2020年5月20日，由先導薄膜材料(廣東)有限公司研發生產的G4.5代線鑭系稀土摻雜金屬氧化物（Ln-IZO）靶材成功交付給華星光電,該靶材基於華南理工大學發明的薄膜電晶體用高遷移率稀土摻雜氧化物半導體材料，是新一代的TFT半導體溝道層材料，其先進的性能可滿足未來超高清顯示、柔性顯示對溝道層材料的應用需求。
先導薄膜材料（廣東）有限公司董事長朱劉先生（左）與華南理工大學曹鏞院士團隊骨幹徐苗博士（右）
在靶材交付現場
屬氧化物半導體因具備遷移率良好、穩定性高、均勻性高、製造成本低等優點，被認為是可能取代矽基薄膜電晶體的新一代溝道層半導體材料。在平板顯示領域，特別是在超高清，柔性顯示以及印刷顯示等新型顯示技術方面具有巨大的應用潛力。現階段，IGZO材料作為最早被研究的金屬氧化物半導體材料，在國際上已經被LG，SHARP，以及Apple等多家公司產品化。但是，現在IGZO的原始材料專利以及靶材供應均被日本和韓國公司掌握。目前，在國內對金屬氧化物半導體材料的基礎研究相對較少，對高遷移率和高穩定性的氧化物半導體濺射靶材製造研究更少。在當前環境下，扭轉靶材依賴進口的局面，開發具有自主智慧財產權可產業化的優良氧化物靶材是必然任務。
針對此現狀，2019年，在廣東省科技廳的組織下，特別得到廣東省「電子信息關鍵材料」重點研發計劃的支持，先導薄膜材料（廣東）有限公司與華南理工大學、廣州新視界光電科技有限公司、深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司、廣東省半導體產業技術研究院聯手組建了從基礎研究到產品應用端的產學研用技術團隊。團隊以華南理工大學發光材料與器件國家重點實驗室曹鏞院士團隊所開發的新型稀土摻雜金屬氧化物靶材（Ln-IZO）技術為基礎，以先導薄膜的靶材開發與量產製備技術為核心，結合材料基礎研究、TFT器件工藝技術，開展了「薄膜電晶體用高遷移率氧化物半導體濺射靶材研究及應用」項目。經過反覆研發測試，開發出此G4.5的Ln-IZO靶材，交付華星光電上線使用，此為該項目的第一個重要成果。
Ln-IZO靶材摒棄傳統基於IGZO的多元摻雜體系，採用In2O3或SnO2等高遷移率氧化物半導體作為基體材料，可有效替代非晶矽及多晶矽及IGZO材料，在保證穩定性的同時，確保高遷移率的優勢，可實現器件的高解析度、高響應速度、低能耗、低噪音，有效突破TFT器件關鍵材料技術，改善智慧財產權被動局面。
先導薄膜材料（廣東）有限公司作為項目牽頭方，結合各單位特點，充分發揮各自的優勢資源，在顯示材料領域進行深度合作，在科技廳的支持下將繼續完善自有智慧財產權的金屬氧化物靶材量產化開發，為建設完整新型顯示領域關鍵材料產業鏈添磚加瓦。