時鐘晶片，顧名思義，其就是一種具有時鐘特性，能夠現實時間的晶片。時鐘晶片屬於是集成電路的一種，其主要有可充電鋰電池、充電電路以及晶體振蕩電路等部分組成，目前，被廣泛的應用在各類電子產品和信息通信產品中。
時鐘晶片的主要作用 一、時鐘晶片具有顯示時間與記錄時間的功能作用。時鐘晶片最基本的作用就是顯示時間和記錄時間的時鐘作用，而且時鐘晶片的的時鐘顯示功能及其強大，可以顯示出年、月、日、星期、時、分、秒所有的時間單位，而且時鐘晶片還具有著精確的閏年補嘗功能。
二、時鐘晶片具有鬧鈴作用。在人們日常的生活中，鬧鈴最大的作用就是提醒時間。幾乎全部的手機、電腦等科技產品都具有著鬧鈴設置功能，而鬧鈴之所以能夠設置，其原因就是時鐘晶片具有鬧鈴作用。
三、時鐘晶片具有數據記錄作用。鋰電池是時鐘晶片中的組成部件之一，並且在時鐘晶片斷電或者關機之後，鋰電池可以通過晶片內部電路實現晶片供電，使時鐘晶片在斷電後仍可以運行很長一段時間，確保時鐘晶片內部記錄的數據不丟失。
四、時鐘晶片具有數據斷電保護作用。時鐘晶片之作用能夠記錄和存儲數據，是因為其內部有一個RAM單元，此ram單元一部分用於對時鐘顯示的控制，絕大一部用於單元數據的存儲，而且此RAM單位具有著斷電保護功能。
五、時鐘晶片具有很好的檢測功能。時鐘晶片的接口較為簡單，而且可以與多種軟體連接，並且可以通過軟體進行功能屏蔽，實現對其性能的測試。
高精度時鐘晶片——ds3231DS3231是低成本、高精度I2C實時時鐘（RTC），具有集成的溫補晶振（TCXO）和晶體。該器件包含電池輸入端，斷開主電源時仍可保持精確的計時。集成晶振提高了器件的長期精確度，並減少了生產線的元件數量。DS3231提供商用級和工業級溫度範圍，採用16引腳300mil的SO封裝。
RTC保存秒、分、時、星期、日期、月和年信息。少於31天的月份，將自動調整月末的日期，包括閏年的修正。時鐘的工作格式可以是24小時或帶/AM/PM指示的12小時格式。提供兩個可設置的日曆鬧鐘和一個可設置的方波輸出。地址與數據通過I2C雙向總線串行傳輸。精密的、經過溫度補償的電壓基準和比較器電路用來監視VCC狀態，檢測電源故障，提供復位輸出，並在必要時自動切換到備份電源。另外，/RST監視引腳可以作為產生μP復位的手動輸入。
除計時精度高之外，DS3231還具有一些其它功能，這些功能擴展了系統主機的附加功能和選擇範圍。該器件內部集成了一個非常精確的數字溫度傳感器，可通過I2C*接口對其進行訪問（如同時間一樣）。這個溫度傳感器的精度為±3°C。片上控制電路可實現自動電源檢測，並管理主電源和備用電源（即低壓電池）之間的電源切換。如果主電源掉電，該器件仍可繼續提供精確的計時和溫度，性能不受影響。當主電源重新加電或電壓值返回到容許範圍內時，片上復位功能可用來重新啟動系統微處理器。
ds3231關鍵特性0°C至+40°C範圍內精度為±2ppm -40°C至+85°C範圍內精度
為±3.5ppm為連續計時提供電池備份輸入
工作溫度範圍 商用級：0°C至+70°C 工業級：-40°C至+85°C
低功耗
實時時鐘產生秒、分、時、星期、日期、月和年計時，並提供有效期到2100年的閏年補償
兩個日曆鬧鐘
可編程方波輸出
高速（400kHz）I2C接口
工作在3.3V數字溫度傳感器輸出：精度為±3°C
老化修正寄存器 /RST輸出/按鈕復位去抖輸入
通過美國保險商實驗室協會（UL）認證
