碳化矽廠啟動上市輔導 華為哈勃參投其A輪融資 第三代半導體迎來新...

2021-01-21 巨豐財經

據山東證監局資料顯示,山東天嶽先進科技股份有限公司已與海通證券[600837.SS、06837.HKEX]在近日籤訂首次公開發行股票並上市輔導協議。

天嶽科技是一家寬禁帶(第三代)半導體襯底材料生產商,主要從事碳化矽襯底的研發、生產和銷售,產品廣泛應用於電力電子、微波電子、光電子等領域。華為旗下哈勃科技投資在8月參與了天嶽科技的A輪融資。數據顯示,哈勃投資持股8.37%。

除了天嶽科技外,哈勃近日新增一家對外投資——瀚天天成電子科技(廈門)有限公司,同樣專注於碳化矽的高新技術企業,是國內首家產業化3、4、6英寸碳化矽外延晶片生產商,同時代理銷售半導體相關的產品及技術。瀚天天成近期目標是成為全球市場主要的碳化矽外延晶片供應商。

碳化矽(SiC)屬於第三代半導體材料,相比於矽基,碳化矽擁有更高的禁帶寬度、電導率等優良特性,更適合應用在高功率和高頻高速領域,如新能源汽車和 5G 射頻器件領域。除了華為兩次投資布局以外,多家上市公司也已提前布局,隨著天嶽科技衝刺上市,有望為碳化矽板帶來新的催化。

相關公司方面,第三代半導體 板塊顯示,

露笑科技:子公司露笑藍寶石近日與國宏中宇的控股子公司山東國宏中能科技發展有限公司籤訂了《碳化矽長晶成套設備定製合同(第二批)》,合同總金額9600萬元。此外公司還與合肥市長豐縣人民政府共同投資建設第三代功率半導體(碳化矽)產業園,項目總投資100億元。

雙良節能:子公司江蘇雙良新能源裝備有限公司2019年與江蘇卓遠半導體有限公司就「集成電路級大尺寸高性能單晶矽的生長智能裝備技術的開發合作」、「第三代半導體碳化矽晶體批量生產項目的量產化技術合作」籤署戰略合作協議,推動第三代半導體碳化矽(SiC)晶體量產化,實現國內半導體產業在高端裝備製造領域自主化取得新突破。此外公司3日晚公告稱,與陝西煤業化工物資集團有限公司黃陵分公司於近日籤訂了《黃陵礦業燃煤發電有限公司店頭電廠2×660MW發電工程間接空冷系統設備買賣合同》,合同金額為人民幣10927.80萬元。

派瑞股份:公司將通過首次公開發行股票募集資金建立具有小批量一定中試能力的碳化矽基器件研發實驗中心,以滿足新產品的研發和中試供應市場。

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