瞻芯電子發布工規級碳化矽(SiC)MOSFET

2020-12-15 集微網

2020年10月16日,在風景宜人的上海滴水湖畔----滴水湖皇冠假日酒店,「2020年瞻芯電子產品發布會」順利舉辦,正式發布基於6英寸晶圓通過JEDEC(暨工規級)認證的1200V 80mohm碳化矽(SiC)MOSFET產品。這是首款在國內設計研發、國內6英寸生產線製造流片的碳化矽MOSFET,該產品的發布填補了國內空白,產品性能達到國際先進水平。

瞻芯電子自2017年7月17日成立伊始便啟動6英寸SiC MOSFET產品和工藝的研發工作,於2018年5月全部打通了SiC MOSFET的關鍵工藝並製造出第一片國產6英寸SiC MOSFET晶圓。經過三年的深度研發,成為中國第一家自主開發並掌握6英寸SiC MOSFET產品以及工藝平臺的公司。2020年9月11日,瞻芯電子具有完全自主智慧財產權的碳化矽1200V 80mohm MOSFET產品通過JEDEC工規級認證,成為國內主流的工業級碳化矽MOSFET功率器件廠商。

發布會上,CEO張永熙博士詳細介紹了工藝開發和產品開發流程,嚴謹的可靠性驗證步驟,並與國際知名廠商對比產品的關鍵指標以及可靠性數據,產品整體達到國際先進水平;COO陳儉介紹了貫徹「客戶至上」理念的客戶支持團隊、覆蓋研發到生產過程的嚴格質量管理體系、有求必應且「服務優質」的供應鏈,以及碳化矽產品的成本降低預測;市場副總曹峻介紹了產品支持的應用領域,包括風能和光伏逆變、工業電源、新能源汽車、電機驅動、充電樁等領域,以及當前的市場銷售情況。兩家客戶端企業也現場做了瞻芯SiC MOSFET產品使用的體驗和分享報告。

臨港新片區投資促進服務中心主任顧長石先生代表臨港新片區致辭,並主持了當天的發布會。共同見證2020年瞻芯電子產品發布會活動的嘉賓還有:臨港新片區管委會高科處和臨港科技城領導,中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、中國電源學會、國家新能源汽車技術創新中心、上海市集成電路行業協會等行業協會領導,碳化矽半導體上下遊產業鏈合作夥伴,投資界和媒體行業夥伴。總人數超過250人。

據公司創始人張永熙博士介紹,在新能源汽車電驅動中使用SiC MOSFET替代Si IGBT,整車效率提高5%-10%。在光伏逆變器中使用SiC 功率器件,整機的能耗降低50%。電力電子行業專家周滿枝介紹,使用SiC MOSFET替代Si IGBT,其開通損耗降低至三分之一,關斷損耗降至二十分之一,這使得使用SiC功率器件的產品可以達到更高的功率密度,使用更簡單的散熱設計,整體效率更高。SiC MOSFET應用於新能源汽車、光伏逆變,風能逆變、儲能設施、高速電機驅動等場合,其市場前景廣泛,預計到2027年市場銷售額將達到100億美元,SiC功率器件是面向未來更環保,更節能的電能轉換核心器件,在整個系統中處於關鍵部位。

