又一次的拿到ST的評估板了。不太喜歡每次的測評都寫的千篇一律，那樣沒什麼意思。我覺得寫東西也好，生活也好。太過於重複的東西往往讓人會變得麻木。拿到Nucleo-L432KC，就該想想改從什麼地方入手，說實話，我覺得僅僅靠一篇或者幾篇帖子難以對一個微控制器(MCU)做非常全面的剖析。至少我覺得應該從自己熟悉以及感興趣的方面入手，做一些操作，表達一下看法吧。這樣在這麼炎熱的天氣，才有動力測評下去。唉~~~，說起來，真的好熱啊……
一、外觀
在這裡我拿Nucleo-F042K6與其做外觀對比。至於Nucleo-l432kc的性能說明，官網都有。我就不搬磚過來啦。
STM32L432KC 官網介紹
從以上兩個不同型號的Nucleo-32板外觀的對比，我們可以發現兩個不同之處：
a、那就是Nucleo-L432K多了X1；從原理圖看就是如下紅色方框中的X1.
從datasheet，L4用戶手冊看這個地方就是比起其他Nucleo的板子在OSC32_IN/OUT的引腳多了個X1的晶振 。
b、MCU的封裝由LPQFP變成了UFQFN。至於外面的那個焊盤是幹什麼用的，我請教過@dcexpert
這個焊盤是預留的QFP的封裝，這樣同一個板子就可以兼容兩種不同封裝的晶片了。
另一方面：NUCLEO-L432KC開發板是首個集成一款QFN32微型封裝微控制器的Nucleo-32開發板，板載一顆STM32L432KCU6微控制器(UFQFPN32)。
另外，Nucleo-L432的引腳分布看起來也和別的Nucleo-32的板子沒什麼區別。
當然，別看這個L432「小個子」，但是它的內部的模塊一點也不比F4的有些型號少。特別是它還增加了可編程的運放單元。
二、將程序放在SRAM中執行
方法一：
a、這裡以LED電平翻轉的程序為例。首先用CubeMX配置LED電平翻轉的程序。
b、打開MDK工程，打開Options for Target 選項。打開Linker選項，可以看到
Flash 起始地址：0x08000000
RAM 起始地址： 0x20000000
編譯工程後，可以看到Memory map文件GPIO_IOToggle.map文件在該工程的目錄下：
用Notepad打開該文件，可以看到如下兩個函數的地址在FLASH中
HAL_GPIO_TogglePin();
HAL_Delay();
通過#pragma arm section code = "RAMCODE" 和#pragma arm section
具體的方法如下：
1、找到，並打開.sct文件（我使用Notepad打開）
2、修改.sct文件。自定義一個RAMCODE的section，放在RW_IARM執行區域，地址範圍為：
0x20000000~0x20000800（這裡我放2KB的空間）
因為從map文件來看。Total ROM Size 就佔用的Flash大小，Total RW Size是佔用的SRAM大小
led電平翻轉這個程序，所佔SRAM大小為1kb左右
修改.sct文件，並保存
3、在工程中，Options for Target 的Linker選項中，使用剛才修改過的.SCT文件。
4、以#pragma arm section code = "RAMCODE"為開頭。將所有需要放到RAMCODE section的函數包含進來。
這個時候編譯器會自動將這些函數放到RAMCODE所在的0x200000000開始的區域。
所以，重新編譯後，打開map文件，就可以看到這幾個函數的地址在SRAM中了。
方法二：
1、同樣需要修改.SCT文件（修改的方法同方法一的1、2）；（我修改成64KB的RAM（因為L432隻有64kb的Sram））
2、將需要在RAM中執行的函數前面添加__attribute__((section("RAMCODE")))聲明該函數放在RAMCODE section中。這裡需要注意的是：如果將這個聲明放在函數前面，那麼這個函數調用的所有函數也會放到RAMCODE的section中。
不過還是需要像方法一一樣，使用修改過的.sct文件（詳見方法一的3）
