每一年，我們都希望行動裝置的速度有大幅提升、同時能源效率也變得更高。相信很人都會把關注點放在更快的處理器、更多的RAM、更大的內部存儲、以及更高容量的電池上，但卻忽略了某些不起眼的地方——比如存儲性能。作為行動裝置的「硬碟」，廠家似乎不願多談。但是對於較真的人們來說，熱門Android手機和iPhone之間，又可以拉出多大的差距呢？
外媒AnandTech特地對包括iPhone 6s Plus、三星Galaxy S7 / S6 / S6 edge S5、小米Note Pro、華為P8 / Mate 8 / 榮耀5X、LG G4、Google Nexus 5X / 6P在內的十餘款設備進行了磁碟性能測試。
令人驚訝的是，在內部快閃記憶體順序讀寫測試中，iPhone 6s Plus均遠遠高於其它Android競爭對手。
持續寫入測試中，排名前三的分別為iPhone 6s Plus（163.20 MB/s）、三星Galaxy S7（64.49 MB/s）、以及Galaxy S6 / S6 edge（並列40.69 MB/s）。
在順序讀取測試中，排名前三的也是這幾個，其中iPhone 6s Plus的成績為402.35 MB/s、三星Galaxy S7為 233.27MB/s、Galaxy S6 / S6 edge並列 208.69MB/s。
iPhone 6s之所以這麼快（相較於iPhone 6），是因為蘋果改變了內存的處理方式。根據AnandTech的詳細所述，蘋果選用了在MacBook SSD上創下驚人速度的主控，在將之改造後塞進了智能機中。
此外，報導還提到iPhone 6s採用了定製NAND快閃記憶體和NVMe協議，而不是UFS或傳統的eMMC。iPad Pro、iPhone SE等2015款機型，也都使用了相同的存儲類型。
在測試中，蘋果的存儲解決方案，輕鬆擊敗了搭載UFS 2.0快閃記憶體的Galaxy S6系列，即使後者已經算是相當快了。
【補充】2月份的時候，三星宣布其UFS 2.0技術變得更快、容量也提升到了256GB —— 順序讀取可達850MB/s、持續寫入也有260MB/s。
遺憾的是，在AnandTech的測試中，該公司最新款的Galaxy S7和Galaxy Note 7都沒能打破iPhone 6s創下的記錄。
在本周舉辦的「2016移動與物聯網論壇」上，三星提到了UFS存儲對於4K/8K/VR內容的意義。Cho Hee-chang預計，到2020年的時候，聯網設備數量會達到500億左右。
Galaxy S和Galaxy Note等產品上使用的UFS 2.0和UFS 2.1內置存儲（其理論速度可達1.2GB/s），將於2018上半年提升至2.4GB/s。
此外，三星還希望將UFS card v1.0（最新的microSD外置存儲產品）的速度翻倍，從此前的600MB/s、提升到USF card v2.0的1.2GB/s。