ADI發布AD8220 結型場效應管(JFET)儀表放大器

2020-12-08 電子產品世界

 

ADI公司為病人監護醫用設備提供的

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/8060.htm

生命信號檢測和便攜性取得新的突破

——ADI公司新的JFET輸入儀表放大器提高了性能並且使封裝尺寸減小50%，

從而增大了病人監護儀和可攜式醫用電子設備的通道密度。

美國模擬器件公司（Analog Devices, Inc.，紐約證券交易所代碼: ADI），全球領先的高性能信號處理解決方案供應商和放大器集成電路（IC）市場領先公司，今日在麻薩諸塞州諾伍德市（Norwood, Mass.）發布AD8220 結型場效應管（JFET）輸入儀表放大器，從而延續了ADI公司為醫用電子行業服務的悠久歷史。AD8220增強了固定式和可攜式心電圖儀（ECG）、腦電圖儀（EEG）和其它各種病人監護設備中對病人生命信號的檢測。AD8220儀表放大器採用8引腳塑料MSOP封裝（微小外形封裝），只有同類器件一半的尺寸，它允許醫用設備的設計工程師通過節省出印製電路板（PCB）面積以顯著增大ECG和EEG通道密度，適應小型醫用監護系統的需求，從而取得新的突破。高通道密度監視設備還可以為醫學專業人員提供更多的微弱信號（例如心臟跳動和大腦活動度）測量點，同時還能保護病人生命信號免受電子幹擾。另外，AD8220採用單電源低電壓供電，功耗電流僅700 µA，從而使它非常適合用於可攜式病人監護系統。

AD8220具有極低的輸入偏置電流，僅為4 pA（10-12A），它小於同類器件偏置電流的一半，並且解決了精密儀器中很大的信號誤差源問題。AD8220在頻率高達10 kHz時（增益＝1）具有80 dB的共模抑制（CMR），而同類儀表放大器在達200 Hz時的CMR僅為72 dB。由於顯著降低輸入偏置電流並且提高CMR，所以健康護理專業人員現在能夠以前所未有的高水平測量心臟脈搏、腦電圖波形和其它的病人生命信號。另外，高CMR由於能夠抑制人體其它器官的電噪聲，從而保護了這些信號免受外部幹擾。

「對於測量很小電流的監測器件來說，AD8220的小封裝使設計工程師能夠增大系統通道密度，這意味著我們能夠在規定的空間內安裝更多的這類重要信號調理功能。」ADI公司主管高級線性產品的副總裁Lew Counts說，「與此同時，我們保證抑制高頻噪聲的水平是同類解決方案望塵莫及的。其重要意義是工程師如果採用ADI公司的AD8220儀表放大器來設計病人監護設備可以提高總系統動態範圍和性能，無需折衷功耗或成本。」

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    1 以場效應電晶體為基本元件的放大器優勢明顯就目前在放大器中使用的3種元件而言，電晶體的輸入阻抗太低(大約1 k左右)，電子管的輸入阻抗很高，但輸出阻抗也高，為此，還要增加一個輸出變壓器。使體積較大，耗電也大。所以說兩者都不是理想的輸出管。
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    打開APP 測量N,P結型場效應管配對的電路 電子發燒友 發表於 2009-12-20 23:41:00 測量N,P結型場效應管配對的電路
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    低噪聲　由於儀表放大器必須能夠處理非常低的輸入電壓,因此儀表放大器不能把自身的噪聲加到信號上,在1 kHz 條件下,折合到輸入端的輸入噪聲要求小於10 nV/ Hz.低線性誤差　輸入失調和比例係數誤差能通過外部的調整來修正,但是線性誤差是器件固有缺陷,它不能由外部調整來消除。
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    (3)用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力　　具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，給場效應管加上1。5V的電源電壓，此時錶針指示出的漏源極間的電阻值。然後用手捏住結型場效應管的柵極G，將人體的感應電壓信號加到柵極上。
  • 如何測量場效應管好壞
    用萬用表定性判斷場效應管 　　一、定性判斷MOS型場效應管的好壞先用萬用表R×10kΩ擋（內置有9V或15V其原因是人體幾個部位和電阻對場效應管起到偏置作用，使之進入飽和區。 　　（2）也可以用舌尖舔住柵極，現象同上。 　　場效應管有什麼作用還有怎樣來測量極性和判斷好壞，放大倍數等場效應管的作用 　　1、場效應管可應用於放大。由於場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
  • MOS場效應管逆變器自製
    這裡介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管。　　由於方波信號發生器輸出的振蕩信號電壓最大振幅為0~5V，為充分驅動電源開關電路，這裡用TR1、TR2將振蕩信號電壓放大至0~12V。如圖3所示。
  • 場效應管和晶閘管的區別
    場效應管包括結型場效應管JFET和金屬-氧化物半導體場效應管MOSFET。而晶閘管一般是指可控矽，可控矽按照導通方向可以分為單向可控矽SCR和雙向可控矽Triac。 什麼是場效應管 這裡主要介紹MOSFET。MOSFET有三個電極，分別為柵極G、源極S和漏極D，其中柵極G為控制端，源極S和漏極D為輸出端。從半導體的構成方面可以分為NMOS和PMOS。
  • 場效應管的識別與檢測
    按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。注意安裝的位置要儘量避免靠近發熱元件；為了防止管件震動，有必要將管殼體緊固起來。 （6）對於功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用。必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過其額定值。使器件長期、穩定、可靠地工作。