隨著三星Exynos 990和麒麟990移動平臺的問世，一種名為「7nm+EUV」的全新工藝登上了歷史舞臺。
與此同時，FinFET電晶體技術也已有望被GAAFET所取代，未來的SoC晶片將因這兩種新技術而出現翻天覆地的變化。
摩爾定律遇阻
自1965年英特爾創始人之一的戈登·摩爾提出摩爾定律以來，半導體領域就一直在遵循著「當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18個~24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍」這個規律前行。
然而，摩爾定律引領的工藝革新節奏在2013年便出現了放緩的現象，這一點從英特爾14nm製程工藝從2015年誕生並將沿用到2020年就很能說明問題。
看到這裡，不少用戶可能會產生疑問：摩爾定律失效就失效唄，反正以現有工藝生產的晶片也不是不能用。
工藝升級的必要性
處理器、內存、快閃記憶體、各種電源管理和控制類的晶片，都是摩爾定律的受益者。
以處理器為例，其主要構成就是電晶體，電晶體數量越多性能越強，而更先進的製程工藝意味著在有限的面積內可以塞進更多的電晶體。
你不希望家裡的電腦和隨身的手機具備更強悍的性能動力嗎？
此外，製程工藝的升級，還能降低功耗，並在提升性能的同時大幅縮小晶片的封裝面積。
還是以英特爾為例，其在45nm時期封裝面積為100平方毫米的處理器晶片，32nm工藝時期就可將晶片面積縮小到62平方毫米，在22nm、14nm和10nm上更是能進一步壓縮到38.4平方毫米、17.7平方毫米和7.6平方毫米。
以此同時，在最新10nm工藝節點上，每平方毫米的電晶體數量也能超過1億個！
如今無論是PC還是手機都在堅持「瘦身」，更小封裝面積的晶片，可以讓這些電子設備變得更輕更薄，還能大幅降低生產晶片的成本——在一張晶圓上可以切割出更多的晶片。
請不小小看這個變化，生產晶片的重要原料是從沙子中提取的矽，而符合半導體工業要求的沙子也並非沙漠、海灘中隨處可見的細沙，而是需要直徑足夠大的「砂礫」。
前不久網上流傳的「造晶片的沙子不夠用」的文章就已經指出，隨著建築工業用砂資源的緊缺，相關產業的成本將面臨極大的壓力。
在這個大環境下，生產工藝的革新恰好可以對衝生產原料緊張的風險，摩爾定律「重啟」的重要性不言而喻。
那麼，如何才能讓摩爾定律重回正軌？除了砷化銦鎵（InGaAs）及磷化銦（InP）等三五族半導體材料以外，EUV和GAAFET技術就是最近幾年內最為關鍵的核心技術。
淺析EUV光刻機
在晶片製造業中，「光刻機」是科技含量最高，也是最為核心的設備之一，它涉及到系統集成、精密光學、精密運動、精密物料傳輸、高精度微環境控制等多項先進技術。
光刻機的原理
光刻機的工作原理是把晶片的電路設計圖案縮小後，以納米級別的精度，通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，映射並蝕刻到半導體材料（晶圓矽片）上，然後再使用化學方法顯影，最終得到刻在矽片上的電路圖。
我們可以將這個過程理解為傳統的膠片相機，讓光線通過鏡頭投射到膠捲實現曝光，再經過顯影液浸泡得到清晰的，還原了鏡頭前景色的照片。只是，光刻機鏡頭前的景色變成了晶片電路設計圖，而最終「洗」出來的照片，則是矽晶片成品。
總之，光刻機就是使用光線蝕刻的方式製造晶片，所謂的更先進工藝（如7nm相較與10nm），就是需要在晶圓矽片上蝕刻出更精細（降低電晶體間距）的電路，此時光源將扮演至關重要的角色。
光源的意義
歷史上，光刻機曾使用過採用汞燈產生的436nm和365nm波長的光作為蝕刻光源，用於生產0.8μm~0.35μm（微米，注意不是納米，1微米=1000納米）的晶片。
隨後，光刻機進入了193nm波長的準分子雷射時代，可以生產7nm以上製程工藝的晶片。目前主流的光刻設備都採用了DUV（深紫外光刻，包含ArF和KrF光源）技術，也就是我們熟悉的DUV光刻機。
問題來了，由於DUV光刻機使用光源的波長較長，需要多重光罩/曝光才能實現7nm製程（造成成本上升及生產周期延長），而且更小的電晶體間距也將面臨一定的漏電問題，無法完美發揮出7nm工藝應有的電氣性能。
臺積電第一代7nm工藝（驍龍855、麒麟980）本質上就屬於7nm+DUV工藝，屬於7nm時代的「半成品」。當然，7nm+DUV的性能也足以完勝臺積電和三星早期的10nm，只是不夠完美而已。
DUV光刻機生產7nm就已經達到極限，自然沒法滿足下一代5nm製程工藝的需要。如果不想辦法加以解決，摩爾定律在7nm→5nm節點的升級中又將遭遇延期。
EUV光刻機顯威
EUV（極紫外光刻）技術就是為了解決上述問題而誕生的，它採用了波長為13.5nm的極紫外光，波長僅有DUV光刻設備193nm光源的1/15，能夠在矽晶片上刻下更小的溝道，只需1次光罩/曝光就能搞定最新的7nm製程，大幅降低了生產成本和生產周期。
