Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

2021-01-19 電子產品世界

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款採用晶片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的佔位面積內，這款20V器件提供業內P溝道MOSFET最低的導通電阻。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/108425.htm

　　新的Si8499DB是採用第三代TrenchFET P溝道技術的首款晶片級產品。這種最先進的技術能夠實現超精細、亞微米的節距工藝，將業內P溝道MOSFET所能實現的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2.5V、2V和1.8V電壓下的導通電阻分別為32 mΩ、46mΩ、65mΩ和120mΩ。

　　Si8499DB採用第三代TrenchFET P溝道技術，器件的晶片級封裝具有最大的裸片與佔位比，在非常緊湊的器件內提供了超低導通電阻。MICRO FOOT封裝所需的PCB面積只有TSOP-6的1/6，而導通電阻則很相近，從而為其他產品功能騰出空間，或是使終端產品變得更小。

　　MOSFE的低導通電阻意味著負載、充電器和電池開關中更低的壓降，使智慧型手機、PDA和MP3播放器等個人手持設備能夠更快地充電，在兩次充電之間的電池壽命更長。

　　MOSFET符合IEC 61249-2-21的無滷素規範，符合RoHS指令2002/95/EC。

　　Si8499DB TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，並已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十六周。


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