去年iphone6的上市,讓很多果粉和非果粉都瘋狂了一把,相對5S有著較大的升級,屏幕也從4寸變為了符合亞洲人口味的大屏。這一切也讓iphone6和iphone6 plus在全球熱銷。坐上北京地鐵就會發現蘋果6有多麼的街機了,不過不可否認的是iphone作為全球最優秀的智慧型手機,確實有很多值得買的地方,但去年部分iphone6內存顆粒使用TLC也著實讓人心裡沒有那麼舒服。那麼今年9月9號,北京時間10號凌晨1點即將發布的iphone6s又會使用什麼樣的快閃記憶體顆粒呢?想要知道這個我們首先還需要了解的是快閃記憶體顆粒分為哪幾種?TLC又是什麼?
蘋果新品?到底iPhone6S會用TLC還是MLC
可能很多人對於這個事情的來龍去脈還不是很明白,那麼在這裡筆者首先來給大家簡單介紹一下這個事件。蘋果iPhone6以及iPhone6 Plus是目前最為優秀的手機之一,同時也是價格最為高昂的產品之一,而TLC快閃記憶體則是快閃記憶體的一種類型,而且是目前常見快閃記憶體類原件裡邊較為偏向性價比那一種。對於蘋果來說大眾的印象是最好最貴的產品應該使用最貴的原件,所以使用TLC就變成了一個不容易讓諸多消費者理解的問題。
部分iphone6 6plus使用TLC
什麼是TLC顆粒?與MLC、SLC區別
首先就要說說TLC是什麼。簡單來說TLC就是一種成本上相對比較偏向性價比的快閃記憶體顆粒
SLC MLC TLC規格對比
TLC其實只是一個形容詞,我們所說的TLC指的是TLC快閃記憶體,而其中的TLC指的是Triple Level Cell,直接翻譯過來叫做3階單元,比較通俗的意思就是「一個單元可以存儲3個信息」,相對應的MLC晶片為「一個單元可以存儲2個信息」,SLC晶片則為「一個單元可以存儲1個信息」。
可能有人會說這不就是個集成度多少的問題嗎?事實不是這樣,無論是SLC、MLC、SLC其一個單元本身的電晶體數量是相似的,也就是說我們用物理上差不多的東西儲存了更多的信息。但是存儲更多的信息就等於帶來了更多不穩定。
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應電晶體)基本結構
那麼快閃記憶體的結構是什麼樣子的呢?請大家看上圖,在對一個快閃記憶體單元編程的時候,電壓加到控制柵極(control gate)上,形成一個電場,讓電子穿過矽氧化物柵欄,達到浮動柵極(floating gate)。穿越過程完成後,控制柵極上的電壓會立刻降回零,矽氧化物就扮演了一個絕緣層的角色。單元的擦除過程類似,只不過電壓加在矽基底(P-well)上。
SLC只需要兩種電壓狀態就可以保存所有數據 但是TLC則需要8種
SLC、MLC、TLC三種快閃記憶體的MOSFET是完全一樣的,區別在於如何對單元進行編程。SLC要麼編程,要麼不編程,狀態只能是0、1。MLC每個單元存儲倆比特,狀態就有四種00、01、10、11,電壓狀態對應也有四種。TLC每個單元三個比特,狀態就有八種了(000、001、010、100、011、101、110、111)。
SLC、MLC和TLC三者的區別
SLC=Single-LevelCell,即1bit/cell,速度快壽命長,價格超貴(約MLC3倍以上的價格),約10萬次擦寫壽命
MLC=Multi-LevelCell,即2bit/cell,速度一般壽命一般,價格一般,約3000---10000次擦寫壽命
TLC=Trinary-LevelCell,即3bit/cell,也有Flash廠家叫8LC,速度相對慢壽命相對短,價格便宜,約500次擦寫壽命
簡單地說SLC的性能最優,價格超高。一般用作企業級或高端發燒友。MLC性能夠用,價格適中為消費級SSD應用主流,TLC綜合性能最低,價格最便宜。但可以通過高性能主控、主控算法來彌補、提高TLC快閃記憶體的性能。
使用TLC的iphone情況如何
那麼用TLC的iPhone會有什麼樣子的表現呢?首先就是開機慢、加載慢,相對於使用MLC的iPhone6,使用TLC的版本在開機、加載程序等等環境上要慢大約20-30%的時間。這些時間其實並不是那麼容易被察覺,所以也就是無所謂的事情了。
iPhone6的TLC與之前網上盛傳的死機門之間有著莫大的關聯
Zero Fill(全零填充)測試 來自於HKEPC
Random Fill(隨機填充)測試 來自於HKEPC
此外使用TLC快閃記憶體的iPhone6會有更高的機率出現閃退、死機、重啟等等情況。而iPhone本身是一臺不希望我們關機的手機,這從某些角度上完全違背了iPhone的設計理念。
採用TLC SSD是否值得買?
