Abrupt junction 突變結 ~r.,=]`N
Accelerated testing 加速實驗 |5CU%2
Acceptor 受主 J D7 R
Acceptor atom 受主原子 (o!6zsQ
Accumulation 積累、堆積 h%H zbG
Accumulating contact 積累接觸 `W<} Fb
Accumulation region 積累區 Y)!L<^~
Accumulation layer 積累層 Fn>`)x/k\
Active region 有源區 f Ya w\L j
Active component 有源元 !cYR?zsq#n
Active device 有源器件 1.FzTM%
Activation 激活 q[ 7 v&
Activation energy 激活能 ]m`'Gc(E<
Active region 有源（放大）區 2[ 1 #)})
Admittance 導納 { H_tnO|)
Allowed band 允帶 o<_~rY a1
Alloy-junction device合金結器件 [;MZ FO?R
Aluminum(Aluminium) 鋁 d$ Q'J/
Aluminum – oxide 鋁氧化物 I"bPRr-
Aluminum passivation 鋁鈍化 S]^a$BwP
Ambipolar 雙極的 5}O&%{.Y
Ambient temperature 環境溫度 kp!lBo~W
Amorphous 無定形的，非晶體的 Oax8m&IhO
Amplifier 功放 擴音器 放大器 {a ,T EO
Analogue(Analog) comparator 模擬比較器 o@TJla
Angstrom 埃 Zt;1} "~J
Anneal 退火 x)3t}G=
Anisotropic 各向異性的 K"`ZQ}+-w
Anode 陽極 `CS@S<TU|
Arsenic (AS) 砷 xInW4<
Auger 俄歇 p#Y$Fs@:
Auger process 俄歇過程 L(gmI"it9
Avalanche 雪崩 wZ _h:=w
Avalanche breakdown 雪崩擊穿 *hj$ s
Avalanche excitation雪崩激發 ZBp 1LbC#
Background carrier 本底載流子 9dd.J+
Background doping 本底摻雜 &%N\ Mb7
Backward 反向 m\;2n%N
Backward bias 反向偏置 x Sv07PH
Ballasting resistor 整流電阻 Qub#5
Ball bond 球形鍵合 h RD52G
Band 能帶 spqU1,MM/
Band gap 能帶間隙 I mpDX
Barrier 勢壘 B"sv9;x
Barrier layer 勢壘層 -sIrL
Barrier width 勢壘寬度 V?G--T
Base 基極 0I uVzZ
Base contact 基區接觸 gZv8;I
Base stretching 基區擴展效應 G@go5'^O
lR6 #$$4
Base transit time 基區渡越時間 <= RaWQ
Base transport efficiency基區輸運係數 -h1JdE~
i{[oCd7(
Base-width modulation基區寬度調製 /mZ` z&|g
Basis vector 基矢 *Cl5Y':|h
Bias 偏置 Ra\g OOOr
Bilateral switch 雙向開關 oL]X
Binary code 二進位代碼 HH=3> rj
Binary compound semiconductor 二元化合物半導體 FNfkWuk!K
Bipolar 雙極性的 f '1sBD
Bipolar Junction Transistor (BJT)雙極電晶體 g6xOWT)8L
Kgu!dos4
Bloch 布洛赫 4wb^$1XR
Blocking band 阻擋能帶 3DY0Py,
Blocking contact 阻擋接觸 rqxCjh\D
Body - centered 體心立方 !HL~=-b{p
Body-centred cubic structure 體立心結構 B<WW'` ubj
Boltzmann 波爾茲曼 ,) rxpf'L
Bond 鍵、鍵合 }siiBC`;
Bonding electron 價電子 'K"m8kI2
Bonding pad 鍵合點 db @v6Z\
Bootstrap circuit 自舉電路 A7Y-`.&[i
Bootstrapped emitter follower -^YJ)L}t
自舉射極跟隨器Boron 硼 =a* Dp+!/
Borosilicate glass 硼矽玻璃 M ~^U|
Boundary condition 邊界條件 *cCRn%4
Bound electron 束縛電子 @ ]-4[
Breadboard 模擬板、實驗板 *fLj>n1
Break down 擊穿 U%N)9F P
Break over 轉折 Mh=z}hZ`H
Brillouin 布裡淵 F3j84"e7|d
Brillouin zone 布裡淵區 ou-a}"{R%
Built-in 內建的 ;;*knu<>
Build-in electric field 內建電場 hakHTeW
Bulk 體/體內 a6FR.;)B>
Bulk absorption 體吸收 k\M*OUZ^$
Bulk generation 體產生 UD(B\2
Bulk recombination 體複合 S: e) Y
Burn - in 老化 qJJL^xV
Burn out 燒毀 T]:H8?