// #pragma arm section code = "RAMCODE"
__attribute__((section("RAMCODE")))
void Toggle_LED(void)
{
HAL_GPIO_TogglePin(GPIOB, GPIO_PIN_3);
HAL_Delay(300);
}
複製代碼
打開map文件，看到這幾個函數的地址在ram中
由此可見，我覺得這個方法二比起方法一，要更加的靈活一些。因為方法二隻需要添加聲明就可以了。方法一太過於死板了。
三、L432 的特色：OPAMP（可編程運放單元）
如英文版的用戶手冊描述:它的正向輸入端可連接到內部DAC；輸出端可連接到內部的ADC
如下為引腳連接功能：
打開en.stm32cubel4\STM32Cube_FW_L4_V1.5.0\Projects\STM32L432KC\Nucleo\Examples\OPAMP\OPAMP_PGA
這個工程：
/* set to 1 after PA.12 (Arduino D2) interrupt */
__IO uint32_t UserButtonStatus = 0;
PA12作為按鍵中斷，來改變opamp的放大增益。所以將杜邦線的一頭接在PA12，另一頭接GND或者不接GND來實現PA12的這個按鍵功能。
［請點擊閱讀原文觀看代碼］
量測PA4（DAC1_OUT1），PA3（OPAMP_OUT1），通過將PA12接地或者不接地的次數得到如下波形，可以看出，這個時候的放大倍數約為4倍。
但就這個例子來看，運算放大後的波形還是有些失真的。
總結：
1、對於同樣的cortex-M4內核的這個「小個子」MCU來說，它的功能並沒有隨著它的小體積而減少；
2、本來還想玩玩CoreMark的，但是移植成功後，使用串口1來列印，就是不成功。我折騰了下，工程編譯沒有錯誤，但是就是不顯示列印信息我就不拿這個程序出來獻醜了。這個花的時間挺多的，加上天氣熱，弄得我很惱火我自己。
這裡我放出，CoreMark軟體下載連結：CoreMark下載連結(需註冊)
如何將coremark程序移植到STM32上.pdf
有興趣的網友玩玩，我後面有空下來再研究下，就是想看看我們測出來跟官方測試出來差異有多大。
3、最近有個項目中，新打樣回來一批板子（5pcs）。其中有3pcs都是剛開始沒什麼問題，用段時間（幾天吧），就發現CPU（STM32F405RGT6）發燙。用數顯的Power Supply看電流最小的有200~300mA，最大的2A左右了。所以就懷疑CPU問題。解焊其中一塊CPU，量測本體3.3V 對 GND阻抗，發現阻抗為0
a、購買新的CPU回來後，重新焊接後，量測3.3v對地不短路。重新上電後，過段時間CPU依然發燙（焊接好CPU後，用洗板水擦洗過）；
b、拿打樣剩餘的空板，只焊接CPU外圍電路，重新上電，過段時間CPU依然發燙（焊接好CPU後，用洗板水擦洗過）；
同樣的，我同事負責的另一個項目中，也是有顆CPU有問題。焊接好CPU後，用洗板水擦洗過板子。發現上電後，CPU部位冒煙了。。。。所以我們一致認為洗板水有問題（是從某寶購買的）。
下周，抽個時間再浪費1pcs（30多塊RMB）驗證下，這次不用洗板水，看看效果。。。。
4、好了言歸正傳的說下這個Nucleo-L432KC的板子，這個板子首款有QFN32的Nucleo-32的板子。所以有點蓋頭換面的意思。當然，雖然沒有太深入的去理解它自帶的OPAMP的功能。但是從介紹中可以看得出，這個是與ADC，和DAC有關係的。最近我同事有個傳感器上就是需要運放，因為如果將那個傳感器的輸出接在ADC上，顯示只有0.8v的信號，這樣用adc採樣的數值就不是很準確了，所以他們最近在使用放大器在設計電路來放大信號。所以如果MCU自帶AMP的話，想必這個外圍電路會相對小一些。
以上，就是我的測評內容，歡迎指正，大牛勿噴。謝謝。
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