LED晶片也稱為led發光晶片，是led燈的核心組件，也就是指的P-N結。其主要功能是：把電能轉化為光能，晶片的主要材料為單晶矽。
半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它裡面空穴佔主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個P-N結。
當電流通過導線作用於這個晶片的時候，電子就會被推向P區，在P區裡電子跟空穴複合，然後就會以光子的形式發出能量，這就是LED發光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。
用途：根據用途分為大功率led晶片、小功率led晶片兩種；
顏色：主要分為三種：紅色、綠色、藍色（製作白光的原料）；
形狀：一般分為方片、圓片兩種；
大小：小功率的晶片一般分為8mil、9mil、12mil、14mil等
大功率LED晶片有尺寸為38*38mil，40*40mil，45*45mil等三種當然晶片尺寸是可以訂製的，這只是一般常見的規格。mil是尺寸單位，一個mil是千分之一英寸。40mil差不多是1毫米。38mil，40mil，45mil都是1W大功率晶片的常用尺寸規格。
理論上來說，晶片越大，能承受的電流及功率就越大。不過晶片材質及製程也是影響晶片功率大小的主要因素。例如CREE40mil的晶片能承受1W到3W的功率，其他廠牌同樣大小的晶片，最多能承受到2W。
一般亮度：R(紅色GaAsP655nm)、H(高紅GaP697nm)、G(綠色GaP565nm)、Y(黃色GaAsP/GaP585nm)、E(桔色GaAsP/GaP635nm)等；
高亮度：VG(較亮綠色GaP565nm)、VY(較亮黃色GaAsP/GaP585nm)、SR(較亮紅色GaA/AS660nm)；
超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
二元晶片(磷﹑鎵)：H﹑G等；
三元晶片(磷﹑鎵﹑砷)：SR(較亮紅色GaA/AS660nm)、HR(超亮紅色GaAlAs660nm)、UR(最亮紅色GaAlAs660nm)等；
四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦)：SRF(較亮紅色AlGalnP)、HRF(超亮紅色AlGalnP)、URF(最亮紅色AlGalnP630nm)、VY(較亮黃色GaAsP/GaP585nm)、HY(超亮黃色AlGalnP595nm)、UY(最亮黃色AlGalnP595nm)、UYS(最亮黃色AlGalnP587nm)、UE(最亮桔色AlGalnP620nm)、HE(超亮桔色AlGalnP620nm)、UG(最亮綠色AIGalnP574nm)LED等。
對於製作LED晶片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該採用哪種合適的襯底，需要根據設備和LED器件的要求進行選擇。三種襯底材料：藍寶石（Al2O3）、矽（Si）、碳化矽（SiC）。
藍寶石襯底：
藍寶石的優點：1.生產技術成熟、器件質量較好；2.穩定性很好，能夠運用在高溫生長過程中；3.機械強度高，易於處理和清洗。
藍寶石的不足：1.晶格失配和熱應力失配，會在外延層中產生大量缺陷；2.藍寶石是一種絕緣體，在上表面製作兩個電極，造成了有效發光面積減少；3.增加了光刻、蝕刻工藝過程，製作成本高。
矽是熱的良導體，所以器件的導熱性能可以明顯改善，從而延長了器件的壽命。
碳化矽襯底（CREE公司專門採用SiC材料作為襯底）的LED晶片，電極是L型電極，電流是縱向流動的。採用這種襯底製作的器件的導電和導熱性能都非常好，有利於做成面積較大的大功率器件。優點：碳化矽的導熱係數為490W/m·K，要比藍寶石襯底高出10倍以上。不足：碳化矽製造成本較高，實現其商業化還需要降低相應的成本。
（1）四元晶片，採用MOVPE工藝製備，亮度相對於常規晶片要亮。