Buried channel 埋溝 ZN kr1f
Buried diffusion region 隱埋擴散區 D gLKh04LN
Can 外殼 p =[YB(
Capacitance 電容 Ov$K~2]iQ1
Capture cross section 俘獲截面 ZU3>5(
Capture carrier 俘獲載流子 crxXyz[,
6BjzkycLh {{分頁}}
Carrier 載流子、載波 sVYou>n
Carry bit 進位位 Zf Gk`4
Carry-in bit 進位輸入 w)Wby~1 =Y
Carry-out bit 進位輸出 _Fa)u6`/T
Cascade 級聯 (-@GEHd
Case 管殼 rP9VI@(
Cathode 陰極 ".^9fl
Center 中心 -rOH,=L
Ceramic 陶瓷（的） , nmWrf<O
Channel 溝道 1#h1BK
Channel breakdown 溝道擊穿 >3L6{~QAbA
Channel current 溝道電流 2 K"sD`N
Channel doping 溝道摻雜 `J2+
Channel shortening 溝道縮短 ~n,F*@MHl
Channel width 溝道寬度 tQ.3Y$X3U)
Characteristic impedance 特徵阻抗 Z;79mZ
Charge 電荷、充電 (:_iv
Charge-compensation effects 電荷補償效應 uNxNXA]bV
Charge conservation 電荷守恆 fjREy-0X
Charge neutrality condition 電中性條件 5)Qy
Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 電荷驅動/交換/共享/轉移/存儲 rcu9_q qb
"[b9 a
Chemmical etching 化學腐蝕法 ~^uv]rqu
Chemically-Polish 化學拋光 yQaR=2
Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化學機械拋光 v um'Z{_
Chip 晶片 N c~~
Chip yield 晶片成品率 HRn*{Ip
Clamped 箝位 d"| V9
Clamping diode 箝位二極體 3I/4 rNz
Cleavage plane 解理面 LdyQHT_u@w
Clock rate 時鐘頻率 U:pj\(
Clock generator 時鐘發生器 ApzL&a"
Clock flip-flop 時鐘觸發器 T"30J?/
Close-packed structure 密堆積結構 uF{am~J[e
Close-loop gain 閉環增益 Ht,^p1& f
Collector 集電極 OJXXP9|
Collision 碰撞 jB*+m{ZdQo
Compensated OP-AMP 補償運放 i^;r<_=+
Common-base/collector/emitter connection 共基極/集電極/發射極連接 Y$"=IRiv#
Common-gate/drain/source connection 共柵/漏/源連接 @3t59[[S$
Common-mode gain 共模增益 (H]VSv
Common-mode input 共模輸入 ?G(0`e~BmJ
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 JL o1
Compatibility 兼容性 .9}00 (W
Compensation 補償 ['Qv_ V
Compensated impurities 補償雜質 42.tc:m>h
Compensated semiconductor 補償半導體 ['D ;j^
Complementary Darlington circuit 互補達林頓電路 9DO1b:~
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) ds"`&=e
互補金屬氧化物半導體場效應電晶體 :A[L.3
Complementary error function 餘誤差函數 F[+En$X:
Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 計算機輔助設計/ 測試 /制 1x|r;W<:5L
造 SBts$AhqVF
Compound Semiconductor 化合物半導體 ~_n3"^tSlb
Conductance 電導 EWGE5-
Conduction band (edge) 導帶(底) r7<qzXdJ
Conduction level/state 導帶態 RzAMA#_
Conductor 導體 z-bNho4T
Conductivity 電導率 A+ AuRX?z
Configuration 組態 1r6},Jv
Conlomb 庫侖 1Z*n6W+?
Conpled Configuration Devices 結構組態 d:YtTL@2
Constants 物理常數 #fNn)A:jC
Constant energy surface 等能面 -WjoC>I?
