圖片來源@視覺中國
文 | 財經無忌，作者 | 月落烏堤
對胡正明來說，梁孟松可以說是他最得意的弟子，是梁孟松將他的技術實現真正的應用；
對蔣尚義而言，梁孟松可能是他最好的技術搭檔，也是其最大的競爭對手；
對於整個臺積電，梁孟松是十七年元老功臣，是技術奠基人之一，也是技術叛將；
對於三星電子的晶圓代工，梁孟松則是其發展的技術巨擘，支撐起了三星的代工之夢；
而在中芯國際，梁孟松則是真正衝擊先進位程的舵手。
而今，一則人事任命，一封辭職函，將這個背負太多標籤的老人，又一次從幕後推到前臺。
起於AMD
1987年4月，AMD向英特爾發起了一場關於X86架構智慧財產權的訴訟，訴訟的原因是，英特爾單方面撕毀了雙方在1876年達成的一項關於專利授權的長期協議，這份協議，涉及到英特爾與AMD之間關於X86架構的專利，或者可以直接說，涉及到AMD採用英特爾的X86架構來設計處理器。
在發起這場訴訟的兩年前（1985年），AMD啟動了一項名為「自由晶片」的計劃，這一計劃的目的，就是要打破英特爾對於X86架構的壟斷，從而使X86架構的使用者能更方便的利用其專利及指令。然而在該計劃啟動後，英特爾便與AMD反目，此時的英特爾，才揮淚將自家的DRAM部門砍掉，宣布退出DRAM市場，力求自保的英特爾，當然不願意讓自己的核心技術被AMD吃掉。
AMD的訴求是要求法院判定英特爾撕毀協議違約，AMD方面將繼續使用並更新基於X86架構的伺服器。今天，幾乎所有的消費者都知道，在桌面級處理器方面，僅有英特爾與AMD兩家，而AMD爭取到的市場地位，從智慧財產權的角度看，起始於1987年的這次訴訟。
也是在1987年，中國的寶島臺灣，一家專注於晶片代工的企業在工研院的主導下成立，這家公司，便是日後大名鼎鼎的臺積電。
1991年，在與英特爾的官司還沒有結束的情況下，AMD率先推出了新一代基於X86架構下迭代的處理器：AM386，同時期，英特爾的80386也已經推向市場。在AMD「自由晶片」的計劃中，另外一個方向就是快閃記憶體，在AMD的存儲器研發團隊中，有一個來自於加州大學柏克萊分校的博士：梁孟松。
1992年2月，AMD在對英特爾的訴訟中獲得勝利，與之一併獲得的，是基於X86架構的晶片的生產權利，包括已經推出的AM386。但是，他們的快閃記憶體，還在緊鑼密鼓的研發之中。
梁孟松沒有等到1993年4月，AMD快閃記憶體的量產，在贏得訴訟後不久，梁孟松便離開了AMD。他要去的，是遠在臺灣剛剛成立了「光照電子束作業部門」的臺積電，這個部門，是臺積電整個技術的核心。此時的臺積電，最先進的晶圓二廠B投產，但是還在為獲得英特爾的訂單而努力。
技術立身轉投臺積電
在回臺之前，梁孟松在AMD，已經取得了很大的技術成就，美國專利及商標局的資料顯示，梁孟松參與發明的半導體技術專利達181件之多，均為最先進和最重要的關鍵性基礎技術研究，有他署名、發表的國際性技術論文高達350餘篇。
帶著工程師、科學家的身份返臺的梁孟松，自然成為了臺積電技術研發的猛將。
1993年，臺積電通過了ISO9001認證，這是臺灣地區第一家獲得該認證的半導體公司。隨後不久，在英特爾這個最用心的老師的教導下，臺積電憑藉強大的執行力和張忠謀與時任英特爾CEO格魯夫的個人關係，成功獲得了英特爾落後製程的部分代工產能，這對於臺積電來說，是當時最大的進步，意味著「代工」這一環節，得到了晶片公司的認可，藉此，臺積電才真正的建立起這一細分市場。
之後的臺積電，在英特爾與IBM為首的美國高科技公司建立起來的技術壁壘下，緩慢生長，萎縮發育著。