（2）信賴性優良。
（3）應用廣泛。
（4）安全性高。
（5）壽命長。
led晶片的價格：一般情況系下方片的價格要高於圓片的價格，大功率led晶片肯定要高於小功率led晶片，進口的要高於國產的，進口的來源價格從日本、美國、臺灣依次減低。
led晶片的質量：評價led晶片的質量主要從裸晶亮度、衰減度兩個主要標準來衡量，在封裝過程中主要從led晶片封裝的成品率來計算。
總的來說，LED製作流程分為兩大部分：
1.首先在襯底上製作氮化鎵（GaN）基的外延片，這個過程主要是在金屬有機化學氣相沉積外延片爐(MOCVD)中完成的。準備好製作GaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之後，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍寶石、碳化矽和矽襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用氣相反應物（前驅物）及Ⅲ族的有機金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進行反應，將所需的產物沉積在襯底表面。通過控制溫度、壓力、反應物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質。MOCVD外延爐是製作LED外延片最常用的設備。
2.然後是對LED PN結的兩個電極進行加工，電極加工也是製作LED晶片的關鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨；然後對LED毛片進行劃片、測試和分選，就可以得到所需的LED晶片。如果晶片清洗不夠乾淨，蒸鍍系統不正常，會導致蒸鍍出來的金屬層（指蝕刻後的電極）會有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。
蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定晶片，因此會產生夾痕（在目檢必須挑除）。黃光作業內容包括烘烤、上光阻、照相曝光、顯影等，若顯影不完全及光罩有破洞會有發光區殘多出金屬。
晶片在前段工藝中，各項工藝如清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨等作業都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會有晶片電極刮傷情形發生。
1.LED晶片檢驗
鏡檢：材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑lockhill晶片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完整。
2.LED擴片
由於LED晶片在劃片後依然排列緊密間距很小(約0.1mm)，不利於後工序的操作。採用擴片機對黏結晶片的膜進行擴張，使LED晶片的間距拉伸到約0.6mm。也可以採用手工擴張，但很容易造成晶片掉落浪費等不良問題。
3.LED點膠
在LED支架的相應位置點上銀膠或絕緣膠。對於GaAs、SiC導電襯底，具有背面電極的紅光、黃光、黃綠晶片，採用銀膠。對於藍寶石絕緣襯底的藍光、綠光LED晶片，採用絕緣膠來固定晶片。
工藝難點在於點膠量的控制，在膠體高度、點膠位置均有詳細的工藝要求。由於銀膠和絕緣膠在貯存和使用均有嚴格的要求，銀膠的醒料、攪拌、使用時間都是工藝上必須注意的事項。
4.LED備膠
和點膠相反，備膠是用備膠機先把銀膠塗在LED背面電極上，然後把背部帶銀膠的LED安裝在LED支架上。備膠的效率遠高於點膠，但不是所有產品均適用備膠工藝。
5.LED手工刺片
將擴張後LED晶片(備膠或未備膠)安置在刺片臺的夾具上，LED支架放在夾具底下，在顯微鏡下用針將LED晶片一個一個刺到相應的位置上。手工刺片和自動裝架相比有一個好處，便於隨時更換不同的晶片，適用於需要安裝多種晶片的產品。
