7月15日消息 作為計算機內存發展的重要裡程碑，今天，JEDEC固態技術協會發布了下一個主流內存標準DDR5 SDRAM的最終規範。DDR5是DDR標準的最新迭代，DDR5再次擴展了DDR內存的功能，將峰值內存速度提高了一倍，同時也大大增加了內存容量。基於新標準的硬體預計將於2021年推出，先從伺服器層面開始採用，之後再逐步推廣到消費者PC和其他設備。
外媒anandtech報導，和之前的每一次DDR迭代一樣，DDR5的主要關注點再次放在提高內存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍，最高內存速度將達到6.4Gbps，而單條LRDIMM的容量最終將能夠達到2TB，最大UDIMM容量為128 GB。同時，還有一些較小的變化，以支持這些目標或簡化生態系統的某些方面，如on-DIMM電壓調節器以及on-die ECC。
更大：更密集的內存和晶片堆疊
首先是容量和密度，因為這是與DDR4相比最直接的標準變化。IT之家了解到，DDR5將允許單個內存晶片的密度達到64Gbit，比DDR4的16Gbit密度最大值高出4倍。再加上Die堆疊，最多允許8個Die堆疊為一個晶片，那麼40個元件的LRDIMM可以達到2TB的有效內存容量。或者對於更簡陋的無緩衝DIMM來說，這將意味著最終會看到DIMM容量達到128GB的典型雙列配置。
當然，當晶片製造趕上規格所能允許的範圍時，DDR5規格的峰值容量將用在標準生命周期的後期，首先，內存製造商將使用當今可達到的密度8Gbit和16Gbit晶片來構建DIMM。因此，雖然DDR5的速度提升相當直接，但隨著製造密度的提高，容量的提升將更加緩慢。
更快：一個DIMM，兩個通道
DDR5再次提高了內存帶寬。每個人都希望獲得更高的性能（尤其是在DIMM容量不斷增長的情況下），這也是這次DDR5提升的重點。
對於DDR5來說，JEDEC希望比通常的DDR內存規範更積極地開始工作。通常情況下，新的標準是從上一個標準的起點開始的，例如DDR3到DDR4的過渡，DDR3正式停止在1.6Gbps，DDR4從那裡開始。然而對於DDR5來說，JEDEC的目標要高得多，預計將以4.8Gbps的速度推出，比DDR4 官方3.2Gbps最高速度快了50%左右。而在之後的幾年裡，當前版本的規範允許數據速率達到6.4Gbps，比DDR4的官方峰值快了一倍。
這些速度目標的基礎是DIMM和內存總線的變化，以便在每個時鐘周期內提供和傳輸更多數據。對於DRAM速度來說，最大的挑戰來自於DRAM核心時鐘速率缺乏進步。專用邏輯仍然在變快，內存總線仍然在變快，但支撐現代內存的基於電容和電晶體的DRAM時鐘速度還不能超過幾百兆赫。因此，為了從DRAM Die中獲得更多的收益--維持內存本身越來越快的假象，並滿足實際速度更快的內存總線--已經需要越來越多的並行性。而DDR5則再次提升了這一要求。
這裡最大的變化是，與LPDDR4和GDDR6等其他標準情況類似，單個DIMM被分解為2個通道。DDR5將不是每個DIMM提供一個64位數據通道，而是每個DIMM提供兩個獨立的32位數據通道（如果考慮ECC因素，則為40位）。同時，每個通道的突髮長度從8個字節(BL8)翻倍到16個字節(BL16)，這意味著每個通道每次操作將提供64個字節。那麼，與DDR4 DIMM相比，DDR5 DIMM以兩倍的額定內存速度（核心速度相同）運行，將在DDR4 DIMM提供的操作時間內提供兩個64位元組的操作，使有效帶寬增加一倍。
總的來說，64位元組仍然是內存操作的神奇數字，因為這是一個標準緩存線的大小。如果在DDR4內存上採用更大的突髮長度，則會導致128位元組的操作，這對於單條高速緩存線來說太大，如果內存控制器不想要兩條線的連續數據，充其量也會導致效率/利用率的損失。相比之下，由於DDR5的兩個通道是獨立的，一個內存控制器可以從不同的位置請求64個字節，這使得它更符合處理器的實際工作方式，並避免利用率的損失。
對標準PC臺式機的淨影響是，取代了DDR4系統模式，即2個DIMM填滿2個通道進行2x64bit設置，而DDR5系統的功能將是4x32bit設置。
