「晶片缺貨」近期再度被業界所關注，IGBT產業鏈供需持續偏緊，帶動今年IGBT龍頭斯達半導本月大漲超過20%。事實上，自今年2月份上市以來，斯達半導相比發行價上漲了逾20倍。
對於普通投資者來說，IGBT這個術語或許比較陌生。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)絕緣柵雙極型電晶體，是國際上公認的電力電子技術第三次革命具有代表性的產品，是工業控制及自動化領域的核心元器件，其作用類似於人類的心臟，也被稱為電力電子行業CPU.IGBT被廣泛運用於電機節能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發電、新能源汽車等領域。
斯達半導自2005年成立以來，一直致力於IGBT晶片和快恢復二極體晶片的設計和工藝及IGBT模塊的設計、製造和測試，2019年年報顯示，IGBT模塊的銷售收入佔公司銷售收入總額的95%以上，是公司的主要產品。根據IHSMarkit 2018年報告數據顯示，在2017年度IGBT模塊供應商全球市場份額排名中，斯達排名第10位，在中國企業中排名第1位，成為世界排名前十中唯一一家中國企業。
機構認為，IGBT未來在新能源汽車、工業控制和家電等領域將保持較高增長，全球IGBT市場基本被歐洲與日本企業佔據，國內IGBT市場供需缺口巨大，斯達半導作為國內稀缺的IGBT供應商，未來將受益於國產替代和IGBT產業鏈持續景氣。
切入第三代半導體賽道，重點布局新能源汽車領域
12月17日，斯達半導發布公告擬投資2.3億元建設SiC功率模塊產業化項目，公司預計投資建設年產8萬顆車規級全碳化矽功率模組生產線和研發測試中心，項目建設期2年，將按照市場需求逐步投入。
在項目可行性分析中，斯達半導表示，較傳統的燃油汽車相比，新能源汽車半導體元器件功率更大，性能要求更高，用量幾倍於傳統燃油汽車。碳化矽功率模組作為第三代半導體功率器件，具有禁帶寬度大、擊穿場強高、飽和漂移速率高、熱導率高等優點。其高溫、高效和高頻特性是實現新能源汽車電機控制器功率密度和效率提升的關鍵要素。可以預見汽車級碳化矽功率模組的市場需求將在新能源汽車市場帶動下的實現快速增長，市場空間巨大。
中金公司認為，公司此次布局SiC功率模塊，一方面是公司6月和宇通客車達成合作，宇通將採用斯達和GREE合作研發的1200V SiC功率模塊開發電動客車電動系統；另一方面，SiC作為第三代半導體材料，具備體積小、損耗低、耐高溫等特性，雖然目前價格是IGBT模塊的3-4倍，但公司布局SiC模塊有望為遠期收入打開成長空間。
斯達半導看好新能源汽車產業為其帶來的成長性。可行性分析報告提到：2020年11月國務院印發《新能源汽車產業發展規劃(2021—2035年)》中明確提出，2025年，我國新能源汽車新車銷量佔比達到25%左右，並要求2021年起國家生態文明試驗區、大氣汙染防治重點區域新增或更新公交、出租、物流配送等公共領域車輛，新能源汽車比例不低於80%。按此測算，2025年我國新能源汽車銷售將超過640萬輛，2021-2025年我國新能源汽車年均增長率將在30%以上。
斯達半導認為，該項目實施後，將進一步提高公司在汽車級全碳化矽功率模組的技術水平，提高供貨能力，為公司進一步開拓新能源汽車市場，提高市場佔有率打下堅實基礎。新能源汽車市場作為公司重點開拓的戰略市場，加大對汽車級全碳化矽規模組的研發及產業化，符合公司戰略發展方向。
國產替代空間廣闊，公司具有先發優勢
分析人士認為，近期「晶片缺貨」的狀況再度提醒了國產替代的緊迫性。中金公司的產業鏈調研顯示，目前全球IGBT產品交付期普遍拉長，IGBT產業鏈供需持續偏緊，未來若產能持續緊張，部分IGBT料號價格或將上調。
我國坐擁全球最大的汽車市場，國家大力推動新能源汽車的發展，但IGBT領域基本由海外廠商所主導，國產替代空間廣闊。中泰證券的研究顯示，從 IGBT廠商的產品線來看，英飛凌、富士電機、IXYS 等國際廠商覆蓋了IGBT 產品全部電壓範圍，而瑞薩、羅姆、意法半導體等廠商則集中在中低壓產品，三菱、中國中車以及斯達半導體等廠商僅提供 IGBT 模塊產品。
根據 IHSMarkit的數據，2017 年全球前五大 IGBT 廠商市場份額合計超過 70%，而在國內 IGBT市場，海外廠商同樣佔據 50%以上的市場份額，國產替代空間十分廣闊。
業內人士認為，在國產化替代大趨勢下，斯達半導的人才競爭優勢明顯，其核心創始人具有深厚的技術積澱和前瞻的國際視野。斯達半導的董事長兼創始人沈華(1963 年)，於 1995 年獲得美國麻省理工學院(MIT)材料學博士學位，1995 年 7 月至 1999 年 7 月任西門子半導體部門(英飛凌前身，1999 年成為英飛凌公司)高級研發工程師，1999 年 8 月至 2005 年任賽靈思公司高級項目經理。
斯達半導的副總經理湯藝女士1973 年出生， 2003 年博士畢業於美國仁斯利爾理工學院(RPI)電子工程系， 2003 年 7 月至 2015 年 3 月在美國國際整流器公司( International Rectifier)工作，歷任集成半導體器件高級工程師、主管工程師、高級主管工程師、 IGBT 器件設計經理、 IGBT 器件設計高級經理。2015年加入斯達半導，現任公司副總經理，負責 IGBT 晶片技術研發工作。
斯達半導的兩位主要負責人都與當前IGBT的行業老大英飛凌有著交集。2015年英飛凌收購了國際整流器公司，2017年英飛凌佔據整個IGBT行業22.4%的市場份額。
中泰證券表示，強大研發能力支撐下，公司自研和外購晶片比例不斷改善。2016-2019上半年之間，自主設計研發的晶片佔當前晶片採購比例分別為 31.0%、35.7%、49.0%和 54.1%。同時，從價格方面看，公司自研晶片平均單價在不斷上升，外購晶片單價不斷下降，側面印證公司較強研發能力。
技術上看，公司於 2012 年和 2015 年成功獨立地研發出 NPT 型晶片和FS-Trench 晶片，分別對接國際上第四、第六代晶片技術；目前，公司正在進行第三代 IGBT 晶片的研發，對接英飛凌、三菱等國際龍頭公司的第七代技術水平。
中金公司表示，新能源汽車IGBT從研發到通過驗證再到實現終端客戶導入需要5年左右時間，所以斯達等已經具備車用IGBT模塊供應能力與客戶基礎的龍頭企業將具備較強的先發優勢與稀缺性，而公司在IGBT晶片、封裝以及SiC等技術上的投入與突破也有望幫助公司進一步打開銷售局面，看好未來公司有望從現有的A/A0客戶向更加高端的B/C級/商用車突破，在提升配套車輛份額的同時提升單車價值量水平。
（文章來源：券商中國）