【60秒半導體新聞】兆芯官宣國產獨立顯卡:28nm工藝、70W功耗/長江存儲加速128層QLC快閃記憶體量產 國產設備已佔14%

2021-02-08 電子創新網
兆芯官宣國產獨立顯卡:28nm工藝、70W功耗

龍芯、飛騰、申威、兆芯、鯤鵬、海光……國產通用CPU處理器這幾年多點開花,MIPS、ARM、x86各種架構都有覆蓋,而相對來說,我國的獨立GPU圖形處理器基本還是一片空白,某種程度上它比CPU難度更大。最近在重慶、遼寧多地陸續下線的全國產計算機「天玥」系列,部分型號也顯示配備獨立顯卡,但詳情一無所知,有業內人士稱其性能也是非常的差。


近日,兆芯在一則官方視頻中公布了一份詳細的路線圖,其中不但提到了未來兆芯CPU的發展,還首次宣布了GPU獨立顯卡!


據介紹,兆芯的GPU獨立顯卡將填補國內空白,採用臺積電28nm成熟工藝製造,功耗約70W。更多詳情暫未公布,而發布時間看起來最快今年年底,慢則明年見。


CPU方面,兆芯在今明兩年也有兩款新品曝出,一是面向低功耗筆記本、平板領域的,繼續使用臺積電16nm工藝,4核心,主頻2.0GHz,集成DX12 GPU圖形核心,功耗僅為15W。


二是面向高端伺服器的,也是臺積電16nm工藝,內部雙Die封裝組成最多16核心,主頻超過2.0GHz,支持八通道DDR4內存、128條PCIe 3.0通道,支持雙路並行,官方稱可以達到Intel中高端至強產品的水平。

長江存儲加速128層QLC快閃記憶體量產 國產設備已佔14%

從32層快閃記憶體小試牛刀,到64層快閃記憶體擔綱主力,再到今年4月份宣布128寸QLC快閃記憶體,長江存儲的國產快閃記憶體事業已經節節升高。伴隨著產能的增長,長江存儲也不斷加大國產半導體設備的採購,目前釋放的訂單中有14%都是國內廠商獲得。根據統計,截至今年7月初,長江存儲已累計釋放2048臺工藝設備,其中國產設備290臺,國產化率14%。



具體來說,北方華創中標3臺刻蝕設備,3臺薄膜沉積設備及4臺退火設備,對應領域佔比分別為6%、5%和18%;中微半導體中標9臺刻蝕設備,佔比19%;華海清科中標6臺CMP設備,佔比18%;精測電子中標3臺檢測設備,佔比13%。


14%的國產化率並不是很高的數字,但是要考慮到半導體設備行業中,幾乎都被美日歐韓公司壟斷了,國產設備拿下14%的份額已經相當不容易,未來隨著技術的升級迭代,國內率越來越高只是時間問題。


今年6月20日,長江存儲宣布啟動二期工程建設,計劃產能為20萬晶圓/月,目前的一期產能10萬晶圓/月,兩者合計將提供30萬晶圓/月的龐大產能,預計能佔到全球的20%以上,設備採購對國內廠商還是一個重要機會。


今年4月13日,長江存儲重磅宣布,其128層QLC 3D快閃記憶體(X2-6070)研製成功,並已在多家主控廠商SSD等終端產品上通過驗證。


按照長存的說法,這款產品的獨特之處在於,它是業內首款128層QLC規格3D NAND,且擁有已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND快閃記憶體晶片容量。