Constant-source diffusion恆定源擴散 /GF,-(
Contact 接觸 T5P[y S
Contamination 治汙 4|=Ekf Z`
Continuity equation 連續性方程 4 |%X]H
Contact hole 接觸孔 $ }2{
Contact potential 接觸電勢 y[m"
Continuity condition 連續性條件 <n{B@o$x
Contra doping 反摻雜 [@Yc"
Controlled 受控的 QdCTO
Converter 轉換器 K`L/2u.2
Conveyer 傳輸器 szI%Soclq
Copper interconnection system 銅互連繫統 R86p=$I;
Couping 耦合 B_M3qrP?
Covalent 共階的 L/I?@.;E
Crossover 跨交 hPWTV;m!R
Critical 臨界的 3E9"{?M6
Crossunder 穿交 Pz1w;h c[
6jM1_QYXYg
Crucible坩堝 4da'7M~cc
Crystal defect/face/orientation/lattice 晶體缺陷/晶面/晶向/晶 "9x)5]
格 x^LSAe6?_
Current density 電流密度 z< myf
Curvature 曲率 ;WL Y:J
Cut off 截止 5'<J97"\
Current drift/dirve/sharing 電流漂移/驅動/共享 Ldi+z"5'Tq
+Ef8\2
Current Sense 電流取樣 RIl@=Va
Curvature 彎曲 >q_/au> c
Custom integrated circuit 定製集成電路 V. (wTFas
Cylindrical 柱面的 |M+4L[ J
Czochralshicrystal 直立單晶 `r&e /}0Zy
Czochralski technique 切克勞斯基技術（Cz法直拉晶體J [Wzz+B@`
Dangling bonds 懸掛鍵 \sCla 3
Dark current 暗電流 mIYiHMM1
Dead time 空載時間 zVy{L%LE
Debye length 德拜長度 >-x/o
De.broglie 德布洛意 `O#/V5w
Decderate 減速 Oms$RnQ
Decibel (dB) 分貝 U/ whI&3
Decode 解碼 t1]f@VP
Deep acceptor level =Q.?2eK:
深受主能級 #D EeOz
Deep donor level 深施主能級 s>#qQasKa
Deep impurity level 深度雜質能級 {ye%h
Deep trap 深陷阱 DiVh3;
Defeat 缺陷 5(e$MF ({
Degenerate semiconductor 簡併半導體 l-\b-m
Degeneracy 簡併度 ZNCw 6"
Degradation 退化 d;Dpx?| {{分頁}}
Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 攝氏/開氏溫度 w Xo8d
Delay 延遲 VLPLAz^U}
Density 密度 ]wjF nCX
Density of states 態密度 &)j_fh!O7w
Depletion 耗盡 8J,ZDE_T-
p^42
Depletion approximation 耗盡近似 Nr0 jDC<P
Depletion contact 耗盡接觸 OA~U
O56V-AZ=
Depletion depth 耗盡深度 m ~zo
Depletion effect 耗盡效應 ?HT2Kkw=H
Depletion layer 耗盡層 {Fsq,UJlx
Depletion MOS 耗盡MOS \ YMxQ'Yl2
Depletion region 耗盡區 09nWRJB
Deposited film 澱積薄膜 ]*.l PS!|
Deposition process 澱積工藝 sf_lDA6
Design rules 設計規則 ;[.Tf^pS
Die 晶片（複數dice） ]B7kydUj
Diode 二極體 $J,`m{Q[a
Dielectric 介電的 5#~Mkk2
Dielectric isolation 介質隔離 5d} 8?N<-
Difference-mode input 差模輸入 {6@wK-O)
Differential amplifier 差分放大器 MfPX%vA x`
Differential capacitance 微分電容 Egx9DT7
Diffused junction 擴散結 4KK4>D&R
Diffusion 擴散 #6KV
Diffusion coefficient 擴散係數 s P(2e
Diffusion constant 擴散常數 G ] /
Diffusivity 擴散率 \~ HR5
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 擴散電容/勢壘/電流/爐 MZ`}c*wem
Digital circuit 數字電路 \3U4/LX
Dipole domain 偶極疇 _- hR,n
Dipole layer 偶極層 wJm6^_!Zw
Direct-coupling 直接耦合 SeB|Rl:s
Direct-gap semiconductor 直接帶隙半導體 1) AkFO6
Direct transition 直接躍遷 'r.KohLP
R,1ppOM:
Discharge 放電 G\7j ^' x
Discrete component 分立元件 %B"9e~VU)
D(HPP";}
Dissipation 耗散 Ri"pj jB0D
Distribution 分布 NJ@pSvHi<P
Distributed capacitance 分布電容 #TBlKvgCx
Distributed model 分布模型 `z4GW|##K
Displacement 位移 ML3n .)
