2020-10-14 09:16:57 [編輯：jameswen]
【籤約項目】
中科鋼研SiC項目落戶西安
7月28日，西鹹新區空港新城在北京和中科鋼研節能科技有限公司、國宏中晶集團有限公司共同就碳化矽半導體新材料及雷射陀螺儀製造兩個「高精尖」項目正式籤訂投資協議，此次籤約的碳化矽半導體新材料及雷射陀螺儀製造項目總投資18億元，規劃用地130畝，項目建成後年產值約16億元。
露笑第三代半導體產業園落戶合肥
8月9日，露笑科技發布公告稱，公司8月8日與合肥市長豐縣人民政府籤署了共同投資建設第三代功率半導體(碳化矽)產業園的戰略合作框架協議，雙方將在合肥市長豐縣共同投資建設第三代功率半導體(碳化矽)產業園，包括碳化矽晶體生長、襯底製作、外延生長等的研發生產，項目投資總規模預計100億元。
聞泰建中國首座12英寸車規級晶圓廠
8月19日，中國第一座12英寸車規級功率半導體自動化晶圓製造中心項目正式籤約落戶上海自貿區臨港新片區。項目總投資120億元，預計達產後年產能36萬片。
廈門電子信息產業發展大會項目籤約
8月31日，廈門市電子信息產業發展大會上簽約了78個項目，總籤約金額達807.8億元，涉及半導體與集成電路、計算機和通信設備、平板顯示、軟體信息服務等領域。其中，半導體和集成電路11個項目，籤約金額為135億元，包含了新型顯示MicroLED和第三代半導體等多個領域。
百識第三代半導體項目落戶南京
9月16日，第31屆中國南京金秋經貿洽談會上，投資30億元的百識第三代半導體6英寸晶圓製造項目成功籤約南京浦口。該項目擬用地80畝，建立第三代半導體外延片+器件專業代工，可以承接國內外IDM與designhouse的委託製作訂單，串接國內上下遊產業鏈，達到第三代半導體晶片國造的目標，產品主要應用於5G基站、電動車、雷達、快速充電器等。
砷化鎵集成電路生產線項目落戶江西
9月23日，贛州經開區舉行項目集中簽約儀式，總投資近45億元的14個項目集中落戶。分別是東宏光電科技股份有限公司6英寸砷化鎵集成電路晶片生產線項目，贛州芯聚微電子有限公司晶片設計及封裝測試項目等14個項目。
圖片來源：拍信網正版圖庫
【開工項目】
哈爾濱科友半導體產學研聚焦區項目
7月3日，科友半導體產學研聚集區項目在哈爾濱新區江北一體發展區正式開工建設。該項目佔地4.5萬平方米，一期計劃投資10億元，主要建設中俄第三代半導體研究院、科友半導體襯底製備中心、科友半導體高端裝備製造中心、科友半導體產品檢驗檢測中心等項目。項目全部達產後，最終形成年產高導晶片近10萬片，高純半絕緣晶體 1000 公斤的產能；PVT-SIC 晶體生長成套設備年產銷200臺套。
南砂集團SiC材料與晶片生產項目
7月8日，南砂晶圓碳化矽單晶材料與晶片生產項目在廣州南沙區開工。據悉，該項目選址萬頃沙保稅港加工製造業區塊，總投資9億元，將開展碳化矽單晶材料研發、中試等工作，發力高科技晶片領域。同時，建設科研辦公綜合樓、半導體廠房，擴大晶體生長和加工規模，增加外延片加工生產線，使業務從晶體生長、襯底加工延伸到外延加工環節。達產後年產各類襯底片和外延片共20萬片，年產值將達13.5億元。
長沙三安第三代半導體項目
7月20日，投資160億元，佔地面積1000畝的「三安光電第三代半導體產業園」，在長沙高新區啟動開工建設。該產業園主要用於建設具自主智慧財產權的襯底（碳化矽）、外延、晶片及封裝產業生產基地。這裡，也將誕生我國首條碳化矽全產業鏈產線。
10月7日，C2綜合動力站日前已率先完成封頂，同時，項目最大單體建築M2B碳化矽晶片生產廠房全面進入主體施工收尾階段。
博藍特第三代半導體SiC項目
