電子大兵 發表於 2012-09-24 10:39:38
GLOBALFOUNDRIES推出專為成長快速的行動市場所設計的新技術，加速其頂尖的發展藍圖。該公司推出的14nm-XM技術，將為客戶提供3D「FinFET」電晶體的效能及能源優勢，不僅可降低風險，更能加快上市時間，從而幫助無晶圓廠生態體系維持行動市場的領導地位的同時，開發出新一代的智慧行動裝置。
XM 是「eXtreme Mobility」的縮寫，為業界最頂尖的非平面式架構，真正為行動系統單晶片 （SoC） 設計做了優化，提供從電晶體到系統層級的完整產品解決方案。在 20nm技術節點，相較於目前的 2D 平面式電晶體，這項技術預計可望提升40% – 60%的電池使用壽命。
14nm-XM採用模組化的技術架構，完美結合了14nm的FinFET 元件與 GLOBALFOUNDRIES 公司即將量產的20nm-LPM 製程技術。運用成熟的 20nm-LPM 技術，讓想利用 FinFET SoC 優勢的客戶，能以最快的速度順利轉移。技術研發工作已展開，矽晶片也已透過 GLOBALFOUNDRIES 位於紐約薩拉託加郡的晶圓 8 廠進行測試。初期製程設計套件 （PDKs） 現已開始提供，並預計將於 2013 年可提供客戶產品投片。
GLOBALFOUNDRIES 技術長 Gregg Bartlett 表示：「GLOBALFOUNDRIES 投入 FinFET 研發已超過 10 年，我們將以此為基礎，讓這項技術得以進入生產階段。我們有信心，透過這項深厚的基礎將可讓我們帶領業界進入 FinFET 的量產階段，就如同我們在高介電金屬閘極 （ HKMG） 技術領域的成就。」
FinFET 架構採用傳統的 2D 電晶體設計，並將導電通路設計於兩側，形成可控制電流流動的閘極環繞的 3D「鰭狀」架構。FinFET 技術的主要優點為其優異的低功耗特性。3D 電晶體設計基本上可在較低的電壓下運作，將電流洩漏減到最低，因此可延長行動應用的電池使用壽命，或降低資料中心網路晶片等插入式應用的耗電量。
VLSI Research 執行長暨總裁 G. Dan Hutcheson 表示：「很多人不知道 FinFET 的建構基礎與當下推動行動發展的 HKMG 技術相同。HKMG 技術在減少漏電方面實現了重大創新，FinFET 在此基礎上又向前推進了一大步，突破了今後多年的技術發展障礙。但想要發揮 FinFET 技術的完整價值，公司就必須要能量產 HKMG。GLOBALFOUNDRIES 在這方面起步較早，已擁有兩年的 HKMG 量產經驗。」
GLOBALFOUNDRIES 制定了一套新的技術定義方法，並以此開發出具成本效益且功耗優化的 FinFET 技術，成為行動 SoC 市場的理想之選。14nm-XM 架構完美平衡了效能及耗電量，將晶片的尺寸和成本降到最低。技術的建構方式可實現最佳的製造便利性和設計方便性，亦可讓設計師重複使用前一代產品中部分的 IP。除了電晶體架構外，這項技術也將 SoC 層級的需求納入考量，如支援全系統性能及特殊的行動應用需求等。
打造全面 SoC 優化解決方案的另一個關鍵因素，便是能夠運用整個生態系統的專業知識，包括 EDA 和設計解決方案合作夥伴以及 IP供應商。尤其對設計社群而言，FinFET 技術也伴隨著新的考量。GLOBALFOUNDRIES 的製程研發和技術架構團隊一直與內部的設計團隊及設計生態系統合作夥伴緊密合作，攜手推出最佳的技術和設計環境。
GLOBALFOUNDRIES近日宣佈與 ARM 籤訂一份多年期合約，共同針對採用 FinFET 製程技術的 ARM 處理器設計推出最佳化的 SoC 解決方案。這兩家公司在 ARM Cortex-A 系列處理器已有多年合作經驗，此份合約將延續先前的努力，推動生產 IP 平臺，以加速轉移至 3D FinFET 電晶體技術。
ARM實體IP部副總經理 Dipesh Patel 表示：「在不斷發展中的超級行動時代，FinFET 技術將是下一代智慧行動設備發展的關鍵推手。透過我們與 GLOBALFOUNDRIES 多年的接觸與合作優化，將可為共同的客戶提供先進的系統性能並協助其加速轉移，以儘早利用FinFET技術帶來的優勢 。這成果也將成為應用至以下一代ARM處理器與GPU行動市場為基礎之 SoC的平臺。」
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