發布會現場集錦

瞻芯電子CEO張永熙博士致辭並作公司和產品介紹

展品圖片

現場交流

相關焦點

  • 碳化矽晶片公司瞻芯電子完成過億元融資
    )北京】10月21日報導近日獲悉,瞻芯電子已於今年完成過億元人民幣融資,投資方包括臨芯投資、金浦投資以及幾家重要產業協同方。當日活動現場,瞻芯電子正式發布基於6英寸晶圓通過JEDEC(暨工規級)認證的1200V 80mohm碳化矽(SiC)MOSFET產品。這是首款在國內設計研發、國內6英寸生產線製造流片的碳化矽MOSFET,該產品的發布填補了國內空白,產品性能達到國際先進水平。瞻芯電子是一家聚焦於碳化矽(SiC)半導體領域的高科技晶片公司,2017年成立於上海自貿區臨港新片區。
  • 解析:國產碳化矽最新進展|sic|半導體產業|器件|mosfet|華潤微電子
    圖片來源:拍信圖庫碳化矽SiC是寬禁帶半導體材料的典型代表,具有高禁帶寬度、高擊穿場強和高熱導率等優良特性,成為製作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料。國外碳化矽半導體產業鏈發展起步早,從襯底到外延片再到晶片的工藝產品相對成熟,不過近年來國產碳化矽產業鏈也取得不小的進步。
  • 什麼是富士SIC導環和碳化矽(SiC)陶瓷導環?
    很多釣魚人只會選擇導環的品牌和種類例如是不是富士的(品牌)是不是sic的(種類),但是並不知道為什麼要這樣選,因為很多人自己其實也不知道SIC導環到底比A環好在哪些方面。那什麼是富士SIC導環?什麼是碳化矽(SiC)陶瓷導環?
  • 5G世代最重要半導體新材料:碳化矽SiC
    進入 5G 世代,5G 產品大多具備高功率、高壓、高溫等特性,傳統的矽 (Si) 原料因無法克服在高壓、高頻中的損耗,所以已無法滿足新世代的科技需求,這使得碳化矽 (SiC) 開始嶄露頭角。
  • 成本桎梏亟待解決,碳化矽6英寸襯底有望價格砍半
    > 來源:華強電子網 作者:Hobby 時間:2020-06-19 14:22
  • 如何有效地檢測碳化矽(SiC)二極體?
    毫無疑問,功率電子器件作為基本元器件,將在未來幾年中持續發展。而新型碳化矽(SiC)半導體材料更是不負眾望,它比傳統矽材料導熱性更佳、開關速度更高,而且可以使器件尺寸做到更小。因此,碳化矽開關也成為設計人員的新寵。G0zEETC-電子工程專輯碳化矽二極體主要為肖特基二極體。第一款商用碳化矽肖特基二極體十多年前就已推出。從那時起,它就開始進入電源系統。
  • CISSOID宣布推出用於電動汽車的三相碳化矽(SiC)MOSFET智能功率模塊
    各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布,將繼續致力於應對汽車和工業市場的挑戰,並推出用於電動汽車的三相碳化矽(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM
  • 碳化矽發展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創新浪潮
    近期,多家公司發布了碳化矽(SiC)方面的新產品。作為新興的第三代半導體材料之一,碳化矽具備哪些優勢,現在的發展程度如何?本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202003/411198.htm不久前,碳化矽的先驅英飛凌科技公司推出了650V 的 CoolSiC™ MOSFET ,值此機會,電子產品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業部大中華區開關電源應用高級市場經理陳清源先生。
  • 東芝推出1200V碳化矽MOSFET!適用於高效率電源
    東芝電子元件及存儲裝置株式會社(「東芝」)近日宣布,推出新款1200V碳化矽(SiC)MOSFET---「TW070J120B」。該產品面向工業應用(包括大容量電源),並於今日開始出貨。
  • 【關注】為什麼碳化矽(SiC)半導體材料擁有光明的未來
    它們體積小巧,功能強大且效率極高:由碳化矽製成的半導體可以幫助將電池和傳感器中的電力電子技術提升到一個新的水平-為電動汽車的突破和支持工業領域的數位化做出重大貢獻。
  • 三安集成完成碳化矽MOSFET量產平臺打造,貫通碳化矽器件產品線
    本次推出的1200V80mΩ碳化矽MOSFET,與傳統的矽基IGBT功率器件相比,寬禁帶碳化矽材料擁有「更高、更快、更強」的特性 -- 更高的耐壓和耐熱、更快的開關頻率,更低的開關損耗。優異的高溫和高壓特性使得碳化矽MOSFET在大功率應用中表現出色,尤其是高壓應用中,在相同的功率下,碳化矽MOSFET自身器件損耗小,極大減小了器件的散熱需求,使系統朝著小型化,輕量化,集成化的方向發展。這對「寸土寸金」的電源系統來說至關重要,比如新能源車載充電器OBC、伺服器電源等。從碳化矽肖特基二極體到MOSFET,三安集成在3年時間內便完成了碳化矽器件產品線布局。
