ST發布全新STripFET VII DeepGATE MOSFET

ST發布全新STripFET VII DeepGATE MOSFET

來源：華強電子網 作者：—— 時間：2013-05-28 09:32

    意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出能夠降低電信系統、計算機系統、太陽能逆變器、工業自動化以及汽車電子等應用設備的環境影響的新一代高能效功率器件。

    意法半導體全新STripFET VII DeepGATE MOSFET在當前市場銷售的80V和100V功率電晶體中擁有最高的導通效率，同時提高了開關效率。此外，新產品有助於簡化設計，使用數量更少且封裝更小的器件滿足系統功耗和能效目標，從而降低了設備尺寸和成本。

     增強的MOSFET柵結構是意法半導體STripFET VII DeepGATE技術的重要進步，降低器件通態電阻的同時還降低了內部電容和柵電荷，進一步提高開關速度和效率。新產品的抗雪崩能力優異，使產品在可能損壞器件的惡劣條件中仍可正常工作，因此STripFET VII DeepGATE是汽車電子應用的最佳選擇。

     現在可訂購的STripFET VII DeepGATE樣片或產品超過15種，包括STP270N8F7 80V器件和若干100V器件，客戶可選擇TO-220、DPAK、PowerFLAT 5x6和2針腳或6針腳H2PAK封裝。如需大量訂購，請聯絡意法半導體銷售辦事處。

    關於意法半導體MOSFET和電壓額定值：

     STripFET VII DeepGATE是意法半導體強大的MOSFET技術家族的新成員，在各種應用使用的主要電壓額定值下，提供業界領先的能效、功率容量和耐用性。STripFET VII DeepGATE技術特別適用於直流電壓驅動的電氣系統，如電信設備廣泛使用的48V直流電壓。80V或100V器件具有充足的安全裕量，可承受在48V系統中常見的過壓電湧。優異的可靠性讓STripFET VII DeepGATE還可用於12V或24V汽車電子應用。

     工業電源還需要像MDmesh超結技術一樣的功率技術，因為此項技術在較高電壓額定值時能效十分優異。600V或650V MDmesh器件為交流－直流電源、照明鎮流器和顯示器提供適合的安全裕量。意法半導體近期發布的全新高能效MDmesh產品系列以低柵電荷為特色，適用於諧振型功率轉換器，如液晶電視電源（MDmesh II Low Qg）。