在幾乎所有與晶片有關的技術中，基本上都是美國的原創性技術，IBM作為技術製造方面的巨頭，與以英特爾為首的IDM晶片公司，一同打造了第一代晶片製造的製程工藝，而依附在這一工藝之下的日本、韓國或者臺灣地區，本質上只是作為美國建立起來的技術壁壘中，發展了其中的一個環節，這些環節只是作為美國統治半導體行業的補充，這些方面，包括以臺積電為首的代工集體，包括臺聯電、力晶等。
在臺積電，梁孟松職位是工程師、資深研發處長，這一時期，他是臺積電近500個專利的發明人，這一數據遠多於其他研發部門的同時；而他本人則負責或參與了臺積電之後每一個代次製程工藝的研發，這些製程工藝的推進，是臺積電保持「製程領先」的基礎；同時，梁孟松是臺積電「新製程設備遴選委員會」之一，據外部猜測，這一組委會成員，非常穩定，是臺積電主要的決策層，人數從來不超過9人。
真正讓梁孟松揚名的，是130nm製程工藝的戰爭。
獲勝的製程戰爭
二十世紀90年代中期，在摩爾定律的發展中，以英特爾領頭的晶片業界普遍認為，以現有的半導體技術，如果嚴格遵循摩爾定律，那麼，半導體製程工藝發展到25nm節點時，將出現一個新的生產製造瓶頸。簡單說來，這個瓶頸就是製造技術上難以滿足25nm及以下製程工藝，以及後續的先進位程，均有可能得不到延續。
1998年，加州大學伯克利分校胡正明教授在美國國防部高級研究項目局（Defense Advanced Research Projects Agency，DARPA）的資助下，帶領自己的技術團隊，對CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體）電晶體工藝技術的拓展進行研究，他們研究的目的，是如何將電晶體的密度製程，提高到25nm。
胡正明教授在三維結構的MOS 電晶體基礎上，進一步提出了自對準的雙柵MOSFET結構（Double gate structure Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，雙柵金氧半場效電晶體）。
隨後，胡教授及其團隊成員發表了有關Fin FET電晶體（Fin Field-Effect Transistor，鰭式場效應電晶體）(1999年發布)和UTB-SOI技術（Ultra Thin body and BOX-Fully Depleted-silicon on insulator，UTBB-FD-SOI，超薄基體埋氧全耗盡絕緣層基矽）(2000年發布)，並於當年製造出來基於該技術的電晶體，它的柵長度只有 17nm，溝道寬度 20nm，鰭（Fin）的高度 50nm，這是全球第一個25nm以內的電晶體，胡正明實現了他們的研究目的。
這一技術的發明與應用，同時解決了電晶體漏電和動態功率耗損問題，使晶片內構由水平變成垂直向上發展，是40多年來半導體領域最大變革。最為主要的是，它解決了25nm及以下製程的製造，這個技術的突破，可以說一舉奠定了接下來二十年或者更長時間內晶片製造行業的基礎。
與此同時，在2000年前後，由英特爾與IBM主導的晶片製造技術，也在這一階段前後，獲得了突破。在從「鋁介質」轉向「銅介質」，從180nm向130nm製程突破中，IBM再次取得領先。
IBM試圖以銅介質的130nm製程作為籌碼，繼續統治整個晶片的製造環節，IBM最先找到的，是臺灣地區的兩大代工巨頭：臺積電與臺聯電。最終，臺聯電選擇了IBM的技術路線，並率先通過該技術，實現了130nm製程的量產。
而臺積電，則選擇了婉拒，他們要「技術自立」，就只能另起爐灶，正是這次婉拒，拉開了臺積電「製程領先」戰略的製程戰爭。
2001年，臺積電的COO是餘振華，他請來了Fin FET和UTB-SOI技術的發明人，胡正明博士，前來臺積電工作，胡正明成為了臺積電歷史上第一位CTO，在這裡，胡正明得以與他最得意的門生梁孟松一起共事，而胡正明，正是梁孟松的博士導師。