高精度時鐘晶片——M41TC8025採用SO-14封裝，在3.0V電源供電時，典型工作電流為0.8μA，在規定工作溫度範圍內，確保計時精度：在-40至85°C範圍內，最大誤差±5.0ppm（約2.5分鐘/年）在0至50°C範圍內，最大誤差±3.8ppm（小於2分鐘/年，內置高穩定性32KHz溫度補償晶振，時間日曆提醒（有中斷功能），固定周期定時器中斷功能，時間更新中斷功能，可編程頻率輸出（1Hz，1024Hz和32768H），400kHzI2C接口。
M41TC8025引腳圖及功能
M41TC8025內部結構圖
高精度時鐘晶片——HYM8025
HYM8025是內置高精度調整的32.768kHz晶振的I2C總線接口方式的實時計時器。除了具有6 種發生中斷功能、2個系統的鬧鐘功能、對內部數據進行有效無效判定的振蕩停止檢測功能、電源電壓監視功能等外，還配有時鐘精度調整功能，可以對時鐘進行任意精度調整。
內部振蕩迴路是以固定電壓驅動，因而可獲得受電壓變動影響小且穩定的32.768kHz時鐘輸出。本產品功能多樣，採用貼片封裝形式，最適用於三表、手機、攜帶終端及其他小型電子機器等。
HYM8025特點內置高精度頻率調整的32.768kHz 晶振（Ta=+25℃時±5×10-6）
支持I2C-BUS 高速模式（400kHz）
計時（時、分、秒）、日曆（年、月、日、星期）的計數功能（BCD 代碼）
可選擇12/24 時間制式
自動判別至2099 年的閏年
內置高精度計時精度調整電路
CPU 中斷產生功能（周期1個月~0.5 秒、具有中斷請求、中斷停止功能）
雙報警功能（Alarm_W： 星期、時、分，Alarm_D： 時、分）
32.768kHz 時鐘輸出（帶控制引腳的CMOS 輸出）
振蕩停止檢測功能
電源電壓監視功能
2V~5.5V 的計時（保持）電壓範圍
低消耗電流 4.0μA /3.0V （Typ.）
高精度時鐘晶片——SD2500RAMSD2500RAM系列是一種具有內置晶振、NVSRAM、IIC串行接口的高精度實時時鐘晶片， CPU可使用該接口通過7位 地址來尋址讀寫片內122位元組的數據（包括時間寄存器、報警寄存器、控制寄存器、溫度寄存器、電池電量寄存器、70位元組的用戶SRAM寄存器及8位元組的ID碼寄存器）。
SD2500RAM系列晶片內置晶振及數字溫度補償，用戶可以不用顧慮因外接晶振、諧振電容等所帶來的元件匹配誤差問題、晶振溫度特性問題及可靠性問題，實現在常溫及寬溫範圍內不需用戶幹預、全自動、高可靠計時功能;SD2500可保證時鐘精度為±5ppm（在25℃左右），即年誤差小於2.6分鐘；該晶片內置一次性電池，電池使用壽命可在五年左右（工業級和民用級時間不同）。
SD2500RAM系列內置8位元組的ID，每一顆晶片具備唯一的身份識別碼。
SD2500RAM系列晶片內置單路定時/報警中斷輸出，報警中斷時間可最長設至100年;該系列晶片可滿足對實時時鐘晶片的各種需要，有工業級產品可供選擇，且軟體和管腳與以前的SD2400RAM兼容，是在選用高精度實時時鐘時的理想選擇。
SD2500RAM性能
低功耗：典型值0.6μA（VBAT=3.0V，Ta=25℃）。
工作電壓：3.3V～5.5V，工作溫度：民用級0℃～70℃，工業級－40℃～+85℃（部分內置電池產品
工作溫度範圍－30℃～+80℃）。