這種結構上的變化在其他地方有一些連鎖效應，特別是要最大限度地提高這些小通道的使用率。DDR5引入了更細粒度的Bank存儲體刷新功能，這將允許一些k存儲體在其他使用時進行刷新。這就能更快地完成必要的刷新（電容補給）、控制延遲、並使未使用的存儲庫更快可用。存儲體組的最大數量也從4個增加到8個，這將有助於減輕順序內存訪問的性能折扣。
快速總線服務：決策反饋均衡化
相比之下想辦法增加DRAM DIMM內的並行化量，提高總線速度既簡單又困難：概念簡單，執行起來比較難。最後要想讓DDR的內存速度提高一倍，DDR5的內存總線需要以兩倍於DDR4的速度運行。
為了實現這一目標，DDR5有幾項改變，但令人驚訝的是，並沒有對內存總線進行任何大規模、根本性的改變，如QDR或差分信令。相反，JEDEC及其成員已經能夠通過略微修改的DDR4總線來實現他們的目標，儘管它必須在更嚴格的公差下運行。
這裡的關鍵驅動力是引入決策反饋均衡（DFE）。在很高的層次上，DFE是一種通過使用內存總線接收器的反饋來提供更好的均衡，從而降低符號間幹擾的手段。而更好的均衡，又可以讓DDR5的內存總線以更高的傳輸速率運行所需的更乾淨的信令，而不至於發生故障。同時，標準中的一些較小的變化也進一步幫助了這一點，例如增加了新的和改進的訓練模式，以幫助DIMM和控制器補償內存總線上的微小時序差異。
更簡單的主板，更複雜的DIMM：On-DIMM電壓調節
在核心改變密度和內存速度的同時，DDR5也再次改善了DDR內存的工作電壓。在規格上DDR5的工作電壓Vdd將從DDR4的1.2v降至1.1v。這應該會提高內存相對於DDR4的能效，儘管到目前為止，功耗的提升並沒有像DDR4和更早的標準那樣被大力推廣。
JEDEC還利用DDR5內存標準的推出，對DIMM的電壓調節方式進行了相當重要的改變。簡而言之，電壓調節將從主板轉移到單個DIMM上，讓DIMM負責自己的電壓調節需求。這意味著DIMM現在將包括一個集成的電壓調節器，這適用於從UDIMMs到LRDIMMs的所有產品。
JEDEC將此稱為「隨用隨付」的電壓調節，旨在通過它來改善/簡化DDR5的幾個不同方面。最重要的變化是，通過將電壓調節轉移到DIMMs本身，電壓調節不再是主板的責任。主板則不再需要為最壞的情況--比如驅動16個龐大的LRDIMM--簡化主板設計，並在一定程度上控制成本。當然，反過來說，它將這些成本轉移到了DIMM本身，但這樣一來，系統構建者至少只需要購買和DIMM一樣多的電壓調節硬體，因此也就有了PAYGO理念。
根據JEDEC的說法，On-DIMM穩壓器還將使一般的電壓容差更好，提高DRAM的良品率。
由於這些電壓調節器的實現細節將由內存廠商決定，所以JEDEC並沒有對其進行過多的說明。客戶端UDIMM和伺服器(L)RDIMM將有單獨的穩壓器/PMIC，以反映它們的功耗需求。
DDR5 DIMMs：依然是288個針腳，但改變了針腳布局
最後，正如早期廠商的原型產品已經廣泛展示的那樣，DDR5將保持與DDR4相同的288個引腳數。這反映了DDR2到DDR3的過渡，其中的引腳數也保持在240個引腳。
然而，不要指望在DDR4插槽上使用DDR5 DIMM。雖然引腳數量沒有改變，但引腳布局卻發生了變化，以適應DDR5的新特性--尤其是其雙通道設計。
這裡最大的變化是命令和地址總線被縮小和分區，引腳被重新分配到第二個內存通道的數據總線上。DDR5將不再是單一的24位CA總線，而是有兩個7位CA總線，每個通道一個。當然，7位遠遠不到舊總線的一半，所以對於內存控制器來說，換來的事情變得更加複雜。
現在開始採樣，未來12-18個月內採用
和其他JEDEC規範發布一樣，今天是開發委員會將標準放給成員使用。各大內存廠商從一開始就參與了DDR5的開發過程，他們已經開發出了DIMM的原型，現在正在考慮將第一個商用硬體推向市場。
預計DDR5整體採用曲線將與早期的DDR標準相似。也就是說，JEDEC預計DDR5將在12到18個月內隨著硬體的最終確定而開始出現在設備中，並逐步增加。他們預計伺服器將再次成為早期採用的驅動力，尤其是主要的超大規模廠商。英特爾和AMD都沒有正式宣布將使用新內存的平臺，但目前這只是時間問題。
同時，預計DDR5的生命周期將和DDR4一樣長，甚至更長一些。DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期，DDR5也應該享有同樣程度的穩定性。目前JEDEC認為，DDR5最終會比DDR4擁有更長的保質期，這得益於技術產業的不斷成熟。