6.LED自動裝架
自動裝架其實是結合了沾膠(點膠)和安裝晶片兩大步驟，先在LED支架上點上銀膠(絕緣膠)，然後用真空吸嘴將LED晶片吸起移動位置，再安置在相應的支架位置上。自動裝架在工藝上主要要熟悉設備操作編程，同時對設備的沾膠及安裝精度進行調整。在吸嘴的選用上儘量選用膠木吸嘴，防止對LED晶片表面的損傷，特別是藍、綠色晶片必須用膠木的。因為鋼嘴會劃傷晶片表面的電流擴散層。
7.LED燒結
燒結的目的是使銀膠固化，燒結要求對溫度進行監控，防止批次性不良。銀膠燒結的溫度一般控制在150℃，燒結時間2小時。根據實際情況可以調整到170℃，1小時。絕緣膠一般150℃，1小時。
銀膠燒結烘箱的必須按工藝要求隔2小時(或1小時)打開更換燒結的產品，中間不得隨意打開。燒結烘箱不得再其他用途，防止汙染。
8.LED壓焊
壓焊的目的是將電極引到LED晶片上，完成產品內外引線的連接工作。
LED的壓焊工藝有金絲球焊和鋁絲壓焊兩種。鋁絲壓焊的過程為先在LED晶片電極上壓上第一點，再將鋁絲拉到相應的支架上方，壓上第二點後扯斷鋁絲。金絲球焊過程則在壓第一點前先燒個球，其餘過程類似。
壓焊是led封裝技術中的關鍵環節，工藝上主要需要監控的是壓焊金絲(鋁絲)拱絲形狀，焊點形狀，拉力。
9.LED封膠
LED的封裝主要有點膠、灌封、模壓三種。基本上工藝控制的難點是氣泡、多缺料、黑點。設計上主要是對材料的選型，選用結合良好的環氧和支架。(一般的LED無法通過氣密性試驗)
LED點膠TOP-LED和Side-LED適用點膠封裝。手動點膠封裝對操作水平要求很高(特別是白光LED)，主要難點是對點膠量的控制，因為環氧在使用過程中會變稠。白光LED的點膠還存在螢光粉沉澱導致出光色差的問題。
LED灌膠封裝Lamp-LED的封裝採用灌封的形式。灌封的過程是先在LED成型模腔內注入液態環氧，然後插入壓焊好的LED支架，放入烘箱讓環氧固化後，將LED從模腔中脫出即成型。
LED模壓封裝將壓焊好的LED支架放入模具中，將上下兩副模具用液壓機合模並抽真空，將固態環氧放入注膠道的入口加熱用液壓頂杆壓入模具膠道中，環氧順著膠道進入各個LED成型槽中並固化。
10.LED固化與後固化
固化是指封裝環氧的固化，一般環氧固化條件在135℃，1小時。模壓封裝一般在150℃，4分鐘。後固化是為了讓環氧充分固化，同時對LED進行熱老化。後固化對於提高環氧與支架(PCB)的粘接強度非常重要。一般條件為120℃，4小時。
11.LED切筋和劃片
由於LED在生產中是連在一起的(不是單個)，Lamp封裝LED採用切筋切斷LED支架的連筋。SMD-LED則是在一片PCB板上，需要劃片機來完成分離工作。
12.LED測試
測試LED的光電參數、檢驗外形尺寸，同時根據客戶要求對LED產品進行分選。
LED晶片因為大小一般都在大小：小功率的晶片一般分為8mil、9mil、12mil、14mil等，跟頭髮細一樣細，以前人工計數時候非常辛苦，而且準確率極底，2012年廈門好景科技有開發一套專門針對LED晶片計數的軟體，儀器整合了高清晰度數位技術來鑑別最困難的計數問題。
LED晶片專用計數儀設備是由百萬象素工業專用的CCD和百萬象素鏡頭的硬體，整合了高清晰度圖像數位技術的軟體組成的，主要用來計算出LED晶片的數量。該LED晶片專用計數儀通過高速的圖像獲取及視覺識別處理，準確、快速地計數LED晶片，操作簡單，使用方便。
該設備裝有新型的照明配置，因照明上的均勻一致性及應用百萬象素的CCD及鏡頭，確保了LED晶片成像的清晰度，配合高技術的計數軟體，從而保證了計數的準確度。同時軟體會將每次計數的結果儲存在資料庫中，方便列印與追溯對比分析。
1．成像特性：
鏡頭：12mm、F1.8高保真光學鏡頭
CCD規格：300萬像素/500萬像素，真彩
圖像拍攝：手動對焦，可專業級地精細成像LED晶片
圖像調整：手動調整亮度；自動調整對比度、飽和度
2．計數特性：
快速的計算出LED晶片總數，可根據需要折扣數量，並顯示和輸出計數結果
可計數≥5mil(或0.127mm)不透明LED晶片
