高通公司營收與折舊增長基本同步,就連需要重資產投入的代工廠臺積電的營收與折舊增長相關性也遠高於日本的情況。1985-1986 年,由於剛受到貿易摩擦的影響,日本半導體企業的出口受到一定影響,銷售額開始下滑,但是折舊卻大幅度上升,折舊金額和銷售下降疊加,企業利潤壓力增大。忽視地理上的水平分工是日本半導體企業失敗的另一重要原因。日本企業主張「設計部門和生產部門必須屬於同一個地區同一個企業」,這是因為設計部門和生產部門需要密切交流,共享信息,否則就無法做出優秀的產品。這樣的企業文化導致日本很少考慮地理上的水平分工。我們用一國對外 FDI 總額與本國當年 GDP 的比重來衡量地理上水平分工的程度。1980 年代美國 FDI 與 GDP 的比重略超 5%,到近兩年一路提升到 30%左右,而日本的數據卻一直在 5%以下徘徊。同為後起之秀的韓國的 FDI 比重在 1992 年首次超過日本之後一直到 2014 年才重新被日本超越,一方面說明過去 20 年日本對 FDI 確實過於保守,也說明了近年來日本對 FDI 開始更加重視。地理上的水平分工有利於企業降低生產成本,1985 年之後日元持續升值,日本DRAM 廠商完全可以對外進行 FDI,將生產基地轉移至國外,由於日元升值,廠商的海外購買力其實不斷增強,一方面利用國外廉價勞動力,一方面購買國外廉價零部件,但 90 年代前幾乎沒有日本半導體廠商這麼做。貿易摩擦背景下中國電子製造業的突圍▲近年來中美貿易摩擦時間軸
2、 遭受貿易摩擦前中日兩國電子製造業實力對比日本電子製造業對外貿易依存度遠高於中國。我們用電子製造業的出口金額與行業總產值的比來衡量對外貿易依存度。日本電子行業對外貿易依存度自 1950 年來一直呈上升態勢,而中國的情況恰恰相反。1985 年貿易摩擦前日本電子製造業對外貿易依存度達到 56%,而當前中國電子製造業對外貿易依存度僅為 39.32%,貿易摩擦開始後日本為了減少對對外貿易的依賴加大內需的開發,日本電子行業從 1985 年到 2000 年期間對外貿易依存度呈現持平狀態,到 2000 年該數字為 55%,由於日本電子製造業本身發展迅速,並且在全球市場競爭力較強,我們認為這 15 年間日本電子製造業的對外貿易依存度能保持持平說明開發內需確實效果顯著。然而中國近年來的情況與日本當時的情況完全相反,08 年金融危機之後中國電子製造業的出口比重一路下滑,造成中國這一情況的原因是出口總額多年來沒有上升。生產總額從 08 年來增幅接近 300%,而出口總額增幅只有 40%,說明中國內需增長旺盛,內需消化的產值遠高於出口。1985 年之前日本之所以出現貿易依存度不斷提高主要是因為出口增幅遠高於總產值增幅,1985 年的出口金額和總產值分別是1955 年的 1980 和 885 倍。1985 年之後日本出口基本維持零增長態勢,但是生產總值在 2000 年達到頂峰後一路下滑,導致貿易依存度被動性提高。總結來看,中國當前電子製造業主要是內需拉動,與日本高貿易依存度的需求結構相比有著更強的抵禦貿易摩擦的能力。▲日本電子製造業對外貿易依存度
▲中國電子製造業對外貿易依存度