胡正明的到來，與梁孟松的合璧，使得臺積電在Fin FET和UTB-SOI技術的利用上，如虎添翼。他們引入了Low-K Dielectric（低介電質絕緣）技術，選擇直接跳過150nm，直接進入到130nm製程，最終，臺積電成功了。憑藉130nm製程的自主和量產，臺積電在先進位程中，實現了從落後以IBM為代表的大聯盟兩個代次，到並駕齊驅，之後，臺積電逐步將IBM及其身後的聯盟，逐步在之後的發展中實現領先。
2003年，臺積電以自主技術擊敗IBM，一舉揚名全球的130nm「銅製程」戰役，臺積電在胡正明的帶領下，獲得了巨大的成功。之後，參與這一技術研發，並接受行政院表彰的臺積電研發團隊中，當時負責先進模組的梁孟松排名第二，貢獻僅次於他的上司，資深研發副總蔣尚義。
這場表彰會上，並沒有胡正明的身影，不久之後，胡正明從「臺灣第一CTO」的位置上退下來，他選擇了回校任教，而他的學生梁孟松，則繼續為臺積電而努力。
2004年12月，臺積電發布使用浸潤式曝光（Immersion Lithography）技術，突破了90nm製程，浸潤式曝光技術，採用以水為介質的浸潤式曝光機，改寫了全球半導體產業。該技術的使用，使得摩爾定律（Moore’s Law）得以延續。
2005年，臺積電繼續往前推進位程領先，成功試產65nm製程，並於2006年成功通過65nm製程技術的產品驗證，並針對客戶需求率先推出低耗電量（Low Power）製程技術。之後，更迅速推出不同產品應用的65nm製程。
65nm製程技術是第三代同時採用銅製程及低介電質技術，與前一代次的90nm製程技術相較，其電晶體密度增為兩倍。
看起來，臺積電的一切都進行得順風順水，但是，一場人事風暴，馬上就要到來。
晉升失敗，讓位出走
2005年6月，張忠謀辭去臺積電CEO職務，將權杖交予其一手培養起來的接班人蔡力行，他自己則當起了臺積電的「精神領袖」，但是，幾乎所有人都知道，真正做決策的，依舊是他張忠謀。
2006年，加入臺積電9年，年滿60歲的蔣尚義，選擇了「退休」，但實際上是「接班」無望，選擇讓位。在接替餘振華做了一段時間的COO後，此時蔣尚義的職位還是研發副總，在臺積電是僅次於CEO的實權人物。
蔣尚義的退休，使臺積電出現了一定的權力真空，原本最被看好接替這一職位的人，是梁孟松。
與梁孟松一起競爭這一位置的，是同為技術處長的孫元成。
更令人想不到的是，真正接替蔣尚義的，是英特爾的技術研究發展的副總羅唯仁，羅唯仁的到來，一方面是臺積電被資本裹挾的結果，另一方面，這真的是一步臭棋。
為了使這步臭棋能走下去，臺積電設立了名為「Two in a Box」的研發策略，即設置兩個研發副總的職位，當人們以為另一個位置會是梁孟松的時候，孫元成卻成為了最後的人選，而梁孟松則被調任為基礎架構的專案處長。
梁孟松
這則調令，被認為是梁孟松後來離開臺積電的最大原因，因為梁孟松的技術研究，一直是臺積電引以為傲的「製程領先」。在梁孟松看來，半導體技術的發展、晶片製造環節的發展，先進位程將會是最為主要的發展方向，而梁孟松與其導師胡正明，一直是「摩爾定律」的信仰者。
要實現「先進位程」的理想，調去做基礎架構專案，對於梁孟松來說，這意味著「被棄用」，對於一個滿懷理想的科學家來說，棄用意味著結束，這是誰都無法面對和接受的。
梁孟松在後來回憶這段經歷的時候，這樣「哭訴」道：「大家都知道我被下放了，被冷落了，我也不敢再去員工餐廳，我怕見到以前的同事，以前的同事也怕見到我，我覺得非常丟人，沒臉見人，我對臺積電付出了那麼多，他們最後就這麼對我，把我安排去一個像冷宮一樣的辦公室。」
與梁孟松不同，蔣尚義一直是先進封裝（基礎架構）的擁護者之一。在進入中芯國際後，蔣尚義表示，其決定加入中芯國際的關鍵是，中芯國際有先進封裝的基礎，同時先進位程技術已經推進至14nm、N+1、N+2，能夠實現其在先進封裝和系統整合方面的夢想。他說：「我只是很單純的工程師，我有權利追求我的理想和事業的目標，尤其是技術上的理想。」