目前，臺積電和三星都已經實現了7nm+EUV製程工藝的量產，並分別用在了麒麟990 5G版和Exynos 9825/990身上。以麒麟990 5G版為例，它在7nm+EUV的加持下首次在移動SoC身上實現了集成多達103億個電晶體的歷史性突破，但其晶片面積卻僅與上代麒麟980基本持平，板級面積還縮小了36%。
可以說，當光刻機進入EUV時代後，有望重新解鎖摩爾定律，讓5nm和3nm走上既定的軌道。
EUV光刻機的局限性
極紫外光刻技術概念早在上世紀九十年代就已經出現，來自荷蘭的ASML公司於1999年就展開了EUV光刻機的研發，但直到2016年才實現對下遊客戶的供貨，而EUV光刻機被用於生產我們常見的7nm製程的處理器則被進一步拖延到了2019年。
導致EUV光刻機商業化延誤的原因有很多，比如成本太高——最先進的EUV光刻機售價高達1億美元一臺，是DUV光刻機價格2倍多，採購以後還需要多臺747飛機才能運輸整套系統。
此外，EUV光刻機必須在超潔淨環境中才能運行，一小點灰塵落到光罩上就會帶來嚴重的良品率問題，並對材料技術、流程控制、缺陷檢驗等環節都提出了更高的要求。
最關鍵的是，EUV光刻機還極度耗電，它需要消耗電力把整個環境都抽成真空（避免灰塵），通過更高的功率也彌補自身能源轉換效率低下的問題，設備運行後每小時就需要耗費至少150度的電力。
當然，這些都不是咱們消費者需要考慮的問題，我們只需知道，只有引入EUV技術的7nm才是真正的7nm，而這項技術也將伴隨未來的5nm和3nm一路前行。
換句話說，未來在購買電子設備時，採用EUV技術生產的CPU等晶片會更具競爭力。
淺析GAAFET技術
英特爾自22nm，三星和臺積電分別從14nm和16nm製程節點時期引入了FinFET立體電晶體技術，為更先進的晶片設計奠定了基礎。
然而，當製程工藝跨過7nm進入5nm製程節點後，FinFET也將遭遇物理極限，此時只有GAAFET技術的引入才能讓摩爾定律繼續前行。
FinFET成就3D電晶體
晶片內部是由無數電晶體組成，在單位面積裡電晶體數量越多性能越強，前文我們提到的DUV和EUV光刻機，其意義就是在單位面積中進一步縮短電晶體間距，增加電晶體密度（數量）。
但是，電晶體密度越高，漏電問題越嚴重，造成晶片發熱增加和性能下降。
在2011年以前，傳統電晶體結構都是平面的，只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開。
為了解決漏電問題，英特爾在22nm處理器時期帶來了FinFET（鰭式場效應電晶體）架構，這種電晶體的特色是將傳統平面、越來越薄的絕緣層改變為立體的狀態，閘門被設計成類似魚鰭的叉狀3D架構，可於電路的兩側控制電路的接通與斷開，通過大幅度提升源極和柵極的接觸面積，使得電晶體在控制漏電電流方面得到改善。
需要注意的是，都是FinFET，背後的技術原理和實際性能也可能存在較大的差異。
比如英特爾在最新10nm工藝上帶來了第三代FinFET立體電晶體技術，電晶體密度達到了每平方毫米1.008億個，遠遠高於三星10nm工藝的電晶體密度（約5510萬個），甚至可以媲美三星和臺積電的7nm工藝，並在最小柵極間距和最小金屬間距方面也有著巨大的優勢。
GAAFET為未來掃清障礙
目前我們所看到的所有小於16nm工藝的晶片都採用了FinFET立體電晶體，但就好像DUV光刻機一樣，FinFET雖然可以勉強達到設計和生產5nm製程工藝的最低要求，但要想100%發揮5nm的全部潛力，漏電問題依舊是無法繞過的檻。
好消息是，主流晶片廠商都已經為此做好了準備，並提出了名為「GAAFET」（Gate-All-Around，環繞式柵極技術）的橫向電晶體技術。
和FinFET相比，GAAFET實現了柵極對溝道的四面包裹，利用線狀或者平板狀、片狀等多個源極和漏極橫向垂直於柵極分布。
從物理結構來看，GAAFET是一種比FinFET更加立體和複雜的3D電晶體。
需要注意的是，三星在GAAFET的基礎上還提出了變體的「MBCFET（多橋通道FET）」專利技術，它使用通道結構來排列nm片，增加了柵極和溝道之間的接觸面積，並實現了電流的增加。
目前，英特爾、三星和臺積電都已經對GAAFET技術開始試產，而它的首次商業化亮相應該就在不遠的5nm時代，而GAAFET能否成為更先進工藝的最佳搭檔，還得等時間來驗證。
總之，當摩爾定律遇到22nm以下的製程工藝節點後可謂寸步難行，很多常見的物理定律都會失去作用。為了解決微縮尺度所帶來的各種不確定性，我們看到了High-K、特種金屬、SOI、FinFET、EUV和GAAFET在內的各種增強技術。
作為普通用戶，站在最佳消費體驗的角度來看，我們自然是希望摩爾定律永遠有效，讓我們新買的各種電子設備不斷變強。但是，與此同時，我們也應該感謝為了維繫這個定律繼續前行的科研工作者們。