中國電子製造業在全球是「參與者」而不僅僅是「供給者」角色。我們以集成電路行業為例,中國 2016 年集成電路進口 2270 億美元,本土產值 652 億美元,出口 614 億美元,本土總產值與出口額相近,說明本土產品或服務基本都是用於出口,中國集成電路行業封裝環節產值佔比達到 36%,封裝佔比高說明中國集成電路出口基本都是給國際廠商提供封裝服務,同時中國每年進口 2270 億美元,出口額與進口額相差較大與中國集成電路行業本身產業結構有關,中國一方面提供封裝服務,同時從國際市場進口大量集成電路成品,說明中國集成電路在全球市場是「參與者」的角色。日本集成電路行業在 1985 年時總產值達到 80 億美元,而出口和進口分別只有不到 30 億美元和 6 億美元,極少的進口額和極高的總產值說明日本半導體產品基本不需要參與國際分工,其 IDM 的模式可以實現自給自足,同時日本當年的出口額是進口額的接近 5 倍,如此大的差額比中國當前的結構更容易遭受貿易摩擦,而事實上日本集成電路行業當年就遭到了美國的多次反傾銷調查。 當前中國集成電路的產值與貿易結構相比日本當年在抵禦反傾銷調查上具有優勢,同時因為我們是國際分工「參與者」,在「禁運」(美國對中國出口)方面對方又不得不考慮對其本土企業生產的影響。▲中日兩國集成電路產值、出口、進口(億美元)
▲ 中國電子製造業出口細分
3、 與日美電子貿易摩擦相比,美國對中國打擊力度加大當前中美貿易摩擦針對電子製造業美國已出臺措施的打擊力度不亞於當年日美貿易摩擦。80 年代日美貿易摩擦從 1984 年開始一直延續到 1991 年,期間出臺多項限制日本電子製造業的合約,1986 年籤署的《日美半導體保證協定》決定對日本出口的半導體產品價格進行監督,一般認為 1986 年《日美半導體保證協定》是左右日後日本半導體產業命運的重要因素。當時日本最擅長的存儲行業,因為對美協定的制約,被中國臺灣、韓國趕超上來,風光不再。當前中美貿易摩擦美方已經出臺的措施主要有禁運和加徵關稅兩種。我們統計了美方三次加徵關稅的清單當中涉及電子製造業的部分,從加徵關稅的名單來看主要是對 160 億美元加徵關稅的清單二涉及較多集成電路板塊出口,但對上市公司涉及金額較小,受影響程度較小。此外,中美貿易摩擦美方已出臺的措施最為嚴厲的當屬去年 4 月份的中興通訊和福建晉華禁運事件。中興事件雖然和解,但卻為中國電子製造業敲響警鐘。中興通訊全線產品過多依賴於美國晶片和光模塊廠商,美國實施完全禁運的情況下,中興通訊及關聯公司不能直接或者間接購買美國零部件、商品、軟體和技術,從上述分析看,基站側 FPGA、高速 AD/DA、功率放大器、高速光模塊等都會受到美國制裁影響,而且沒有辦法從其他國家獲得替代性產品,這些核心元器件無法供應的情況下,公司產品的交付能力會面臨比較大的挑戰。華為、晉華事件凸顯核心設備和材料國產化迫在眉睫。2020 年 5 月 15 日,美國商務部宣布一項新計劃,將通過修改出口管理條例(EAR),要求全世界所有公司,只要利用到美國的設備和技術幫華為生產產品,都必須經過美國政府批准。此次升級繼續針對華為。自 2019 年 5 月 17 日美國 BIS 將華為及附屬公司超過 70 家納入實體名單以來,華為晶片核心產業鏈去 A 化進展已取得顯著成效,在 IC 設計端的移動處理器、存儲、模擬、傳感器、射頻前端、功率半導體等部件都已經具備繞開美國供應商的可行性路徑。但國內半導體核心環節依然受制於人,本次美國對華為的限制升級新規主要集中晶片設計所需的 EDA 軟體和半導體設備。▲中美和日美兩次具體措施對比(電子製造業領域)
日本怕反傾銷,中國怕出口禁運。我們認為中日兩國的貿易結構決定了兩國在貿易摩擦方面的軟肋,日本的電子製造業主要是出口導向型,對外貿易依存度不斷提升,近年來更是達到了最高的 80%,日本的產業結構註定了其容易遭受反傾銷的調查,而歷史上日美貿易摩擦時美方使用的手段也基本都是圍繞反傾銷和最低價格協定等諸如此類的限制日本出口的措施。而中國電子行業對貿易依存度較低,最新數據不到 40%,尤其在集成電路行業進口額達到出口額的 4 倍左右,中國的產業結構註定了高端材料和設備以及晶片是軟肋,從華為、中興事件和晉華事件來看,中國對禁運幾乎毫無還手之力。