可計數雙電極透明的LED晶片
計數速度：2000～8000個LED晶片/s的統計速度，無需掃描即成像即計數
簡便易用：真正一鍵式操作，滑鼠一點，結果即現。軟體界面美觀，操作簡便。
參數釋疑：
正向工作電流If：它是指發光二極體正常發光時的正向電流值。在實際使用中應根據需要選擇IF在0.6·IFm以下。
正向工作電壓VF：參數表中給出的工作電壓是在給定的正向電流下得到的。一般是在IF=20mA時測得的。發光二極體正向工作電壓VF在1.4～3V。在外界溫度升高時，VF將下降。
V-I特性：發光二極體的電壓與電流的關係，在正向電壓正小於某一值（叫閾值）時，電流極小，不發光。當電壓超過某一值後，正向電流隨電壓迅速增加，發光。
發光強度IV：發光二極體的發光強度通常是指法線（對圓柱形發光管是指其軸線）方向上的發光強度。若在該方向上輻射強度為（1/683）W/sr時，則發光1坎德拉（符號為cd）。由於一般LED的發光二極體強度小，所以發光強度常用燭光(坎德拉，mcd)作單位。
LED的發光角度：-90°-+90°
光譜半寬度Δλ：它表示發光管的光譜純度。
半值角θ1/2和視角：θ1/2是指發光強度值為軸向強度值一半的方向與發光軸向（法向）的夾角。
全形：根據LED發光立體角換算出的角度，也叫平面角。
視角：指LED發光的最大角度，根據視角不同，應用也不同，也叫光強角。
半形：法向0°與最大發光強度值/2之間的夾角。嚴格上來說，是最大發光強度值與最大發光強度值/2所對應的夾角。LED的封裝技術導致最大發光角度並不是法向0°的光強值，引入偏差角，指得是最大發光強度對應的角度與法向0°之間的夾角。
最大正向直流電流IFm：允許加的最大的正向直流電流。超過此值可損壞二極體。
最大反向電壓VRm：所允許加的最大反向電壓即擊穿電壓。超過此值，發光二極體可能被擊穿損壞。
工作環境topm：發光二極體可正常工作的環境溫度範圍。低於或高於此溫度範圍，發光二極體將不能正常工作，效率大大降低。
允許功耗Pm：允許加於LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的最大值。超過此值，LED發熱、損壞。
臺灣LED晶片廠商
晶元光電（Epistar）簡稱：ES、（聯詮、元坤，連勇，國聯），廣鎵光電（Huga），新世紀（GenesisPhotonics），華上（ArimaOptoelectronics）簡稱：AOC，泰谷光電（Tekcore），奇力，鉅新，光宏，晶發，視創，洲磊，聯勝（HPO），漢光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）簡稱：TK，曜富洲技TC，燦圓（FormosaEpitaxy），國通，聯鼎，全新光電（VPEC）等。華興（LedtechElectronics）、東貝（UnityOptoTechnology）、光鼎（ParaLightElectronics）、億光（EverlightElectronics）、佰鴻（BrightLEDElectronics）、今臺（Kingbright）、菱生精密（LingsenPrecisionIndustries）、立基（LigitekElectronics）、光寶（Lite-OnTechnology）、宏齊(HARVATEK)等。
大陸LED晶片廠商
三安光電簡稱（S）、上海藍光（Epilight）簡稱（E）、士蘭明芯（SL）、大連路美簡稱（LM）、迪源光電、華燦光電、南昌欣磊、上海金橋大晨、河北立德、河北匯能、深圳奧倫德、深圳世紀晶源、廣州普光、揚州華夏集成、甘肅新天電公司、東莞福地電子材料、清芯光電、晶能光電、中微光電子、乾照光電、晶達光電、深圳方大，山東華光、上海藍寶等。
國外LED晶片廠商
CREE，惠普（HP），日亞化學（Nichia），豐田化學，大洋日酸，東芝、昭和電工（SDK），Lumileds，旭明（Smileds），Genelite，歐司朗（Osram），GeLcore，首爾半導體等，普瑞，韓國安螢（Epivalley）等。