美光宣布，已經成功試產了全球第一個將LPDDR5DRAM內存顆粒、96層堆疊3D NAND快閃記憶體顆粒整合封裝在一起的晶片「uMCP5」，面向追求高速內存、高性能存儲的主流和旗艦5G智慧型手機，當然用在中高端4G手機裡也沒問題。
如今的5G旗艦手機已經將LPDDR5內存、UFS3.0/3.1快閃記憶體作為標準配置，而且都是大容量，但由於傳統手機中的內存都是與SoC處理器整合封裝，快閃記憶體則是獨立晶片，會佔用不少空間，加之5G手機內部元器件急劇增加、結構非常複雜，整體設計難度也大大增加。
美光uMCP5單晶片整合了12GB容量、6400MHz頻率、第二代10nm工藝製造的雙通道LPDDR5內存，256GB容量、96層堆疊、UFS接口的3D TLC快閃記憶體，以及板載控制器，對外則是297針標準BGA封裝。
美光表示，uMCP5相比傳統內存、快閃記憶體雙晶片組合可以節省40%的面積，同時內存和存儲帶寬比上代方案提升50%。
美光表示，uMCP5晶片已經向特定客戶提供樣品，但未披露具體都有誰。
快閃記憶體資料圖
來源: 快科技