標準IIC總線接口方式，最高速度400kHZ。
年、月、日、星期、時、分、秒的BCD碼輸入/輸出，並可通過獨立的地址訪問各時間寄存器。
閏年自動調整功能（從2000年~2099年）。
可選擇12/24小時制式。
5種中斷均可選擇從INT腳輸出，並具有4個中斷標誌位。
內置年、月、日、星期、時、分、秒共7位元組的報警數據寄存器及1位元組的報警允許寄存器，共有96種組合報警方式，並有單事件報警和周期性報警兩種中斷輸出模式，報警時間最長可設至100年。
周期性頻率中斷輸出：從4096Hz～1/16Hz……1秒共十四種方波脈衝。
自動重置的三字節共24位的倒計時定時器，可選的4種時鐘源（4096HZ、1024HZ、1秒、1分鐘），最小定時為244us，最長定時可到31年，通過計算可獲得較精確的毫秒級定時值。
70Bytes通用SRAM寄存器可用於存儲用戶的一般數據。
內置16kbit～512kbit的非易失性SRAM（C/D/E/G型），其擦寫次數100億次，且沒有內部寫延時。
內置電池使用壽命—一次性民用級：3~5年， 一次性工業級或充電電池：5~10年。
後備電池輸入腳VBAT：當內部電池因壽命等原因報廢時，可用外加的電池給時鐘作備電。
具有可控的32768HZ方波輸出腳F32K，可以位允許/禁止32K輸出
內置8bit轉換結果的數字溫度傳感器，為了節省電池電量消耗，設為VDD模式下60S間隔測溫一次，電池模式600S間隔測溫一次。
內置晶振和諧振電容，晶片內部通過高精度補償方法，實現在寬溫範圍內高精度的計時功能，其中25℃精度《±5ppm，即時鐘年誤差小於2.6分鐘（在25±1℃下）。
內置電池電壓檢測功能，可讀取當前電池電壓值（三位有效數），設置高低電池報警電壓值並從INT腳輸出中斷。
晶片依據不同的電壓自動從VDD切換到VBAT或從VBAT切換到VDD。當晶片檢測到主電源VDD掉到2.4V電壓以下且VDD小於VBAT，晶片會轉為由接在VBAT的後備電池供電；當VDD大於VBAT或VDD大於2.4V，則晶片會轉為由VDD供電。（內置電源模式指示位PMF，VDD模式時PMF=0，VBAT模式時PMF=1）。
內置8位元組的ID碼，晶片出廠之前設定的、全球唯一的身份識別碼。
內置IIC總線0.5秒自動復位功能（從Start命令開始計時），該功能可以避免IIC總線掛死問題。
內置三個時鐘數據防寫位， 避免對數據的誤寫操作，可更好地保護數據。
內置軟體可控VBAT模式IIC總線通信禁止功能（BATIIC=0，VBAT模式下禁止IIC通信；BATIIC=1，VBAT模式下允許IIC通信。上電默認值BATIIC=0），從而避免在電池供電時CPU對時鐘操作所消耗的電池電量，也可避免在VDD上、下電的過程中因CPU的I/O埠所輸出的不受控的雜波信號對時鐘晶片的誤寫操作，進一步提高時鐘晶片的可靠性。
內置上電復位電路及上電指示位RTCF，當包括電池在內的所有電源第一次上電時該位置1。
內置電池電壓欠壓指示位BLF，當電池電壓低於2.2V時BLF位置1。
內置停振檢測位OSF，當內部振蕩器停止振蕩時該位置1。
內置電源穩壓，內部計時電壓可低至2.3V。
晶片管腳 ESD》2KV。
晶片在興威帆的評估板上可通過4KV的群脈衝（EFT）幹擾。
CMOS 工藝
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