蔣尚義在退休後，對臺積電人事任命發表評論時說：「我相信他（梁孟松）有相當大的期望，我離開時，他（梁孟松）會是其中一個（研發副總）。」
即便沒有獲得自己想要的，但是梁孟松仍舊選擇了繼續在臺聯電效力。此時的臺積電，正在全力衝刺45nm製程，最終，臺積電在2007年，實現了45nm的量產，2008年，實現了40nm的量產。這兩個製程的突破，讓臺積電再次領先，並在金融危機前後，一舉奠定了全球第一的位置。
然而，技術的領先和推進，沒有給梁孟松帶來想要的結果，在臺積電推進32nm/28nm製程節點的重要時刻，梁孟松選擇了辭職。
2009年2月，梁孟松正式離開了工作了17年的臺積電。
在臺積電，梁孟松是真正的技術上的功臣元老，臺積電的「製程領先」戰略，離不開梁孟松「先進位程」的技術發展理念，這一理念，在後來梁孟松的工作中，一直是其信條。
張忠謀
四個月後，卸任四年的張忠謀，以78歲高齡，重新回到臺積電，擔任CEO。張忠謀的重新掌舵，說明臺積電遇到了發展的瓶頸，或者正處於某種危機之中。
這個危機，就是遲遲無法在32nm/28nm製程節點實現突破。
為了解決這個問題，張忠謀對退休三年的蔣尚義發出了邀請，邀請他回到臺積電，領導新成立的「技術研究發展組」，而這個組織，是為蔣尚義繼續領導研發部門量身定做的。
雖然蔣尚義跟隨張忠謀再次回歸，但是臺積電的32nm/28nm製程，依舊比預計的時間節點，晚了一年多才量產，原本計劃在2009年年底的節點，硬生生地推遲到了2011年年中。
外界認為，梁孟松的辭職，是導致臺積電在這一製程研發的時間節點上，出現推遲的直接原因。
而張忠謀召回蔣尚義，目的之一就是接替梁孟松的工作，繼續推進這一製程的研發工作，為了讓已經「退休」的蔣尚義回來有一個冠冕堂皇的理由，臺積電甚至處心積慮地設置了這樣一個辦公室。
投奔三星，成就地位
2009年8月，就在張忠謀召回蔣尚義的同時，梁孟松選擇了離開，他的目的地，是韓國，去韓國還有一個原因，就是他韓裔妻子、同為半導體工程師的召喚。他到韓國後，其公開的身份是：成均館大學教授。
對於這個大學，公開信息所顯示，是三星集團的直屬大學。
但是梁孟松真正任教的地方，是三星集團內部的企業培訓大學——三星半導體理工學院（SSIT）。而梁孟松所教授的學生，無一例外，都是三星集團高級的半導體資深工程師。
梁孟松並沒有馬上入職三星集團的原因，與臺積電的競業協議不無關係，離職後，梁孟松告知張忠謀，其將回「國立清華大學」，並陪伴雙親，為了使梁孟松離職後不去其他競爭對手那裡工作，臺積電給所有臺積電離職的高級技術工人，都附加了「金手銬」條款：約定將股票紅利的50％交給臺積電的境外公司保管，辭職後兩年內若為競爭者工作，視為放棄未發放股票。
在梁孟松離職時，再度籤約確認了「金手銬」條款。在臺積電17年，梁孟松薪資及股票及現金紅利，合計高達6億2693萬臺幣。
2010年5月，臺積電通知梁孟松，說見報紙報導他已加入三星，將視為違反競業禁止條款，股票將照規定全數捐給臺積電基金會。
梁孟松立刻回信告訴說：「過去不曾，現在沒有，未來也不會，做出對不起公司的事。」
最終，臺積電將合計73萬7千7百多股，換算現今市價超過一億元的股票，分三次發放給梁孟松，在獲得股票的兩個月後，梁孟松對外宣布正式加入三星電子，擔任LSI部門技術長，同時也是三星晶圓代工的執行副總。
此時的時間是2011年7月13日，對於兩年的競業協議，已經過去數月。
坊間傳聞，三星給梁孟松的條件是：
一、籤約3年，薪酬是梁孟松在臺積電10年能賺到的錢；
二、動用行政專機，用於載他和其它臺積電前員工往返臺灣和韓國；
