JEDEC固態技術協會近日宣布發布通用快閃記憶體標準（Universal Flash Storage）UFS 3.1版（JESD220E），UFS 3.1標準相比之前的版本，主要做了三個主要更新。
1.寫增強（Write Booster）：通過一個SLC非易失性緩存，來提高數據寫入速度；2.深度睡眠（DeepSleep）：增加了一種新的低功耗狀態，讓低成本UFS設備可以使用統一的穩壓器；3.性能限制通知：當溫度過高而影響存儲性能時，UFS設備可以通知主機，以便避免影響使用體驗。從新增特性來看，UFS 3.1標準實現了更高的寫入性能、更低的功耗以及更穩定的性能管理，與新一代移動終端的存儲需求非常匹配。雖然這兩年曾經有過關於eMMC 5.0、eMMC5.1、UFS 2.0和UFS 2.1標準在體驗方面的爭論，但是從基本規格來看，升級到最新的標準勢在必行。
不過坦白講，在2020年想要看到智慧型手機全線升級到UFS 3.0或者3.1並不容易，因為新標準的普及需要一段時間以及更高的成本。從近期更新的SoC平臺規格來看，甚至某些最高也只能支持到UFS 2.1，想要採用UFS 3.0根本不可能。
另外值得關心的還有新發布的的新版主機性能增強器（HPB）擴展標準（JESD220-3）。HPB擴展允許將UFS設備邏輯到物理地址（LTP）的映射緩存在系統內存中，對於大容量UFS設備而言，使用系統內存進行地址映射緩存可以提高設備的讀取性能並降低UFS控制器的成本。對於更依賴隨機讀寫操作的行動裝置來說，HPB功能可以顯著提高使用體驗。