近期，GaNPower量微半導體最新推出了一套200W氮化鎵快充參考設計，該套方案創新性的設計了6個輸出接口，包括5個USB-C和1個USB-A，為筆記本電腦、手機、遊戲機、移動電源等設備充電提供了一站式解決方案。下面就為大家帶來這款產品的上手體驗。
作為一款工程版開發樣機，量微半導體200W氮化鎵多口快充參考設計並未對元器件進行堆疊布局，所以PCB板正面預留的空隙較多，實際量產版本還可以繼續優化空間。從正面的元器件布局來看，這款參考設計為典型的開關電源定壓供電+二次降壓多口輸出架構，開關電源部分加入了PFC功率因數校正電路，佔據了三分之二的空間；二次降壓部分為五塊小PCB板分布著6個接口，由智融晶片控制。
量微半導體200W氮化鎵快充方案背面一覽，PCB板尺寸約為80×65×21mm。
開關電源部分的四顆核心功率器件均來自GaNPower量微半導體，型號GPI65010DF56。
GaNPower量微半導體GPI65010DF56氮化鎵晶片詳細規格資料。
輸出端採用5C1A的接口配置，從左至右第一、第二個接口為100W快充接口，支持雙口獨立輸出100W；中間兩個USB-C接口為60W快充輸出接口，同樣為獨立輸出；右側的1A1C接口為30W輸出接口，共享一路降壓輸出。
該參考設計的五路獨立降壓輸出分別採用了智融SW3516H晶片控制。這是一款高集成度的多快充協議雙口充電晶片，支持A+C口任意口快充輸出，支持雙口獨立限流。其集成了5A 高效率同步降壓變換器；支持PPS/PD/QC/AFC/FCP/SCP/PE/SFCP等多種快充協議，最大輸出PD 100W，CC/CV 模式，以及雙口管理邏輯。外圍只需少量的 器件，即可組成完整的高性能多快充協議雙口充電解決方案。
智融SW3516H詳細規格資料。
值得一提的是，這套200W氮化鎵6口PD快充方案在量產開發中，還可根據客戶的需求自定義各個接口的輸出策略，應用起來十分靈活。並且為了保護客戶的個性化程序不被複製、破解、盜用，還額外增加了一顆智融最新開發的SW2003的加密晶片。
智融SW2003是一款基於AES-128算法的加密晶片，旨在保護智慧財產權，防止被非法拷貝。晶片內部提供56 bits可編程的 Chip ID，用來幫助客戶進行授權管理。除了加解密之外，晶片還主要集成了硬體鎖（LOCK）和脈寬調製（PWM）兩大功能。SW2003使用兩線串行接口，主處理器可以通過此總線對其進行訪問。
使用ChargerLAB POWER-Z KT002檢測USB-A接口的輸出快充協議，顯示支持Apple2.4A、Samsung5V2A、QC3.0、QC2.0、AFC、FCP、SCP等協議。
繼續檢測USB-C口的輸出協議，顯示除了Apple2.4A、Samsung5V2A、QC3.0、QC2.0、AFC、FCP、SCP外，還支持PD3.0 PPS等協議。由於其它各個USB-C接口用料一致，協議檢測結果就不再逐一展示。
單口輸出，USB-C1和UBS-C2接口的PDO結果一致，均支持5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V5A，以及3.3-21V 3A輸出。
USB-C1和USB-C2兩個接口同時輸出，PDO檢測結果保持不變，均為5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V5A，以及3.3-21V 3A，雙口獨立100W快充，總功率為200W。
USB-C3和USB-C4兩個接口同時輸出，PDO檢測結果一致，均為5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3A，以及3.3-21V 3A，雙口獨立輸出60W，總功率為120W。
USB-C1/C2接口與USB-C3/C4接口搭配使用時，輸出功率分別為100W和60W，總功率160W。
使用USB-C1接口給100W移動電源充電，測得輸出電壓19.39V，電流4.74A，充電功率92W。
USB-C1接口和USB-C2給兩個100W移動電源同時充電，其中一個充電功率約為92W，另一個充電功率約為87W，綜合輸出功率達到179W。
充電頭網總結
隨著用戶手中電子設備數量越來越多，且充電功率越來越大，以及用戶便攜性的要求。市場對大功率、高密度、多接口的快充配件的需求越來越旺盛。
量微半導體這款200W氮化鎵5C1A快充方案算得上是一款符合市場發展需求且設計非常超前的產品，其藉助氮化鎵技術實現了開關電源的高效轉換，並讓體積得到控制；同時基於智融晶片在多口快充產品領域的優勢，實現了領先業界的5C1A六口配置，支持5路獨立輸出，性能十分強悍。此外，支持接口程序加密也是這套方案的一大特色。
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「原廠資源」
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「快充工廠」
新斯寶、坤興、華科隆、雅晶源、歐派奇
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