三、三星晶圓代工技術研發的絕對控制權和決策權。
在三星，梁孟松終於迎來了，他對於「先進位程」的追求得到的回報。
當時三星正在處於一個由28nm製程向20nm製程的研發過程中，但當電晶體的尺寸小於25nm以下時，傳統的平面場效應管（Planar field effect transistor/Planar FET）的尺寸已經無法縮小，在這種情況下，胡正明博士發明的，通過梁孟松在臺積電推動的Fin FET技術，將場效應電晶體實現三維立體化。而此時的三星，對於此技術的研發及利用毫無任何經驗可言，在臺積電、英特爾取得不斷進步的時候，三星在技術推進中則顯得舉步維艱，根本無法達成任何突破。
梁孟松接手後，在技術研發上力排眾議，要求三星放棄現有的20nm製程的研發，因為即便是研發出來，也已經跟不上臺積電甚至英特爾的技術。他建議三星直接由28nm製程，跨越到14nm製程。
這意味著，三星的製程研發，將跳過代次的20nm/22nm製程和半代次的16nm/18nm半節點製程，一次完成三代四級的製程工藝迭代。
這在今天看來，幾乎是不可能完成的任務，其難度可想而知，但是梁孟松做到了，在獲得三星「賭命式」的全力支持後，終獲成功。
2014年，三星14nm製程量產，其量產時間，比臺積電早了約半年，而且臺積電在半年後推出的製程，是落後14nm半個代次的16nm。
三星，在與英特爾、臺積電的競爭中，第一次獲得了領先，這半年的時間，讓三星獲得了巨大的商業收益。
憑藉14nm製程的領先，蘋果A9處理器的訂單從臺積電被三星搶走，同時，三星還拿下了高通驍龍的大單。在此之前，蘋果處理器的訂單都是臺積電一家獨吞，在此之後，蘋果有了與臺積電議價的籌碼，僅僅被三星搶走的蘋果訂單，就使臺積電損失10億美元（約314億新臺幣）。
2011年10月，在梁孟松宣布入職三星兩個多月後，臺積電對梁孟松發起了長達四年的法律訴訟，以阻擊和圍剿三星的進步及梁孟松的前途。
臺積電指控梁孟松自2009年8月到三星旗下的成均館大學任教以來，「應已陸續洩漏臺積電公司之營業秘密予三星。」
其證據是一封郵件，這封郵件是胡正明的太太（也就是梁孟松的師母）在給胡正明籌備生日的過程中，發給胡正明的學生的郵件。在這些收件人中，梁孟松收件郵箱是msliang@samsung.com，臺積電以此證明，梁孟松在競業禁止期結束前，便在三星工作。
臺積電向法院請求：
一、不得洩漏其任職臺積電期間所知悉的營業秘密；
二、不得洩漏臺積電研發部門人員的相關信息予韓國三星電子；
三、禁止梁孟松在2015年12月31日前，以任職或其他方式為三星提供服務。
公開信息顯示，從2005到2009這五年中，三星電子的年代工營收不足4億美元。到2010年開始代工蘋果公司的蘋果A系列處理器（包括從A4到A7），代工營業收入猛增，2010年整體代工收入激增至12億美元（其中蘋果A系列處理器產品代工收入達8億美元）。2013年達到39.5億美元。
除了帶領三星研發團隊取得早期成功之外，實際上梁孟松的指導，對三星後來獨自發展技術路線，也具有相當大的影響，韓國也因此打進少數玩家才能加入的晶圓代工俱樂部中。
2015年8月24日，智慧財產法院第二審合議庭，臺積電對梁孟松所提出的三項請求，全部獲判勝訴。
在此之前的2013年，蔣尚義再次從臺積電退休，他退休後，留給了臺積電豐厚的技術資產：蔣尚義「牽頭了250nm、180nm、150nm、130nm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm及16nm Fin FET等關鍵節點的研發，使臺積電的行業地位從技術跟隨者發展為技術引領者。」
而梁孟松這段時間留給臺積電的，則只剩下「叛將」兩個字。