  • 碳化矽(SiC)緣何成為第三代半導體最重要的材料?一文為你揭秘
    低品級碳化矽(含SiC約85%)是極好的脫氧劑,用它可加快煉鋼速度,並便於控制化學成分,提高鋼的質量。此外,碳化矽還大量用於製作電熱元件矽碳棒。  碳化矽的硬度很大,莫氏硬度為9.5級,僅次於世界上最硬的金剛石(10級),具有優良的導熱性能,是一種半導體,高溫時能抗氧化。
  • 英飛凌新一代650V碳化矽MOSFET的性能和應用分析
    2020年2月,碳化矽的領導廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC™ MOSFET,帶來了堅固可靠性和高性能。它是如何定義性能和應用場景的?下一步產品計劃如何?碳化矽業的難點在哪裡?為此,電子產品世界等媒體視頻採訪了英飛凌科技電源與傳感系統事業部大中華區開關電源應用高級市場經理陳清源先生。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202005/412732.htm
  • 使用碳化矽 MOSFET 提升工業驅動器的能源效率
    意法半導體(ST)最新的碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)技術,為電力切換領域立下全新的效能標準。本文將強調出無論就能源效率、散熱片尺寸或節省成本方面來看,工業傳動不用矽基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化矽MOSFET有哪些優點。
  • 「專利解密」廈門芯光潤澤新型碳化矽MOSFET器件
    集微網消息,2019年國內首條碳化矽智能功率模塊(SiC IPM)生產線在廈門芯光潤澤科技有限公司正式投產,其生產的碳化矽產品廣泛應用於港口重機、家電、高鐵、數據機房、新能源汽車充電樁等領域,可以為這些行業器件提供高端核心功率部件,大大提高國內市場供給率。
  • SiC晶圓爭奪戰開打|sic晶圓|英飛凌公司|山東天嶽公司|特斯拉|si...
    Cree早在1991年就發布了全球首款商用SiC晶圓,並分別於2002年及2011年發布全球首款SiC JBS肖特基二極體及SiCMOS,2016年引領行業進入6英寸SiC晶圓時代。2019年9月,Cree宣布計劃2019-2024年投資7.2億美元將SiC材料及晶圓產能擴充30倍,包括建造一座車規級8英寸功率及射頻晶圓工廠,以及擴產超級材料工廠,計劃2022年量產,完全達產後器件能夠滿足550萬輛BEV需求,襯底能夠滿足2200萬BEV需求。
  • 國內首家規模化生產SiC MOSFET晶片企業新進展
    據報導,日前,中科漢韻半導體有限公司(簡稱「中科漢韻」)設備陸續進場安裝調試,明年5月全面達產後,將年產5000片碳化矽功率器件等分立半導體器件。 此外,中科漢韻董事長袁述表示,設備在陸陸續續的安裝中,從光刻機到薄膜,到刻蝕化學腐蝕離子注入等等,都是比較先進的。
  • 【關注】5G時代最重要的半導體材料:碳化矽
    進入 5G 世代,5G 產品大多具備高功率、高壓、高溫等特性,傳統的矽 (Si) 原料因無法克服在高壓、高頻中的損耗,所以已無法滿足新世代的科技需求,這使得碳化矽 (SiC) 開始嶄露頭角。
  • 三菱電機為其碳化矽MOSFET開發高精確度電路模擬技術
    近日,在於線上舉辦的2020年PCIM Europe展會上,三菱電機宣布開發出一種具備高度精確性的集成電路通用模擬程序(SPICE)模型,以分析分立半導體/功率器件的電子電路。這項技術會被應用於三菱電機N系列1200V碳化矽MOSFET(金屬氧化物半導體場效應電晶體)樣品中,該樣品將從7月開始發貨。碳化矽MOSFET是三菱電機於今年六月中旬推出的新產品,它能夠根據施加在柵極上的電壓來控制從漏極到源極的電流(漏極電流),實現快速的開關操作,降低操作損耗,不僅適用於光伏系統等工業應用,應用範圍還包括電動汽車車載充電器等等。
  • Power Integrations宣布旗下適用於SiC MOSFET的SCALE-iDriver現已...
    深耕於中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司近日宣布,其適合碳化矽(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅動器 SIC118xKQ SCALE-iDriver™