來源：第一財經
原標題：存儲器今年將持續領漲 半導體終端市場需求強勁
作者： 來莎莎
[ 集邦諮詢數據顯示，2020年第三季度，三星、海力士和美光佔據全球DRAM市場份額的94.6%。 ]
隨著5G、AI、IoT等技術帶來的消費電子和大規模數據中心的快速發展，市場對存儲的需求將越發白熱化。
「我們相信DRAM已走出行業周期的最低谷。隨著全球持續的數位化經濟發展，以及在人工智慧、雲計算、5G和智能邊緣（包括智能汽車）的推動下，預計2021年（自然年）DRAM將有所改善。」近日，美光科技CEO Sanjay Mehrotra在2021財年第一財季（截至2020年12月3日）財報會上表示。
事實上，自2016年以來，存儲器價格持續上漲曾令三星打敗英特爾，成為全球最大的半導體廠商。到了2018年9月，存儲器開始走下坡路。不過，在2019年第三季度跌至低谷後，存儲器市場又開始回暖，成為半導體行業成長最快的細分領域。
第三方機構預計，2021年存儲器市場規模將達1353億美元，同比增加13％。
需求回暖
存儲器約佔全球半導體產值的三分之一，主要分為易失存儲器和非易失存儲器，前者包括DRAM和SRAM，後者主要包括NAND Flash和 NOR Flash，DRAM和NAND Flash是存儲器的兩大支柱產業。
Sanjay表示，在2020年第四季度，雖然PC、移動、汽車和圖形領域的非存儲器件供應短缺，但大多數終端市場的總體需求仍然強勁。
DRAM是規模最大的存儲產品，市場高度集中於三星、海力士和美光三大廠。集邦諮詢數據顯示，2020年第三季度，三星、海力士和美光佔據全球DRAM市場份額的94.6%。
集邦諮詢半導體研究中心信息顯示，在各大應用中，PC DRAM佔總供給位元數13%、Server DRAM34%、Mobile DRAM40%、Graphics DRAM5%以及Consumer DRAM8%，手機和伺服器需求最大。
SK海力士CFO車晨錫(CHA JIN SEOK)在2020年三季度財報會上表示，在第三季度的存儲器市場中，由於主要的數據中心客戶顯示出庫存調整的跡象，Server DRAM和SSD的採購減弱並且價格持續疲軟。但三季度末，受傳統旺季影響，智慧型手機廠商紛紛發布新手機，而且中國5G手機開始普及，這彌補了計算產品相對低迷的需求。此外，新推出的遊戲機DRAM容量增加，並且首次採用SSD，也有助於增加需求。
集邦諮詢也表示，在經歷兩季度的庫存調整後，為減緩預期後續漲價所造成的成本上升，2021年第一季預計買方將開始提高庫存，整體DRAM的平均銷售單價將止跌回穩，甚至有微幅上漲的可能。
也正是因為主要受益於存儲器和傳感器的增長，WSTS （世界半導體貿易統計協會）報告顯示，2020年全球半導體市場增長5.1%，達4331億美元。該機構預計，2021年全球半導體將增長8.4%，市場規模達4694億美元。
市場調研機構IC Insights最新報告也顯示，2020年存儲器依舊是半導體成長最快的品類。其中，DRAM（動態隨機存取存儲器）市場預計為652億美元，在31種集成電路產品中名列第一，NAND快閃記憶體以551.5億美元位列第二，但漲幅最高，達25%。
存儲器市場回暖的背後，是中國近年來也開始推動存儲器行業，長江存儲和合肥長鑫被寄予厚望。有媒體報導稱，長江存儲計劃到2021年下半年將存儲晶片的月產量提高至10萬片，並且計劃最早於2021年中試產192層3D NAND快閃記憶體晶片。
對此，長江存儲1月13日發布聲明稱，公司發現個別境外媒體通過多種渠道刊登、散布關於公司產能建設、產品銷售等不實言論。「長江存儲自2016年7月成立至今，始終秉承守法合規的經營理念，在國內外各項實際工作中，長江存儲嚴格遵守當地的法律法規，所提供的產品與服務面向商用及民用客戶。關於公司下一步建設計劃具體情況請以公司官方渠道為準。」
存儲器將繼續領漲
展望2021年，Sanjay稱，DRAM價格已走出谷底，「主要的終端市場供應都非常緊張。因此，我們已經看到2021年第一季度（自然年），部分市場價格開始上漲。預計2021年DRAM行業的位元需求將增長17%~19%（high-teens），而DRAM行業的供應將低於需求。行業需求強於預期已消耗了供應商DRAM庫存。」
Sanjay表示，低庫存再加上2020年主要廠商嚴控資本支出，以及疫苗研發進展，將促使DRAM市場在2021年進一步趨緊。與此同時，5G手機使用的內存更高。
NAND快閃記憶體主要用在手機、固態硬碟和伺服器。集邦諮詢認為，2021年NAND Flash各類產品總需求位元數包含Client SSD（31%）、Enterprise SSD（20%）、UFS與eMMC（41%）與NAND Wafer（8%），由於供貨商數量遠高於DRAM，加上供應位元成長的幅度居高不下，預計2021年價格仍將逐季下跌。
NAND快閃記憶體壟斷度雖不如DRAM，但主要市場由三星、鎧俠、威騰電子、海力士、美光、英特爾等廠商佔據，其中三星一家就佔三分之一的市場份額。
展望2021年第一季，在三星、長江存儲（YMTC）、SK海力士與英特爾（Intel）對位元產出皆較為積極的情況下，NAND Flash供過於求態勢將更加明顯，位元產出的季增幅達6%，預估價格將季跌約10%~15%。
Sanjay預計，2021年NAND的位元需求增長約為30％，而供應可能更高。NAND市場在短期內具有挑戰性，但是，需求將逐漸改善。「我們認為，如果供應商減緩產量增長，市場將在2021年穩定下來。」
海力士方面也表示，目前來自智慧型手機的需求正在持續增長，「隨著手機廠商繼續爭奪市場份額，以及5G技術的持續普及，我們相信對移動產品的需求以及PC市場的需求將持續到2021年。」
2020年下半年，因為庫存調整，伺服器端對快閃記憶體需求有所減少，不過目前這一需求也在回升。海力士認為，NAND的供求將在2021年下半年的某個時候達到動態平衡。
此外，半導體漲價潮也延伸至NOR Flash。2020年下半年，NOR Flash晶片供不應求情形加劇，預計2021年價格將持續上漲。