在這場訴訟庭審宣判後，梁孟松的律師顧立雄說：「不管大家如何看三星，但梁孟松只是個孤零零的個人，空有一身長才，被臺積電冷凍，他只好離職；這個案子，梁孟松要追尋的只是保障他憲法上基本應有的工作權。」
指導中芯國際向上突破
2017年10月，在中芯國際與梁孟松長達一年多的反覆接觸和溝通後，梁孟松選擇在與三星的契約結束之後，接受了中芯國際的邀請。
2017年10月16日，中芯國際召開臨時董事會，正式宣布梁孟松出任中芯國際聯合執行長（Co-CEO）兼執行董事，和5月10日剛剛獲委任為中芯國際執行長的趙海軍一起形成雙執行長的局面，開啟了中芯的雙首長制時代。
聯席CEO的模式，有點類似於2006年，臺積電的「Two in a Box」，只不過這一次，梁孟松「in a box」，而不是被排除在外。
梁孟松接手中芯國際的時候，中芯國際在製程工藝上，如同他接手三星時一樣，都在28nm製程向下發展的過程中，碰到無法解決的問題，同樣舉步維艱。
2016年2月份，中芯國際就宣布28nm製程進入設計定案階段（tape-out），但良品率一直不穩定。
梁孟松來到中芯國際後，在其率領團隊的努力下，用了不到一年的時間，就將中芯國際28nm製程良品率從3%提升至85%以上。
但是同年2月，聯芯在廈門的公司試產28納米，其良品率高達98%。而臺積電南京廠計劃在2018年量產16nm製程。因此，中芯國際在28nm領域並沒有什麼優勢。
梁孟松選擇了在三星時期的技術發展道路：跳代。中芯國際選擇了跳過中間代次，直接發展14nm。
2018年8月，中芯國際宣布研製出14nm製程，首批帶入的合作夥伴是華為、高通和復旦大學微電子，但是其14nm製程的良品率僅僅只有3%，完全是試驗性質，根本不具任何投產條件。
在這一消息發布後，有行業內評論說：「中芯宣稱要做14nm、10nm，但恐是個遙不可及的美夢。」
的確，對於對自身技術積累遠不如三星的中芯國際來說，一舉跨過三代五級的代次，進而一步到位量產14nm製程來說，所面臨的難度比之前三星的更大。
好在梁孟松信心十足，再一次力排眾議，向董事會保證對14nm製程的改良能如期完成，成功說服中芯國際採納其建議。
2019年6月，中芯國際14nm製程正式量產，良品率從3%巨幅提升至95%以上。同時推進的12nm製程也進入了客戶導入階段。
在這次爆出的辭職風波中，在梁孟松的公開函中表示：「目前，28納米、14納米、12納米及N+1等技術均已進入規模量產，7nm技術的開發也已經完成，明年四月就可以馬上進入風險量產。5納米和3納米的最關鍵、也是最艱巨的8大項技術也已經有序展開，只待EUV光刻機的到來，就可以進入全面開發階段。」
同時，在中芯國際的中報中也印證了梁孟松所說的：「先進技術應用多樣，第一代先進技術良率達業界量產水平，第二代進入小量試產。」
可以看出，梁孟松對於中芯國際先進工藝的研發至關重要。在2018年，格羅方德宣布放棄7nm研發；同年，聯電宣布放棄12nm以下（即7nm及以下）的先進位程投資。除了臺積電、英特爾和三星，還在繼續在先進位程上投資的，就只剩下中國大陸的中芯國際了。
從梁孟松之前的工作履歷來看，他不大可能回臺積電、三星，也不可能去英特爾。但是考慮到格羅方德、聯電已經放棄7nm先進位程研發，梁孟松所倡導的「先進位程」的發展空間，已經很小了。除了中國大陸，全球其他任何國家和地區，已經無法支撐起對於先進位程的大規模投資了。而現階段，中芯國際正是大陸規模最大，工藝水平最高的代工企業。
我們無從得知，蔣尚義的到來，梁孟松會如何選擇，原本已經採取「雙首長」制的中芯國際，在過去幾年的運營中，分工也算是明確的了，在剛剛過去的第三季度業績說明會上，成熟工藝相關提問均由趙海軍回答，而先進工藝相關提問均由梁孟松回答。兩位聯席CEO在先進工藝、成熟工藝領域有著明確的分工。