消息顯示,長江存儲的128層快閃記憶體Q1季度已經給合作夥伴送樣了,預計Q3季度正式量產。


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  • 國產NAND快閃記憶體一哥的救贖之路
    4 月 13 日,長江存儲宣布 128 層 QLC 3D NAND 快閃記憶體(X2-6070)研發成功,且已在群聯和聯芸兩家控制器廠的 SSD 上通過驗證。X2-6070 將率先應用於消費級 SSD,並逐步進入企業級伺服器、數據中心等領域,以滿足未來 5G、AI 時代多元化數據存儲需求。此次同時發布的還有 128 層 512Gb TLC 規格快閃記憶體晶片(X2-9060),以滿足不同應用場景的需求。長江存儲預計,128 層產品今年底到明年上半年量產,維持明年單月 10 萬片產能目標不變。
  • 半導體設備之離子注入機
    國內存儲廠商長江存儲 64 層 3D 快閃記憶體於 2019 年 9 月量產,128 層 QLC 3D NAND 快閃記憶體晶片積極備產, 2020-2021 年中旬陸續量產;國內晶圓製造大廠中芯國際正進行 14nmFinFET 產線的積極擴產,目前建設月產能 6000 片,距離 3.5 萬片/月還有較大空間,預計設備採購額也將大幅增加;安徽省《重點領域補短板產品和關鍵技術攻關任務揭榜工作方案》文件中提到著力開發低功耗高速率
  • 紫光集團展示8Gb DDR4內存晶片及晶圓,還有128層QLC 3D NAND、新華三首款高端路由晶片EasyCore
    ,包括西安紫光國芯的8Gb DDR4內存晶片和晶圓,長江存儲的128層QLC 3D NAND,新華三半導體的EasyCore,紫光展銳的一系列智慧型手機和物聯網晶片等。長江存儲展示128層QLC 3D NAND今年4月,長江存儲正式發布了業內首款128層QLC規格的3D NAND快閃記憶體,型號為X2-6070。
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    得益於Xtacking架構對3D NAND控制電路和存儲單元的優化,長江存儲64層TLC產品在存儲密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現,去年上市之後廣受好評。而在長江存儲此次發布的128層系列產品中,已全面升級到Xtacking 2.0,進一步提升NAND吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能,進一步釋放3D NAND快閃記憶體潛能。
  • 【回應】三星回應高通5G晶片全部報廢傳聞;紫光年底量產64層堆棧3D快閃記憶體,2020年推128層快閃記憶體;臺積電稱製程能做到0.1nm
    2.紫光年底量產64層堆棧3D快閃記憶體 2020年推128層快閃記憶體據報導,紫光旗下的長江存儲近年來大舉投資存儲晶片產業,其中NAND快閃記憶體是優先發展對象,目前已經形成了NAND快閃記憶體研發生產、主控IC以及後端封測等全產業鏈
  • 長江存儲64層3D NAND快閃記憶體開始量產,輕鬆實現單盤1TB容量
    根據集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,2019年第二季NAND Flash(快閃記憶體)市場,三星電子繼續保持龍頭地位,其第二季營收達37.66億美元,市場佔比34.9%;東芝存儲、威騰電子、美光、SK海力士、英特爾分別以18.1%、14%、13.5%、10.3%、8.7%的市場佔比位列二至六位。
  • 長江存儲宣布已經量產64層256 GbTLC 3D NAND快閃記憶體
    8月26日,紫光集團在第二屆中國國際智能產業博覽會上首次展出由旗下長江存儲製造的64層3D NAND快閃記憶體晶片。作為中國首款64層3D NAND快閃記憶體,一直以來都是存儲人期待和關注的。如今,長江存儲正式宣布已經開始量產基於Xtacking架構的64層256 GbTLC 3D NAND快閃記憶體。
  • 對快閃記憶體市場來說 最大的變數是國產的YMTC長江存儲
    存儲技術在CES展會上,SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D快閃記憶體(本質還是3D快閃記憶體,4D只是商業名稱),已經用於自家的
  • 長江存儲研發成功「超牛」快閃記憶體晶片,哪些公司將受益?
    4月13日,長江存儲科技有限責任公司(簡稱「長江存儲」)宣布其128層QLC 3D NAND 快閃記憶體(型號:X2-6070)研發成功,並已在多家控制器廠商的終端存儲產品上通過驗證。同時,該公司發布了兩款128層3D NAND晶片產品,分別為容量1.33Tb的128層QLC 3D NAND快閃記憶體和512Gb的128層TLC 3D NAND快閃記憶體(型號:X2-9060)。
  • 紫光展示8Gb DDR4晶片,還有128層NAND、新華三路由晶片EasyCore!
    14日,在第八屆中國電子信息博覽會(CITE 2020)上,紫光集團攜旗下各子公司展示了一系列新產品,包括西安紫光國芯的8Gb DDR4內存晶片和晶圓,長江存儲的128層QLC 3D NAND,新華三半導體的EasyCore,紫光展銳的一系列智慧型手機和物聯網晶片等。
  • 國產DDR4內存公開上市!價格有驚喜
    長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動,總投資1500億元,專業從事DRAM內存的研發、生產和銷售,目前已建成第一座300毫米晶圓廠並投產,並通過專用研發線快速迭代研發,結合當前先進設備大幅度改進工藝,開發出了獨有的技術體系。
  • 【60秒半導體新聞】中國科學院:「木蘭」語言存在欺瞞問題 當事人劉雷停職檢查/存儲器市場迎來中國玩家 國產破局國際壟斷
    而長江存儲董事長、紫光集團董事長兼CEO趙偉國在現場也坦言,從2016年7月成立到現在三年多,長江存儲這一「中國半導體有史以來最大的項目」,經歷了從32層到64層研發,過程非常不容易。與此同時,經歷了一年多大蕭條的存儲器市場逐漸回暖,長江存儲這一國產存儲器廠商將迎來發展良機。
  • 國產存儲晶片產業格局與重點上市公司分析
    長江存儲成立於2016年7月,總部位於武漢,是一家專注於3D NAND快閃記憶體晶片設計、生產和銷售的IDM存儲企業,是紫光集團旗下重要的存儲晶片廠商。截至目前長江存儲已在武漢、上海、北京等地設有研發中心,全球共有員工5000餘人,其中研發工程師約2000人。公司於2016年底開工建設,並於2018年底實現32層3D NAND的量產。
  • 長江存儲64層快閃記憶體已量產;博通晶片被曝內核級漏洞;Gartner發布2019年全球半導體廠商排行
    長江存儲 | 博通 | 工信部 | 華為快閃記憶體 | 安全漏洞 | 攜號轉網 | 限制 | 2019 TOP10全文共1260字 閱讀時長約10分鐘「滾滾長江東逝水,浪花淘盡英雄」,低調如長江存儲處,迎來好消息;「道路千萬條,安全第一條」,博通數據機晶片遇到麻煩。進入今日與非早報。
  • FMS 快閃記憶體峰會:長江存儲突破性技術XtackingTM,NAND I/O速度可以達到3.0Gbps
    長江存儲在2018年FMS快閃記憶體峰會上重點解釋了自己的NAND技術Xtacking TM。長江存儲是第一家生產3D快閃記憶體的中國製造商,這大大的減少了減少對韓國(三星)或美國(美光)供應商的依賴。值得一提的是長江存儲64層的NAND存儲容量為256 GBit;96層最高已達到512 GBit至1 TBit。