功率半導體器件商宏微科技IPO獲受理 募資5.58億投入電力器件項目

2020-12-26 東方財富網

原標題：功率半導體器件商宏微科技IPO獲受理 募資5.58億投入電力器件項目

　　12月22日，上交所正式受理了江蘇宏微科技股份有限公司提交的科創板上市申請，保薦機構為民生證券，擬募資5.58億元，用於投建新型電力半導體器件產業基地項目、研發中心建設項目、償還銀行貸款及補充流動資金項目。

　　招股書顯示，宏微科技從事IGBT、FRED為主的功率半導體晶片、單管、模塊和電源模組的設計、研發、生產和銷售，並為客戶提供功率半導體器件的解決方案。

　　宏微科技官網也顯示，其業務範圍主要包括：1、設計、研發、生產和銷售新型電力半導體晶片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT晶片、分立器件、標準模塊及用戶定製模塊(CSPM)；2、高效節能電力電子裝置的模塊化設計、製造及系統的解決方案，如動態節能照明電源、開關電源、UPS、逆變及變頻裝置等。

　　IGBT是工業控制及自動化領域的核心元器件，屬於國家戰略高新技術及核心關鍵技術。

　　據悉，宏微科技目前已具備並掌握先進的IGBT、FRED晶片設計能力、工藝設計能力、模塊的封裝設計與製造能力、特性分析與可靠性研究能力、器件的應用研究與失效分析能力。宏微科技在IGBT、FRED等功率半導體晶片、單管和模塊的設計、封裝和測試裝等方面積累了不少的優秀核心技術，其中晶片領域的核心技術主要包括微細溝槽柵、多層場阻斷層、虛擬元胞、逆導集成結構等IGBT晶片設及製造技術；軟恢復結構、非均勻少子壽命控制技術等FRED晶片設計及製造技術；高可靠終端設計等高壓MOSFET晶片設計及製造技術等。宏微自主研發設計的晶片是宏微科技模塊產品具有高性價比的主要競爭力之一。

　　募資5.58億，投建電力半導體器件項目等

　　招股書顯示，宏微科技擬募資5.58億元，投建於新型電力半導體器件產業基地項目、研發中心建設項目、償還銀行貸款及補充流動資金項目。宏微科技稱，本次募集資金投資項目均系圍繞公司主營業務與核心技術進行。

截圖自宏微科技招股書

　　「新型電力半導體器件產業基地項目」主要系在現有技術和現有工藝基礎上通過擴充生產線，通過配置高性能的生產硬體設備和自動化設備，並引入製造企業生產過程執行管理系統等……為高端IGBT產品的生產奠定基礎，以更好地滿足下遊客戶的需求。

　　「研發中心建設項目」主要圍繞「新能源領域的IGBT晶片與封裝技術」、「高電流密度、大功率IGBT晶片與模塊」、「SiC功率器件」、「用戶定製模塊」等研發方向，購置先進研發設備、測試儀器及專業軟體，引進高素質的研發技術人才，進行多個前沿方向的研發……研發中心建成後……(宏微科技)能夠同時進行晶片和模塊方向多個項目的研發，提高研發效率，增強核心技術競爭力。

　　宏微科技還聲稱，現已掌握核心的IGBT、FRED晶片設計、製造、測試及可靠性技術，開發出IGBT、FRED晶片及單管產品100餘種，IGBT、FRED、整流橋及晶閘管等模塊產品400餘種，電流範圍從3A到1000A，電壓範圍從60V到2000V，產品類型齊全。

（文章來源：OFweek）

(責任編輯：DF537)

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