功率半導體:何以吸引資金反覆炒作?

2020-12-23 新浪財經

來源:新浪財經

文/理邏 邱妍芳(實習生)

自今年以來一路高歌猛進的功率半導體次新股近日出現「集體跳水」的一幕。12月15日,國產IGBT模塊領軍者斯達半導以及主營業務為MOSFET、IGBT的次新大牛股新潔能雙雙跳水觸及跌停,此外跌幅超過5%的還有華潤微、立昂微、芯朋微等功率半導體次新股。受此影響,當日半導體模塊領跌兩市,下挫1.54%。

不過,相關上市公司下跌後並未阻擋場外人士重新入場的信心。12月16日至21日,斯達半導反彈4.11%,華潤微反彈2.85%,士蘭微反彈6.45%。

此外,大部分賣方機構對功率半導體行業也仍持樂觀態度。中泰證券、國海證券分別對斯達半島、新潔能給予百倍PE估值和「增持」「買入」評級。開源證券分析稱,近日出現的較大跌幅與行業基本面無關,無需擔憂。

有行業人士認為,功率半導體次新股此次集體下跌,一個可能的因素是市場對「重複訂單」的擔憂。2020年,5G基站建設、海外疫情帶動宅經濟持續、地緣政治事件頻發等因素,導致新能源汽車、消費電子、通信、工控等多個功率半導體終端市場需求高漲,加上海外疫情影響半導體產品的全球供應,以及8英寸晶圓產能擴張極為有限,目前國內功率半導體廠商訂單飽滿、產能維持高位,市場供不應求。全產業鏈產能緊張造成多個領域廠商為加緊備貨、搶佔市場份額而重複下單,因此,後續下單有可能回落,市場有望回歸此前水平。

功率半導體屬於半導體大行業中的一個重要細分領域,是電能轉換和電路控制的核心器件。功率半導體可分為功率IC和功率分立器件兩個大類。功率IC是把控制電路和大功率器件都集成在同一塊晶片上的高度集成電路。功率分立器件主要包括二三極體、晶閘管和電晶體;電晶體是分立器件的主要組成部分,細分產品包括雙極型電晶體、MOSFET和IGBT。IHS預測認為,MOSFET和IGBT將是未來5年增長最強勁的半導體功率器件。

據IHS數據,2019年全球功率半導體市場規模達到403億美元,同比增長3.3%,預計2021年市場規模將達到441億美元。中國功率半導體市場佔全球的36%,為單一最大市場。市場普遍認為未來中國功率半導體將繼續保持較高速增長,IHS預計2021年中國市場規模有望達到 159億美元。

目前功率半導體主要應用領域包括新能源汽車、可再生能源發電、工業和自動化、儲能、數據中心和伺服器、消費類電子產品/白色家電。

首先,新能源汽車用功率半導體市場將成為增長最快的細分領域。麥肯錫預計,2030年時電動車將佔據50%的新車市場。新能源汽車相比傳統燃油車將消耗更多的半導體,其中功率半導體是最大增量,且電動化程度越高,功率半導體用量越大。

從器件類型來看,IGBT將是最主要的需求增長來源。Yole預計2022年新能源汽車用IGBT市場規模達20.6億美元,2016-2022 CAGR為16%;同時,新能源汽車佔IGBT所有下遊應用市場的比例將在2022年增至37%,躍居IGBT第一大應用領域。近日,華為投資SiC外延片生產商瀚天天成標誌著華為入局電動汽車充電樁產業鏈,此舉也是華為出於發展自製IGBT業務的需求考量。

第二,工業控制及新能源發電將帶動功率半導體需求穩定提升。疫情結束後,工控市場快速增長,2020年Q3市場規模達到172億元,同比增長19.6%,增速達歷史新高。受蘋果產業鏈、智能穿戴、5G相關產業帶動,2020年前三季度中國工業機器人市場出貨量45,695臺,同比增長10%。工業機器人和智能化工具機都依賴於IGBT等功率半導體提供穩定高效的電能輸出。同時,IGBT也是光伏逆變器最重要的電子部件。中金公司預計2020年世界範圍內光伏新增需求回暖,光伏裝機容量持續上升,帶動光伏逆變器和相關IGBT模組需求穩定提升。

