三極體各極的含義和辨別方法 淺談三極體各極判別方法

三極體各極的含義和辨別方法 淺談三極體各極判別方法

工程師譚軍 發表於 2018-08-15 19:06:33

三極體是電路中最基本的元器件，最主要的功能是電流放大和開關作用。

本文主要是關於三極體各極含義和識別方法，希望本文能對你有所幫助。

三極體

三極體顧名思義具有三個電極。二極體是由一個PN結構成的，而三極體由兩個PN結構成，共用的一個電極成為三極體的基極（用字母b表示）。其他的兩個電極成為集電極（用字母c表示）和發射極（用字母e表示）。由於不同的組合方式，形成了一種是NPN型的三極體，另一種是PNP型的三極體。三極體的種類很多，並且不同型號各有不同的用途。三極體大都是塑料封裝或金屬封裝，常見三極體的外觀，有一個箭頭的電極是發射極，箭頭朝外的是NPN型三極體，而箭頭朝內的是PNP型。實際上箭頭所指的方向是電流的方向。

電子製作中常用的三極體有90系列，包括低頻小功率矽管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標準封裝。在老式的電子產品中還能見到3DG6（低頻小功率矽管）、3AX31（低頻小功率鍺管）等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。我國生產的電晶體有一套命名規則，電子工程技術人員和電子愛好者應該了解三極體符號的含義。符號的第一部分「3」表示三極體。符號的第二部分表示器件的材料和結構：A——PNP型鍺材料；B——NPN型鍺材料；C——PNP型矽材料；D——NPN型矽材料。符號的第三部分表示功能：U——光電管；K——開關管；X——低頻小功率管；G——高頻小功率管；D——低頻大功率管；A——高頻大功率管。另外，3DJ型為場效應管，BT打頭的表示半導體特殊元件。

三極體各極的含義和辨別方法

中國半導體器件型號命名方法

半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、複合管、PIN型管、雷射器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：

第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極體、3-三極體

第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極體時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型矽材料、D-P型矽材料。表示三極體時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型矽材料、D-NPN型矽材料。

第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管（F《3MHz，Pc《1W）、G-高頻小功率管（f》3MHz，Pc《1W）、D -低頻大功率管（f《3MHz，Pc》1W）、A-高頻大功率管（f》3MHz，Pc》1W）、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-複合管、PIN-PIN型管、JG-雷射器件。

第四部分：用數字表示序號

第五部分：用漢語拼音字母表示規格號

例如：3DG18表示NPN型矽材料高頻三極體

國際電子聯合會半導體器件型號命名方法

德國、法國、義大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都採用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如矽、C -器件使用材料的Eg》1.3eV如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg《0.6eV如銻化銦、E-器件使用複合材料及光電池使用的材料

第二部分：用字母表示器件的類型及主要特徵。A-檢波開關混頻二極體、B-變容二極體、C-低頻小功率三極體、D-低頻大功率三極體、E-隧道二極體、 F-高頻小功率三極體、G-複合器件及其他器件、H-磁敏二極體、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極體、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關管、X-倍增二極體、Y-整流二極體、Z-穩壓二極體。

第三部分：用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序號。

第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數進行分檔的標誌。

除四個基本部分外，有時還加後綴，以區別特性或進一步分類。常見後綴如下：

1、穩壓二極體型號的後綴。其後綴的第一部分是一個字母，表示穩定電壓值的容許誤差範圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其後綴第二部分是數字，表示標稱穩定電壓的整數數值；後綴的第三部分是字母V，代表小數點，字母V之後的數字為穩壓管標稱穩定電壓的小數值。

2、整流二極體後綴是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。

3、晶閘管型號的後綴也是數字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。

如：BDX51-表示NPN矽低頻大功率三極體，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極體。

三極體各極判別方法

三極體有PNP型和NPN型，它們都有三個極，分別為發射極e，基極b，集電極c。在實際維修過程中，往往需要判斷三極體的好壞，並對壞管進行更換。因此快速而準確地判斷出三極體的三個電極是非常重要的。

一、用指針萬用表測穿透電流法，判斷發射極、集電極

先用指針萬用表找到三極體的基極並判斷出它的型號。（參見筆者上一篇文章《快速判斷三極體是NPN型還是PNP型的方法》），然後就可以採用測集電極--發射極穿透電流的方法來確定發射極和集電極。

1、 對於NPN型三極體，先用黑表筆（內接表內電池正極）、紅表筆（內接表內電池負極）測量發射極和集電極這兩個極間的正方向電阻Rce，然後顛倒表筆測量反向電阻Rec。仔細觀察萬用表指針的偏轉角度就會發現，在兩次的測量中會有一次偏轉角度較大。正常三極體極間正向電阻Rce一般在幾十千歐以上，反向電阻Rec一般在幾百千歐以上。

我們就選用偏轉角度大的那次，偏轉角度大意味著電阻小，此時電流的流向是：黑表筆--c極--b極--e極--紅表筆，電流的流向與三極體符號中的箭頭方向一致。（三極體符號中的箭頭方向形象地反映了實際中電流的流向。）據此可判斷這時黑表筆接的是集電極c，紅表筆接的是發射極e。

2、 對於PNP型的三極體，判斷方法類似NPN型，選取指針偏轉角度大的那次，此時其電流流向是：黑表筆--e極--b極--c極--紅表筆，電流的流向同三極體符號中的箭頭方向一致。表明黑表筆接的是發射極e，紅表筆接的是集電極c。

二、 數字萬用表hFE插孔檢測，判斷三極體發射極、集電極

hFE是三極體的直流電流放大係數。在判斷出三極體基極b和管型的基礎上，把數字萬用表的轉換開關旋轉至hFE位置。

若被測三極體是PNP型管，則將管子的各個引腳插於PNP插孔相應的插孔中，（若被測三極體是NPN型管，則將管子的各個引腳插於NPN插孔相應的插孔中。）此時顯示屏就會顯示出被測三極體的hFE值。

將c極、e極對調後，再看hFE值。將兩次測得的hFE值進行比較，數值大的說明管腳插對了。然後根據萬用表hFE插孔上標註的三極體字母符號E、B、C，相對應地判斷三極體電極哪個是發射極e，哪個是集電極c就可以了。

半導體三極體的好壞檢測

a.先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位

b.測量PNP型半導體三極體的發射極和集電極的正向電阻值。

紅表筆接基極，黑表筆接發射極，所測得阻值為發射極正向電阻值，若將黑表筆接集電極（紅表筆不動），所測得阻值便是集電極的正向電阻值，正向電阻值愈小愈好。

c.測量PNP型半導體三極體的發射極和集電極的反向電阻值。

將黑表筆接基極，紅表筆分別接發射極與集電極，所測得阻值分別為發射極和集電極的反向電阻，反向電阻愈小愈好。

d.測量NPN型半導體三極體的發射極和集電極的正向電阻值的方法和測量PNP型半導體三極體的方法相反。

結語

關於三極體各極的介紹就到這了，關於三極體的各極可探討的地方還有很多，在本文就不再贅述了，如有不足之處歡迎指正。

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