存儲晶片 - CSDN

2020-12-19 CSDN技術社區

美光科技在6月29日（本周一）公布了第三季度的財報，美光執行長Sanjay Mehrotra指出：「展望2020下半年的市場趨勢，有三個關鍵點。首先，希望數據中心的前景廣闊；第二，希望智慧型手機和消費者終端設備的銷售情況繼續改善，從而加速整個供應鏈中的庫存消耗；第三，希望新的遊戲機推動更多的DRAM和NAND需求。」

最新的數據顯示，美光科技在DRAM的出貨量和NAND ASP（平均售價）增長方面超過了其競爭對手三星和SK Hynix。五年前，我國清華紫光擬收購美光科技以加強DRAM和NAND快閃記憶體實力，但最終並未成功，到目前為止，DRAM和NAND依然是我國缺少的關鍵半導體組件之一。

我國半導體存儲晶片的現狀如何？與美光科技等存儲晶片巨頭的差距還有多遠呢？

國產晶片供需缺口較大

我國一直在努力減少對國外半導體製造公司的依賴，根據《中國大陸的半導體和設備市場：分析與製造趨勢》報告顯示， 2019年我國在集成電路上的進口4451.3億塊集成電路，同比增長6.6%，進口額為3055.5億美元，同比下降2.1%。集成電路出口2187億塊，同比增長0.7%，出口額為1015.8億美元，同比增長20%。

目前，中國OEM廠商生產電子設備所需的半導體設備需求與中國內部製造供應之間在存在著較大的缺口，儘管中國自主製造的晶片數量逐年上漲，但需求量也逐年升高，預計到2022年供應量達到4千億，需求量達到7.5億，供需差距3.5億片。

儘管在2019年受到貿易限制的影響，但中國的半導體進口量增速不減，2020年新冠疫情下，中國半導體進口量的增長速度甚至更快。

 在這樣的情況下，過去九個季度裡中國的兩家製造存儲晶片公司，生產3D NAND的長江存儲技術（YMIC）和生產DRAM的長鑫存儲技術有限公司（CXMT）分別購買了30億美元的生產設備。

國內存儲晶片發展現狀

在中國的存儲晶片市場上，許多公司都在加緊部署新的晶圓廠，無論是從資金上，還是技術上，都馬力十足。

長鑫存儲

長鑫存儲的第一家晶圓廠已經宣布了19nm技術的計劃，總產能12萬片/月，產能從兩萬片每月提升到三萬片，推遲了一年多，於2019年底開始生產。長鑫存儲計劃在其Fab 1附近再增加兩個晶圓廠。

此外，長鑫存儲也定下了下一步目標，預計在未來2-3年時間推進LPDDR5 DRAM產品開發，工藝升級到17nm以下。

長江存儲

長江存儲在武漢的第一個工廠是一座單層建築，每月產能為12萬片晶圓。利用其全資子公司武漢新芯（XMC）現有的12英寸工廠，長江存儲於2017年成功設計並製造了首款32層NAND快閃記憶體晶片。

2019年9月2日，長江存儲宣布64層 NAND快閃記憶體晶片已投入生產，基於Xtacking架構的256Gb TLC 3D NAND快閃記憶體已投入量產 。

2020年4月13日，長江存儲宣布通過與多個控制器合作夥伴的合作，其128層1.33Tb QLC 3D NAND快閃記憶體晶片X2-6070通過了SSD平臺上的示例驗證。

據悉，長江存儲的母公司清華紫光集團計劃在武漢的第一家晶圓廠旁建造第二家晶圓廠，原定於2020底開始，但目前進度已經加快了。儘管清華紫光集團沒有透露該工廠的年產能以及投資金額，但該公司正在考慮在十年內對其DRAM業務進行總計8000億元人民幣的投資。

重慶清華紫光

清華紫光集團於8月27日宣布，已與重慶市政府籤署協議，成立研發中心和DRAM晶圓廠。該晶圓廠預計於2022年完工，每月生產10萬片晶圓。該晶圓廠最初計劃於去年開始建設，但因為貿易限制以及新冠疫情而推遲了。

兆易創新

兆易創新於2020年4月宣布，計劃通過非公開發行新股籌集43.2億元人民幣，為進軍DRAM存儲市場提供資金。除了自己的DRAM計劃，兆易創新還將投資長鑫存儲。

長江存儲128層NAND即將投入生產，僅落後美光兩個季度

2019年，長鑫存儲的DRAM落後領先的DRAM製造商至少兩代，到2021年，長鑫存儲將落後美光、三星和SK Hynix三代。

2018年，長江存儲的32層NAND落後世界領先的NAND製造商三代，但隨著長江存儲路線圖的加速，在2020年宣布推出了128層NAND，計劃於2020年第四季度投入生產，這意味著長江存儲的新NAND將僅僅落後美光和SK Hynix兩個季度，與Kioxia/Western Digital（WDC）112層NAND不相上下。

值得一提的是，長江存儲的第二個NAND晶圓廠的建設計劃將提前。長江存儲的NAND器件使用的是DUV浸沒式光刻技術製造，即便是沒有ASML的EUV，也能夠生產3D NAND晶片。

因此，我們在追趕美光的過程中，並沒有太多設備上的障礙，這場存儲晶片追擊戰，有信心取得勝利。

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