東芝推出1200V碳化矽MOSFET!適用於高效率電源

2020-12-15 騰訊網

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（「東芝」）近日宣布，推出新款1200V碳化矽（SiC）MOSFET---「TW070J120B」。該產品面向工業應用（包括大容量電源），並於今日開始出貨。

該功率MOSFET採用碳化矽（SiC）這種新材料，與常規的矽（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利於降低功耗，精簡系統。

新產品採用了可提高碳化矽MOSFET可靠性的東芝第二代晶片設計生產，實現了輸入電容低、柵輸入電荷低、漏源導通電阻低等特性。與東芝推出的1200V矽絕緣柵雙極電晶體（IGBT）「GT40QR21」相比，「TW070J120B」關斷開關損耗降低80%左右，開關時間（下降時間）縮短大約70%，並且能夠在不超過20A[2]的漏極電流下提供低導通電壓。

它的柵閾值電壓被設置在4.2V至5.8V的較高電壓範圍內，有助於減少故障風險（意外開啟或關閉）。此外，內置的具有低正向電壓的碳化矽肖特基勢壘二極體（SBD）也有助於降低功率損耗。

在大容量AC-DC轉換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉換器等工業應用中，這種新型MOSFET不僅將通過降低功率損耗來達到提高效率的目的，而且也將為縮小設備尺寸做出貢獻。

其應用範圍是大容量AC-DC轉換器、光伏逆變器和大容量雙向DC-DC轉換器。特性分別為：第2代晶片設計（內置碳化矽SBD）；高電壓、低輸入電容、低總柵電荷、低導通電阻、低二極體正向電壓、高柵閾值電壓；增強類型易於操作。