7月23日，博藍特第三代半導體碳化矽及藍寶石襯底產業化項目在浙江金華開工。將智造與製造相結合，點燃新舊動能轉換的「助推器」，開發區正全力扶持本地龍頭企業加速向產業鏈高端攀登。新開工的項目計劃總投資10億元，分期建設，項目全部建成後預計每年新增營收12.5億元，新增納稅1.18億元，新增就業崗位500個。
露笑科技浙江紹興SiC襯底片項目
7月30日，浙江露笑碳矽晶體有限公司新建碳化矽襯底片產業化項目在浙江紹興開工。據悉，該項目計劃總投資6.95億元，項目主要採用碳化矽升華法長晶工藝及SiC襯底加工工藝，引進具有國際先進水平的6英寸導電晶體生長爐、4英寸高純半絕緣晶體生長爐等設備，購置多線切割機、拋光機等國產設備，建成後形成年產8.8萬片碳化矽襯底片的生產能力。
天科合達第三代半導體SIC襯底項目
8月17日，北京天科合達半導體股份有限公司第三代半導體碳化矽襯底產業化基地建設項目開工儀式在北京市大興區黃村鎮大興新城東南工業區隆重舉行。這是天科合達自籌資金建設的用於碳化矽晶體襯底研發及生產的項目，總投資約9.5億元人民幣，總建築面積5.5萬平方米，新建一條400臺/套碳化矽單晶生長爐及其配套切、磨、拋加工設備的碳化矽襯底生產線，項目計劃於2022年年初完工投產，建成後可年產碳化矽襯底12萬片。
常州武進化合物半導體項目
9月8日，2020年常州武進區重點項目集中開工暨新科人居智能舒適系統項目開工儀式在禮嘉鎮舉行。40個項目集中開工，總投資139.5億元，年度計劃投資32.5億元。此次集中開工的項目，既有總投資30億元的新晶宇高端化合物半導體項目、總投資19億元的集成電路生態產業園等產業大項目，也有一批新興產業、農業、民生項目。
【投融資項目】
天科合達科創板上市申請被受理
7月14日，上交所正式受理了北京天科合達半導體股份有限公司（簡稱「天科合達」）科創板上市申請。天科合達擬募集資金5億元投建。本次募集資金投資項目第三代半導體碳化矽襯底產業化基地建設項目主要建設一個包括晶體生長、晶片加工和清洗檢測等全生產環節的生產基地。項目投產後年產12萬片6英寸碳化矽晶片，其中6英寸導電型碳化矽晶片約為8.2萬片，6英寸半絕緣型碳化矽晶片約為3.8萬片。
氮矽科技獲得千萬級天使輪融資
7月29日，分離式氮化鎵柵極驅動晶片及增強型氮化鎵電晶體研發公司成都氮矽科技有限公司宣布獲得千萬級天使輪融資，由率然投資領投，鼎青投資跟投。氮矽科技已研發出三款產品：分離式高速氮化鎵柵極驅動晶片（DX1SE-A）、650V增強型氮化鎵MOSFET、氮化鎵功率IC。
中晟光電獲億元投資
8月，中晟光電設備（上海）股份有限公司完成新一輪股票定向發行，由上海浦東科創集團有限公司領投,總募集資金1.13億元，募集資金用於研發生產第三代半導體分立器件高端裝備。本次定向發行除領投方浦東科創集團之外，參與認購還有海通盛陽、張江科投、中科創星、同祺投資、重慶冠達，中晟光電董事長兼總經理CHEN AIHUA（陳愛華）、副總經理陳曉等。
小米投資晶片公司睿芯微電子
9月8日，西安睿芯微電子有限公司（即「 睿芯微電子」）新增投資人：湖北小米長江產業基金合夥企業(有限合夥)，持股比例為 9.26%。小米產業投資部合伙人在採訪時表示，「目前我們主要投資5G相關的射頻器件、人工智慧、第三代化合物半導體、先進位造設備（包括生產設備和檢測設備）以及工業網際網路的相關核心技術。」
光莆加快布局第三代半導體光電應用
9月14日，光莆股份發布公告宣布擬出資7500萬參與投資產業投資基金，以加快公司在第三代半導體光應用領域戰略布局落地。目前，基金尚處於籌備階段。（來源：化合物半導體市場）
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