Dislocation 位錯 WX0=)*pZ
Domain 疇 ft ? sQ
Donor 施主 #YN_CL"l
Donor exhaustion 施主耗盡 ;Cf~tOT
Dopant 摻雜劑 W>lJ'U&_
Doped semiconductor 摻雜半導體 \GnGP!5'F
Doping concentration 摻雜濃度 @Wh8m>_
Double-diffusive MOS(DMOS)雙擴散MOS. A8~IWxf9
Drift 漂移 'S AJ;G8,
Drift field 漂移電場 9" ^^xOUF
Drift mobility 遷移率 "A9 GXS7
Dry etching 幹法腐蝕 @eDD_4 $
Dry/wet oxidation 幹/溼法氧化 ~y-ox|1
Dose 劑量 U.[|[Qlj
Duty cycle 工作周期 |>a#Gg
Dual-in-line package （DIP） 雙列直插式封裝 Y11$Q9y
Dynamics 動態 A@(.p
Dynamic characteristics 動態屬性 rQ=p >ky5
Dynamic impedance 動態阻抗 kv=Xl?X
Early effect 厄利效應 /b|<yB
Early failure 早期失效 vx#,4q
Effective mass 有效質量 lsB=-@
Einstein relation(ship) 愛因斯坦關係 PqT4s0g
Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性電可擦除只讀存儲器 q%H$=C
.}Bq23z;{
Electrode 電極 ]J5%+n}]
Electrominggratim 電遷移 }W3h-J Z
Electron affinity 電子親和勢 $MrVOZ
Electronic -grade 電子能 7hI@= S}
Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蝕劑的電子束曝光 <D=[I:] o~
Electron gas 電子氣 7 v88e
Electron-grade water 電子級純水 /C [e(3
Electron trapping center 電子俘獲中心 7<nl| ^
Electron Volt (eV) 電子伏 rbf)g<}m
Electrostatic 靜電的 H& %Kq9
Element 元素/元件/配件 ="BoHZ%
Elemental semiconductor 元素半導體 ) %VU=b;l=
Ellipse 橢圓 Tz/ [7 3
Ellipsoid 橢球 8Cw u
Emitter 發射極 u z%&MO
Emitter-coupled logic 發射極耦合邏輯 [0o3!^
Emitter-coupled pair 發射極耦合對 8TBMN
Emitter follower 射隨器 _sdU`h{`N
Empty band 空帶 KF6U R
Emitter crowding effect 發射極集邊（擁擠）效應 -eO,,2qb?
Endurance test =life test 壽命測試 #>^?=)Z_D
Energy state 能態 \H}B To0
Energy momentum diagram 能量-動量(E-K)圖 EUAY03
Enhancement mode 增強型模式 CG*cyM
Enhancement MOS 增強性MOS P,-VcG?
Entefic (低)共溶的 yfyZCm0]{
Environmental test 環境測試 juP~4E
Epitaxial 外延的 (d($,[_1
Epitaxial layer 外延層 #1 0H,{/bZ
Epitaxial slice 外延片 EYji6u7hw
Expitaxy 外延 @3L&KR"Tk
Equivalent curcuit 等效電路 Yswqn4DJ.
Equilibrium majority /minority carriers 平衡多數/少數載流子 pBv8S Z,ja
Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（編程）存儲器 1*%3i<
Error function complement 餘誤差函數 z"be" BML
Etch 刻蝕 @l[mG`>
Etchant 刻蝕劑 +Dk;`\GPl&
Etching mask 抗蝕劑掩模 JJkZf N9@~
Excess carrier 過剩載流子 _D1zgyw
Excitation energy 激發能 9v~_0n 9
Excited state 激發態 +<*_O+!K
Exciton 激子 I[ h3hT
Extrapolation 外推法 nT~H~T^
Extrinsic 非本徵的 i7CYNP4
Extrinsic semiconductor 雜質半導體