歷時近兩年的聯電被訴竊取美光機密案於近日公開最新進展。10月22日一早，主角之一的晶圓代工大廠聯電發出重大信息公告，據公告顯示，針對聯電之前被指控協助福建晉華以竊取美光科技（Micron）DRAM生產技術一案， 聯電已向美國商務部提出此案的建議量刑信函，根據雙方磋商，期待以6000萬美元進行和解 ，目前該方案尚待法院核准。
盜竊智慧財產權和竊取商業機密如果被判事實成立，向來都會面臨最嚴厲的處罰。如今協商到僅營業秘密刑事案件，罰金6000萬美元，比之前預期的結果好很多。
2018年11月2日，美國司法部宣布，對中國國有企業福建晉華集成電路有限公司(以下簡稱:福建晉華)、其中國臺灣合作夥伴聯華電子（聯電）以及三名個人提起訴訟，指控兩家公司涉嫌竊取美國存儲晶片公司美光科技的智慧財產權和商業機密。而在幾天之前，美國商務部剛宣布對對福建晉華實施禁售令，即列入出口管制實體名單，禁止美國企業向後者出售技術和產品，稱福建晉華涉及違反美國國家安全利益的行為，給美國帶來了嚴重風險。
包括晉華總經理陳正坤等被起訴的人將面臨經濟間諜罪最重15年徒刑及500萬美元罰款。另外，還有竊取營業秘密罪最重10年的徒刑。而涉案的兩家公司，美光宣稱其被竊取的營業秘密估計約為4億到87億美元，因此將面臨最高逾200億美元罰款。
美光針對這樁 DRAM 商業機密案，分別在美國和臺灣地區提告，此前美國法院最新裁定，對於此案的相關三人發出通緝令。今年6月，臺灣地區法院宣布判決結果，涉案的聯電戎樂天、何建廷、王永銘等三名員工被處以4年半到6年半徒刑，並處以罰金，聯電被判罰金1億元新臺幣，陳正坤目前另案進行調查。聯電錶示並未違反營業秘密法，將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。
從罰金最重可能超過200億美元降低到目前的6000萬美元。對於這個數字，行業人士表示，根據過往類似的案件來看，基本上沒有太大的差別。而且晉華當時並沒有生產該項產品，也就不存在損害金額的賠償，整個結果也算是符合業績的期待。
福建晉華事件回顧：
2016年，福建晉華與聯電籤署技術合作協定，福建晉華委託聯電開發DRAM相關技術，開發出的技術成果由雙方共同所有。
2017年9月，美光指控其前僱員跳槽至聯電前竊取了美光的DRAM商業秘密，並且這些機密已經洩露給聯電用以進行32nm DRAM晶片的開發。
2017年12月，美光又在美國加州聯邦法院對福建晉華和聯電提出控訴，稱聯電將其被竊取的商業機密和存儲晶片的關鍵技術交付給了福建晉華。
2018年1月19日，福建晉華展開「反擊」，在福州市中級人民法院對美光在華銷售產品涉嫌侵權提出訴狀。
2018年10月30日，美國商務部宣布將福建晉華列入出口管制「實體清單」，自當地時間30日起實施出口管制。
2018年11月1日正式起訴福建晉華、聯電以及三名中國臺灣籍涉案人員陳正坤、何建延和王永銘共謀竊取、傳輸，以及持有美光的營業秘密和經濟間諜罪。
2019年1月底，聯電退出福建晉華DRAM項目。
最終，福建晉華的DRAM項目量產沒能成功。
來源：集微網、滿天芯等網絡內容綜合
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