第三,消費電子及白色家電領域應用將依託國內消費市場實現進一步發展。手機快充興起,GaN-MOSFET器件需求將大幅增加。據奧海科技招股書測算,快速充電器中半導體材料成本佔比約為12%,預計2022年全球快充功率半導體市場空間約為118.32億元。與此同時,家電變頻化趨勢將帶動核心器件功率半導體需求增加。家電變頻是功率半導體改變家電的供電頻率,從而調節負載,起到降低功耗的作用。據中金研究部資料,2018年中國內銷空調出貨量中,變頻空調滲透率 58%,功率半導體在變頻家電領域仍有很大拓展空間。

然而,從行業競爭格局來看,海外大廠依然在功率半導體供應方面佔據主導地位。WSTS數據顯示,2019年全球排名前十的功率半導體企業大多來自於美國、歐洲和日本,包括英飛凌、安森美、意法半導體、三菱電機等,佔有全球60%的市場份額。國內市場方面,海外大廠同樣佔據主導地位,市場前五大供應商均來自海外,合計市場份額為42%,英飛凌憑藉14%的市佔率位居首位。從收入規模來看,中國企業還未能與海外前十大功率半導體廠商構成競爭。

同時,國內在功率半導體高端器件供應上與海外廠商仍然存在差距。中金公司在研報中指出,從功率半導體的細分領域來看,目前國內功率半導體企業僅在二極體、晶閘管領域開始廣泛替代,而在價值量最大的MOSFET、IGBT上則與國外企業存在較大差距。據IHS數據,國內 MOSFET器件僅英飛凌、安森美兩家企業就佔據45.3%的市場份額,前五廠商中僅有華潤微一家中國公司;在IGBT方面,據ASMC披露,我國90%以上IGBT產品需要進口。

面對海外廠商佔據主導的競爭格局和產品競爭力仍然落後的競爭局面,本土功率半導體生產商是否具備完成國產替代的能力呢?

目前行業內人士普遍認為,功率半導體的國產替代勢在必行,並有望成為國產替代進度最快的細分領域之一。首先,從技術層面看,功率半導體技術難度相對較低,迭代更新頻率相對緩慢,給予了國內廠商有利的追趕契機。據開源證券介紹,和邏輯晶片已進入納米級別不同,功率器件光刻精度在微米和亞微米級別,國內晶圓代工資源相對較為豐富,並且有相當一部分廠商有資金和技術實力自建功率晶片晶圓產線,以IDM模式運行。例如,士蘭微與廈門半導體集團共同投建的2條12英寸90-65納米生產線,技術已處於國際領先水平,而單條生產線平均投資不超過100億人民幣。

其次,從行業屬性層面看,功率半導體不依賴於先進位程,卻對產業鏈配套要求更高。國元證券發布研報指出,功率半導體不需要追趕摩爾定律,更加倚重製程工藝、封裝設計和新材料迭代。目前,MOSFET/IGBT等晶片設計架構基本已經成型,本土企業具備充分能力持續追趕海外廠商。同時,國內產業鏈配套齊全,製造和封測環節處於國際先進,材料和設備剛需國產化難度低。

再者,地緣政治和政策環境因素也將助力國內功率半導體企業走上發展快車道。今年由於中美貿易摩擦、美國對華企業制裁等,致使國內企業將供應商轉向本土,為本土功率半導體廠商帶來發展機遇。SolarEdge 數據顯示,2018 年,華為在全球光伏逆變器市場的份額達22%,市佔率位列全球第一,本土廠商有望切入華為供應鏈進一步打開市場。

目前,已有本土功率半導體廠商在部分產品上的技術水平已經達到國際領先標準。在家電、消費電子、工業等相對容易進行國產替代的領域,國產器件正在加速量產供應。MOSFET方面,根據IHS數據,2018年華潤微電子以近9%的市場份額排名國內市場第三,僅次於英飛凌和安森美。華潤微、聞泰科技、華虹的MOSFET產品均貢獻了10億元以上收入,相較於英飛凌中國區MOSFET收入52億元已具備一定競爭力。IGBT方面,2018年斯達半導市佔率上升至全球第八、國內第一。晶閘管方面,捷捷微電在家電、照明等領域初步實現進口替代,2019年全國市佔率達45%。

然而在車用領域,根據中金公司調研,目前僅中車時代功率半導體產品開始應用於乘用車,其餘大部分廠商車用產品仍只應在充電樁、充電槍等周邊部件,或是處於驗證階段。對此,一位機構投資者表示,面對技術要求最高、渠道整合難度最大的乘用車領域,我國功率半導體生產商尚不具備全面國產替代的能力。

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