4、 中美貿易摩擦對中國電子製造業的長期影響中美貿易摩擦的解決不會一蹴而就,反覆摩擦將是常態。日美貿易摩擦從 1960年開始一直延續到 1990 年,其中電子製造業戰爭集中發生在 1985 年到 1991 年,美國用 6 年時間改變了日本電子製造業的生產和出口結構,我們認為中美之間貿易摩擦將是主流,尤其對於電子製造業而言,近年來中美貿易順差總額為 2500 億美元左右,電子信息行業貢獻佔比 45%,因此電子行業必將成為中美貿易雙方最為矚目的行業,有可能會招來美方更多的限制措施。▲中美貿易順差以及電子信息行業順差
終端產品生產下降,零部件佔比提升。參考當時日本的案例,日本電子製造業當中零部件的出口卻一直處於上升態勢,相對於終端產品需要大量的組裝工序,零部件尤其是核心零部件的出口佔比提升可以有效拉動日本電子製造業的毛利率水平。類似案例在電視機行業尤為顯著,日本彩電行業在 1985 年之後出口銳減,但是日本液晶顯示屏的出口卻日益增加,一直到 2003 年日本液晶面板佔據了全球市場的 40%以上。日本消費電子終端產品產值與行業總產值佔比從 2000 年以來基本處於下降通道,2019 年的比例已經不足 4%。當前中國智能機、計算機等整機產品在全球市佔率第一,而關鍵零部件以及高端設備基本都是依賴進口,日美貿易摩擦的案例告訴我們在當前中美貿易摩擦的背景下我們的終端產品在全球的成本優勢會下降,提高核心零部件以及設備的研發與自製是保證中國電子製造業擁有下一個增長點的關鍵。▲日本電子信息行業產值和消費電子終端產值
加大對外直接投資力度。1985 年之前日本製造業對外直接投資金額維持在 4000億日元上下,總體增速較為平穩,製造業對外直接投資與製造業國內總產值的比例保持在 1%左右。在 1985 年之後的對外直接投資金額開始迅速增長,1988 年開始達到 17679 億日元,與總產值的佔比攀升到 2%,此後日本製造業對外直接投資波動上升,在 2013 年達到最高點,與總產值的佔比為 7%。預計中美貿易摩擦會加速中國偏終端產品生產的海外直接投資力度。當前中美貿易摩擦當中的加稅措施預計會提升中國電子製造業在國內生產的出口成本,如果後續 2000 億美元加徵關稅措施出臺,以及加稅力度提升,預計偏終端產品的海外轉移會加大。儘管終端產品生產的海外轉移是一國產業升級必然會出現的現象,但加稅等措施會對這一轉移過程起到加速的作用。▲日本製造業對美國直接投資存量
加大舉國體制力度,實現核心設備與材料的自製。相對於加稅等措施,出口禁運是當前中國電子製造業面臨的最嚴重的問題。我們認為舉國體制是後發國家突破核心設備自製最好的方式,日本以及韓國都在舉國體制下實現了核心設備的突破。我國半導體行業在 02 專項以及大基金項目的幫助下核心設備自給率尚不足 20%,預計後期政府會持續加大對半導體設備與材料企業的投入,並且晶圓廠會加大與設備廠的合作力度,改變以往雙方合作水平較低的狀態。智東西認為, 日本電子製造業部分細分行業的衰落受貿易摩擦影響有限,更多是因為日本企業錯失科技創新的浪潮以及不注重行業內水平分工。當前中美兩國在電子製造業領域差距已經在不斷縮小,目前在半導體領域,我們所需的設備與材料基本都依賴進口,而當年日本 1976 年開始半導體的舉國體制之前與中國當前情況類似,但是經過多年的發展,1985 年貿易摩擦前的日本半導體企業已經基本實現了核心設備的自製,甚至在部分核心產品上領先於美國同行量產上市 ,所以我們也應該樂觀的看待當前與美國的差距。最後, 舉國體制是發展高精尖製造業實現突圍的有效方式 ,科創板開閘+大基金二期上馬,中國版新型舉國體制助力國產半導體,預計存儲產業有望率先突圍。