文稿來源：電子產品世界

圖片來源：拍信網

點擊在看，讓更多人看到▼

相關焦點

  • 三安集成完成碳化矽MOSFET量產平臺打造,貫通碳化矽器件產品線
    中國化合物半導體全產業鏈製造平臺 -- 三安集成於日前宣布，已經完成碳化矽MOSFET器件量產平臺的打造。首發1200V80mΩ產品已完成研發並通過一系列產品性能和可靠性測試，其可廣泛適用於光伏逆變器、開關電源、脈衝電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動等應用領域，有助於減小系統體積，降低系統功耗，提升電源系統功率密度。目前多家客戶處於樣品測試階段。
  • 英飛凌率先推出1200V碳化矽IPM的CoolSiC
    打開APP 英飛凌率先推出1200V碳化矽IPM的CoolSiC 英飛凌工業半導體 發表於 2021-01-08 11:34:51
  • 英飛凌新一代650V碳化矽MOSFET的性能和應用分析
    英飛凌科技 電源與傳感系統事業部大中華區 開關電源應用高級市場經理 陳清源據悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC™ MOSFET產品，採用2種插件TO-247封裝，既可採用典型的當然這是第一個階段，接下來，英飛凌會再推出更多的封裝（例如SMD封裝）來滿足不同領域的應用。目前該產品的目標市場，主要是伺服器/數據中心用的電源，還有通訊電源，例如4G、5G的大基站、小基站用電源，此外，還有工業電源、光伏、充電樁、UPS（不間斷電源系統），以及能源儲存。這些目標市場今後增長都將非常快速。
  • 英飛凌率先推出1200V碳化矽IPM的CoolSiC™ CIPOS™ Maxi
    英飛凌率先推出1200V碳化矽IPM的CoolSiC™ CIPOS™ Maxi
  • 碳化矽發展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創新浪潮
    近期，多家公司發布了碳化矽（SiC）方面的新產品。作為新興的第三代半導體材料之一，碳化矽具備哪些優勢，現在的發展程度如何？本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202003/411198.htm不久前，碳化矽的先驅英飛凌科技公司推出了650V 的 CoolSiC™ MOSFET ，值此機會，電子產品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業部大中華區開關電源應用高級市場經理陳清源先生。
  • 解析:國產碳化矽最新進展|sic|半導體產業|器件|mosfet|華潤微電子
    國內碳化矽器件供應商主要有中車時代電氣、中電55所、中電13所、基本半導體、泰科天潤、瑞能半導體等，以及國內功率IDM龍頭華潤微電子也進入到這一領域。國產碳化矽二極體從產品分類來看，國內廠商已有不少推出碳化矽二極體。
  • CISSOID宣布推出用於電動汽車的三相碳化矽(SiC)MOSFET智能功率模塊
    各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布，將繼續致力於應對汽車和工業市場的挑戰，並推出用於電動汽車的三相碳化矽（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM
  • 在開關電源轉換器中充分利用碳化矽器件的性能優勢
    這個需求寬帶隙(WBG)技術器件應運而生， 如碳化矽場效應管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設計人員要求的更低的寄生參數滿足開關電源(SMPS)的設計要求。650V 碳化矽場效應管器件在推出之後，可以補充之前只有 1200V 碳化矽場效應器件設計需求，碳化矽場效應管(SiC MOSFET)由於能夠實現矽場效應管(Si MOSFET)以前從未考慮過的應用而變得更具有吸引力。
  • 瞻芯電子發布工規級碳化矽(SiC)MOSFET
    2020年10月16日，在風景宜人的上海滴水湖畔----滴水湖皇冠假日酒店，「2020年瞻芯電子產品發布會」順利舉辦，正式發布基於6英寸晶圓通過JEDEC(暨工規級)認證的1200V 80mohm碳化矽（SiC）MOSFET產品。這是首款在國內設計研發、國內6英寸生產線製造流片的碳化矽MOSFET，該產品的發布填補了國內空白，產品性能達到國際先進水平。
  • 碳化矽與矽相比有何優勢?
    Cree推出了首款商用900V SiC功率MOSFET以及Wolfspeed 650V碳化矽MOSFET產品組合；Microchip和ROHM均已發布SiC MOSFET和二極體；英飛凌在推出了8款650V CoolSiC MOSFET器件。。.。。.由此看出各大廠商在SiC材料方面均有所布局並有著自己的發展策略。 碳化矽較矽有何性能優勢？
  • 使用碳化矽 MOSFET 提升工業驅動器的能源效率
    考量到幫浦、風扇和伺服驅動等工業傳動都必須持續運轉，利用碳化矽MOSFET便有可能提升能源效率，並大幅降低能耗。本文將比較1200 V碳化矽MOSFET和Si IGBT的主要特色，兩者皆採ACEPACK?封裝，請見表1。
  • 東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內置保護功能的光耦
    東芝電子元件及存儲裝置株式會社（「東芝」）近日宣布，推出「TLP5231」，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）和MOSFET的預驅動光耦，適用於工業逆變器和光伏（PV）的功率調節系統
  • 三菱電機為其碳化矽MOSFET開發高精確度電路模擬技術
    這項技術會被應用於三菱電機N系列1200V碳化矽MOSFET（金屬氧化物半導體場效應電晶體）樣品中，該樣品將從7月開始發貨。碳化矽MOSFET是三菱電機於今年六月中旬推出的新產品，它能夠根據施加在柵極上的電壓來控制從漏極到源極的電流（漏極電流），實現快速的開關操作，降低操作損耗，不僅適用於光伏系統等工業應用，應用範圍還包括電動汽車車載充電器等等。
  • 碳化矽器件的分類及典型應用
    更低的導通電阻使得碳化矽電力電子器件具有更小的導通損耗，從而能獲得更高的整機效率。 　　（2）具有更高的擊穿電壓。例如：商業化的矽肖特基二極體通常耐壓在300V以下，而首個商業化的碳化矽肖特基二極體的電壓定額就已經達到了600V;首個商業化的碳化矽MOSFET電壓定額為1200V，而常用的矽MOSFET大多在1kV以下。
  • 如何有效地檢測碳化矽(SiC)二極體?
    而新型碳化矽（SiC）半導體材料更是不負眾望，它比傳統矽材料導熱性更佳、開關速度更高，而且可以使器件尺寸做到更小。因此，碳化矽開關也成為設計人員的新寵。G0zEETC-電子工程專輯碳化矽二極體主要為肖特基二極體。第一款商用碳化矽肖特基二極體十多年前就已推出。從那時起，它就開始進入電源系統。二極體已經升級為碳化矽開關，如JFET、BJT和MOSFET。
  • Power Integrations宣布旗下適用於SiC MOSFET的SCALE-iDriver現已...
    深耕於中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司近日宣布，其適合碳化矽(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅動器 SIC118xKQ SCALE-iDriver™
  • 英飛凌高管談碳化矽
    英飛凌科技電源與傳感系統事業部大中華區開關電源應用高級市場經理陳清源告訴記者，市場追逐SiC，主要是看好他們在帶隙、擊穿場強、熱導率和電子漂移速度等幾個方面的特性。陳清源表示，英飛凌在碳化矽領域已經有了十幾年的經驗，公司推出的SiC二極體，也已經更新到第六代。此外，公司還有一些應用在汽車領域的大功率SiC模塊。而為了幫助開發者更好地利用SiC的優勢，英飛凌除了研發相關器件以外，還推出了專門的驅動IC，這與其SiC MOSFET搭配，獲得了更高的效率和更高的穩定度。
  • 3月新品推薦:光電模塊、MOSFET、光耦、電感
    高度光電轉換率的2W Merano-Hybrid適用於最新的3D傳感技術，包括飛行時間和結構光等方案。臉部識別、增強現實、3D對象掃描、3D圖像呈現及其他工業和汽車應用均將受益於Merano Hybrid的使用，且已實現量產。
  • 安森美半導體的碳化矽(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器
    推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)，推出一款適用於 太陽能逆變器應用 的 全SiC功率模塊 ，該產品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用於支持其M70A
  • 碳化矽增長勢頭強勁 英飛凌加速布局
    關於碳化矽市場前景、英飛凌的布局和投入，英飛凌科技電源與傳感系統事業部大中華區開關電源應用高級市場經理陳清源分享了自己的觀點。相比矽和氮化鎵，碳化矽適用的電壓範圍較高，從650V到高壓3.3kV，因而應用範圍較為廣泛，例如風電、大數據中心的供電等。此外，碳化矽能兼顧性能、易用性、堅固性，在高溫和惡劣環境下保證可靠性。雖然碳化矽市場還處在早期階段，但已經顯現出比矽更快的增長速度。