...重磅演講者:EPC CEO Alex Lidow之「用GaN IC重新定義電源轉換」

2021-01-07 EDN電子設計技術

分立式氮化鎵（GaN）電晶體已投入生產十多年了，目前這項技術已成熟了很多。事實證明，GaN器件比矽功率MOSFET器件具有更高的性能和更低的成本。但是，GaN電晶體現在的優勢還僅在於器件本身；未來則可以通過將多個GaN器件集成到單個晶片上，構建完整的電源系統，而發揮更大的優勢。AYgednc

ASPENCORE第三屆「全球CEO峰會」即將於2020年11月5日在深圳召開，大會的主題是「重思、重構、重升」（點擊查看大會介紹並報名）。本屆大會將邀請到EPC公司執行長Alex Lidow這位重要演講嘉賓，為我們帶來「Redefining Power Conversion with Gallium Nitride Integrated Circuits」（用GaN IC重新定義電源轉換）的主題演講。AYgednc

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宜普公司（EPC）聯合創始人兼CEO Alex LidowAYgednc

Alex Lidow是宜普公司（EPC）聯合創始人兼CEO，曾任國際整流器（IR）公司CEO。他是HEXFET功率MOSFET的共同發明者，擁有21項功率半導體技術專利。Lidow曾獲得2015年北美SEMI獎，以表彰他在新材料功率器件商業化方面做出的貢獻。他獲得了加州理工的應用物理學士，以及史丹福大學應用物理博士學位。AYgednc

據了解，今年初，宜普電源轉換公司（EPC）推出了首個全新的IC系列產品，為DC/DC轉換、電機驅動及D類放大器等高功率密度應用提供了更高性能及更小型化的解決方案。AYgednc

EPC推出的這款80V、12.5A功率級IC EPC2152，專為48V DC/DC轉換而設計，用於具有高功率密度的計算應用以及針對電動汽車的電機驅動器。這款GaN IC器件內部集成了一個單晶片驅動器，以及一個基於eGaN FET、採用EPC專有GaN IC技術的半橋功率級。在單晶片上集成了輸入邏輯接口、電平轉換電路、自舉充電電路、柵極驅動器的緩衝電路以及配置為半橋器件的輸出eGaN FET，從而實現晶片級LGA封裝、細小的外形尺寸（3.9mm×2.6mm×0.63mm）。AYgednc

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當48V轉12V降壓轉換器在1MHz的開關頻率下工作時，EPC2152 ePower功率級IC可實現高於96%的峰值效率，相比採用多個分立器件的解決方案，這個IC在PCB的佔板面積少33%。AYgednc

EPC2152是該系列的首個產品。該系列在未來會進一步推出採用晶片級封裝（CSP）及多晶片四方扁平模塊（QFM）的功率級IC。EPC還將在未來一年內將推出可在高達3至5MHz頻率範圍工作、每級功率級的電流可高達15A至30A的產品。AYgednc

藉助這一產品系列，設計人員就可以更容易地發揮GaN技術的性能優勢。集成多個器件在單晶片上，設計師可以更容易設計、布局、組裝、節省佔板面積及提高效率。AYgednc

Alex Lidow表示，分立式功率電晶體正在進入它的最後發展階段。矽基氮化鎵IC可以實現更高的性能、佔板面積更小，並可省去很多的所需工程。「這個全新的功率級IC系列是氮化鎵功率轉換領域的最新發展裡程，從集成多個分立式器件，以至集成更複雜的解決方案都可以，從而實現矽基解決方案所不能實現的電路性能，使得功率系統工程師可以更容易設計出高效的功率系統。」他補充說。AYgednc

本次全球CEO峰會上，Alex Lidow將從以下四個部分系統性地講解GaN技術的來龍去脈：AYgednc

1. GaN發展的歷史背景及其背後的推動力；AYgednc

2. 目前最先進的技術；AYgednc

3. 製造IC的實際方法及其最先進的技術和優勢；AYgednc

4. 展望未來數年內GaN技術帶來的變化。AYgednc

綜上所述，GaN技術的崛起，以及全新的GaN IC，正在重新定義電源轉換，並將為業界帶來最大的性能優勢。AYgednc

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