那麼，蔣尚義的到來，會對梁孟松再次產生什麼樣的影響呢？
頂「五個師」的恩怨
在臺積電訴梁孟松的案件中，時任臺積電法務副總經理暨法務長方淑華表示：「就算（梁孟松）不主動洩漏臺積電的技術機密，只要三星選擇技術方向時，梁孟松提醒一下，這個方向你們不用走了，他們就可以少花很多物力、時間。」
梁孟松，恰好就是這樣的人，自1999年Fin FET技術發明後，之後基於該技術的先進位程得到突飛猛進的發展，無論是臺積電，還是美系企業如英特爾等，幾乎所有的製程研發都轉向了三維電晶體的方向上。
師承Fin FET技術發明者胡正明，在美國獲得極大技術成就、在臺積電成為最多發明人的梁孟松，他的一舉一動，足以對這一技術的擴展，帶來極大的作用。
他就是那種一個人、一個團隊就可以影響到一個公司、一個行業發展趨勢和市場競爭態勢的人，他從臺積電到三星，改變了全球晶圓代工產業的版圖，他從三星到中芯國際，改變了中國大陸晶圓代工的版圖及地位。
在今天這樣的時代背景下，中國大陸的晶片製造（晶圓代工）技術的突破，顯得尤為重要。在今年8月份，餘承東就表示：「華為在晶片裡進行了巨大的研發投入，也經歷了艱難的過程，但是很遺憾在半導體製造方面，華為沒有參與重資產投入型的領域、重資金密集型的產業，只是做了晶片的設計，沒搞晶片的製造。」
之後，任正非說，我們設計的先進晶片，國內的基礎工業還造不出來，我們不可能又做產品，又去製造晶片。就如我們缺糧，不能自己種稻子一樣。
從這個角度看，中芯國際的確承載了中國晶片製造太多的期盼，但是這個時候，出現這樣的人事變動，對於技術中堅梁孟松來說，是不可接受的。
可是，如果在蔣尚義入主中芯國際板上釘釘的情況下，梁孟松是走是留呢？
我們不能希望中芯國際能做出什麼樣好的決策，畢竟2011年的內耗，已經讓中芯國際失去了長達5年的追趕時間。
在僅有的幾家晶片製造巨頭中，還有誰能容納下梁孟松這尊「大神」呢？
在函件中，梁孟松說：「我來中國大陸本來就不是為了謀取高官厚祿，只是單純的想為大陸的高端集成電路盡一份心力。」
這對於一個68歲的老人、博士、技術天才、科學家而言，背負「叛將」、「現代版三姓家奴」這樣的罵名，在現代社會，是多麼大的一個諷刺，然而他想要報效的國家，連個地位都無法保證，這不得不說，是更大的一個諷刺。
其實能打動梁孟松來到中芯國際的，除了對於技術的狂熱，對於先進位程的追求，對於實現理想的抱負，可能最重要的就是這句充滿「家國情懷」的話，畢竟，臺積電是回不去的了，自己要發光發熱，在這麼大的年齡段，也許只有大陸，才是最好的歸宿。
而且，梁孟松將他在中芯國際的所有收入，全部捐獻出來了，給了一個技術發展基金，自己沒有留下半分。
對了，多說一句，對於梁孟松與蔣尚義的關係，坊間的傳聞並不像某些媒體報導的那樣是「師徒」關係，實際上，梁孟松本人一直承認的老師只有胡正明博士一個，以至於他與胡正明往來的郵件地址，都能夠成為呈堂證供。如果真要讓蔣尚義與梁孟松搭上點「師承」關係，可能只能說蔣尚義與胡正明是臺大電機系的同學，也許這也是多數人認為蔣尚義與梁孟松有「師徒」關係的原因之一。
但實際上，梁孟松1992年便到臺積電工作，是臺積電技術奠基人之一，蔣尚義的入職，則是1997年了。梁孟松比蔣尚義早進公司五年，從進入臺積電時間前後的角度來看，梁孟松則真的是蔣尚義的「前輩」。
2009年梁孟松的離開與同年蔣尚義的回歸，實際上是一個很大的分水嶺，意味著兩人以前在同一個公司內部的競爭，被放大到了兩個公司間的競爭，再說直白一點，就是梁孟松帶領的三星與蔣尚義帶領的臺積電的戰爭，這種對抗，直接影響到了整個產業的發展趨勢。
而臺積電對梁孟松發起的法律上的訴訟與技術上發起的攻堅，則被認為是在蔣尚義主導下對梁孟松全方位的打壓和絞殺，對於身處「熱戰」中心的二人來說，這種仇怨，豈能輕易化解？