原標題:買手機時認清這些坑!告訴你UFS、eMMC都是些什麼鬼!
題圖:這麼無聊一定是英國人!→_→(1.9MB)
最近自從某國產品牌的快閃記憶體混用事件後,因為對實際速度有著較大幅度的影響也讓越來越多的普通消費者開始關注除處理器、內存以外智慧型手機一些細節方面的配置,其實目前對智慧型手機來講任何一個部分都會影響一部設備的實際體驗,當然考慮到除了大家一些比較容易了解的SoC、屏幕、內存等部分,那這次快閃記憶體混用中提及的UFS和eMMC 5.1、LPDDR4這些詞究竟代表什麼?今天小獅子就來跟大家好好聊聊這個代表著手機重要性能的「代號」。
論科普的重要性
講道理,快閃記憶體內存這兩個名詞解析大部分朋友雖然都已經能用「容量」方面進行很好的區分,不過相信99%都還不知道這兩個傢伙在職能方面有什麼不同,這裡小獅子還是來給大家講一講。
先說內存,手機內存(RAM)實際上作為一個經常與CPU之間常用與直接交換數據的內部儲存器,主要的作用就是為了能夠保證快速的隨時讀寫,而通常作為和作業系統和應用程式之間連接的臨時數據媒介,主要用於存儲短時間使用的程序。所以先別急著比你們的RAM,先了解清楚這貨是幹什麼用的吧。而考慮到功耗、速率等方面的原因手機則主要使用LPDDR RAM,因這樣的內存能夠在帶來較高性能的同時更加有效減少能耗,算是一種比較好的解決方案了。
接下來說說快閃記憶體,快閃記憶體(Flash Memory)大體上就是大家理解的「儲存器」,而因為具有斷電不會丟失數據等特性,相信因為SSD的大熱也被越來越多的朋友所熟知和了解,通俗來講這貨基本上你就講其理解成PC中的硬碟就可以了,因為在RAM斷電狗戴後,還是需要一個傢伙來長期保持數據而不丟失,作為一個儲存器自然是非常重要的一大環節,而這傢伙實際的運行速度將會在使用中給你帶來最明顯的感受和體驗。
而當你開始噴一款老設備反應遲鈍的時候,老舊的快閃記憶體基本上就會將這口鍋背穩。也是讓這次快閃記憶體混用問題發酵的原因之一。
下面聊點兒你關心的
拋去蘋果從iPhone 6s開始使用的NVMe不談,我們今天主聊的還是eMMC和UFS這兩種快閃記憶體規格。
先來說說eMMC,這貨的全稱為「embedded Multi Media Card」,最早是由MMC協會所訂立的;而這貨的主要作用自然就是為智慧型手機和平板電腦等智能設備產品準備的內嵌式儲存器的一個標準規格,用普通話來說就是這貨在原有各廠商挑選的儲存器上加入了一個控制器(控制晶片)在進行統一封裝後預留出的標準接口。這樣下遊廠商客戶就可以直接拿走使用。而這貨基本上在2015年之前,是所有主流的智慧型手機和平板電腦使用的存儲介質。
長江後浪推前浪
2011年電子設備工程聯合委員會發布了第一代通用快閃記憶體存儲(Universal Flash Storage,簡稱UFS)標準,即UFS 2.0的前身。不過第一代的UFS並不受歡迎,也沒有對eMMC標準產生明顯的影響。畢竟當時eMMC的勢頭還是很強勁的。當然這跟後期eMMC實際的性能已經達到極限有一定的關係。
雖然早先第一代通用快閃記憶體存儲,也就是大家稱作的UFS並沒有對eMMC標準實行什麼大的影響,不過因為這貨的迭代升級,在UFS2.0時期便開始吸引越來越多廠商的眼球,因為在讀寫速度上驚人的表現也讓當時風頭正勁的eMMC相形見絀,也陸續開始在高端市場上取代eMMC,成為行動裝置的主流標配。
而實際上,UFS 2.0共有兩個版本,其中一個是HS-G2,也就是目前的UFS 2.0。然而,另個一個版本則為HS-G3,可以稱為UFS 2.1,其數據讀取速度將飆至1.5G/s,也就是UFS 2.0的兩倍。也是當然被各大廠商旗艦產品主流選擇規格。
這兩個貨有什麼區別呢?
我們不能從人與宇宙之間的關係講起,所以小獅子還是用對比的形式介紹,作為區別,UFS2.0更像是因為在快閃記憶體規格上一項全新的標準,那麼UFS和eMMC有什麼區別呢?區別在於,UFS 2.0的快閃記憶體規格則採用了新的標準,而因為它支持串行讀寫也能夠讓實際使用中更加高效,相比我可以同時進行讀寫操作,相信你怎麼也能理解了吧?哦對了,它還支持指令隊列。
所以相比之下,eMMC因為本身讀寫需要分開進行,在速度和效率方面已經輸了一大半了,而因為UFS晶片傳輸速度更快,功耗更低,自然有資格成為日後高端、中端手機快閃記憶體方面的最強搭配。
LPDDRx是這樣的
LPDDR是美國JEDEC固態技術協會(JEDEC Solid State Technology Association)面向低功耗內存而制定的通信標準,以低功耗和小體積著稱,專門用於移動式電子產品。而其特點因為LPDDR的工作電壓相比DDR的標準電壓低很多,所以從最早第一代LPDDR,一直更新迭代至目前最新的LPDDR4x;這其中每一代升級都使得內部讀取大小和外部傳輸速度有加倍的提升。
目前最新的LPDDR4X,與LPDDR4相同,只是通過將I / O電壓降低到0.6 V而不是1.1 V來節省額外的功耗,從而達到更加省電的效果。
現在大家也有一個較為直觀的理解為什麼對快閃記憶體混用問題這麼上心的重要原因了吧?
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