由iphone而引申出來的問題讓絕大多數網友心中都會產生這樣的一個疑問。採用TLC的SSD是否值得購買呢?其實 TLC快閃記憶體也如當年MLC快閃記憶體一樣,在攻克P/E使用壽命的難關後,在今年下半年走上主流舞臺。目前各大主流主控廠商開發支持TLC快閃記憶體的主控,並且已經進化到第三代,有效提高TLC SSD的性能,延長TLC SSD的P/E使用壽命。
TLC SSD的鼻祖:三星840系SSD
三星850 EVO擁有最高技術等級的3D TLC快閃記憶體,其它6款TLC SSD均為2D TLC快閃記憶體。三星在TLC SSD先撥頭籌,早在2012年三星就已經推出首款TLC SSD--840系列,至今三年三代TLC SSD。
閃迪至尊高速II TLC SSD
編輯點評:隨著快閃記憶體製造工藝進步,主控廠商在固件上和TLC快閃記憶體的多年磨合,不同時少品牌的TLC SSD起步即為240-256GB,其容量較之120-128GB SSD容量翻倍,它的全程使用P/E使用年限要比後者高得多。同規格容量的SSD,採用TLC快閃記憶體較之MLC快閃記憶體可降低至少20%的製造成本,在提高壽命的同時降低了消費者使用SSD的價格,筆者也相信如果TLC顆粒問題沒得到很好的解決,廠商也不敢在市場上售賣,目前很多SSD廠商都提供了多年保修,所以消費者可以放心選購自己想要的產品。
iPhone6s會採用MLC還是TLC?
馬上就到了蘋果秋季發布會,也到了本文章最為關注的點,就是iphone6s會採用哪種快閃記憶體顆粒?
蘋果9.9號發布會
隨著當初iPhone6+功能缺陷的爭論高漲蘋果已經決定停用TLC NAND快閃記憶體技術。蘋果認為,困擾64GB iPhone6和128GB iPhone6+的功能缺陷緣於TLC NAND快閃記憶體控制晶片中的一個問題。這種控制晶片據稱是由SSD製造商Anobit製造的,該公司在2011年被蘋果收購。
前文我們提到TLC NAND快閃記憶體是固態NAND快閃記憶體的一種。它的數據存儲量是SLC存儲器的三倍,是MLC存儲器的1.5倍。最重要的是,TLC快閃記憶體更實惠。然而,它讀取和寫入數據的速度比SLC或MLC要慢一些。在去年11月作出這一決定的同時,蘋果公司計劃未來在64GB iPhone6和128GB iPhone6+中使用MLC NAND快閃記憶體技術。蘋果還表示,它將在一年內為已經裝備了TLC NAND快閃記憶體的iPhone手機提供iOS8.1.1更新。
6S將使用MLC
早在當時蘋果已經決定停止使用TLC顆粒,那麼我們就很有理由相信iphone6s一定會採用MLC快閃記憶體顆粒,畢竟這與蘋果手機的定位更加符合,但是我們也許更期待的是蘋果使用SLC的那一天的到來。