BGA、TAB、零件、封裝及Bonding製程術語解析

1、Active parts(Devices) 主動零件
指半導體類之各種主動性集成電路器或電晶體，相對另有 Passive﹣Parts被動零件，如電阻器、電容器等。

2、Array 排列，數組
係指通孔的孔位，或表面黏裝的焊墊，以方格交點式著落在板面上(即矩陣式)的數組情形。常見"針腳格點式排列"的插裝零件稱為 PGA(Pin Grid Array)，另一種"球腳格點矩陣式排列"的貼裝零件，則稱為 BGA(Ball Grid Array)。

3、ASIC 特定用途的集成電路器
Application-Specific Integrated Circuit，如電視、音響、錄放機、攝影機等各種專用型訂做的 IC 即是。

4、Axial-lead 軸心引腳
指傳統圓柱式電阻器或電容器，均自兩端中心有接腳引出，用以插裝在板子通孔中，以完成其整體功能。

5、Ball Grid Array 球腳數組(封裝)
是一種大型組件的引腳封裝方式，與 QFP的四面引腳相似，都是利用SMT錫膏焊接與電路板相連。其不同處是羅列在四周的"一度空間"單排式引腳，如鷗翼形伸腳、平伸腳、或縮回腹底的J型腳等；改變成腹底全面數組或局部數組，採行二度空間面積性的焊錫球腳分布，做為晶片封裝體對電路板的焊接互連工具。BGA是 1986年Motorola公司所開發的封裝法，先期是以 BT有機板材製做成雙面載板(Substrate)，代替傳統的金屬腳架(Lead Frame)對 IC進行封裝。BGA最大的好處是腳距 (Lead Pitch)比起 QFP要寬鬆很多，目前許多QFP的腳距已緊縮到 12.5mil 甚至 9.8mil 之密距 (如 P5 筆記型計算機所用 Daughter Card 上 320 腳 CPU 的焊墊即是，其裸銅墊面上的焊料現採 Super Solder法施工)，使得PCB的製做與下遊組裝都非常困難。但同功能的CPU若改成腹底全面方陣列腳的BGA方式時，其腳距可放鬆到 50 或60mil，大大舒緩了上下遊的技術困難。目前BGA約可分五類，即：(1)塑料載板(BT)的 P-BGA(有雙面及多層)，此類國內已開始量產。(2)陶瓷載板的C-BGA(3)以TAB方式封裝的 T-BGA(4)只比原晶片稍大一些的超小型m-BGA(5)其它特殊 BGA ，如 Kyocera 公司的 D-Bga (Dimpled) ,olin的M-BGA及 Prolinx公司的V-BGA等。後者特別值得一提，因其產品首先在國內生產，且十分困難。做法是以銀膏做為層間互連的導電物料，採增層法(Build Up)製做的 V-BGA (Viper) ，此載板中因有兩層厚達10mil以上的銅片充任散熱層，故可做為高功率(5～6W)大型IC的封裝用途。

6、Bare Chip Assembly 裸體晶片組裝
從已完工的晶圓(Water)上切下的晶片，不按傳統之 IC 先行封裝成體，而將晶片直接組裝在電路板上，謂之 Bare Chip Assembly。早期的 COB (Chip on Board)做法就是裸體晶片的具體使用，不過 COB 是採晶片的背面黏貼在板子上，再行打線及膠封。而新一代的 Bare Chip 卻連打線也省掉，是以晶片正面的各電極點，直接反扣熔焊在板面各配合點上，稱為 Flip Chip 法。或以晶片的凸塊扣接在 TAB 的內腳上，再以其外腳連接在 PCB 上。此二種新式組裝法皆稱為 "裸體晶片" 組裝，可節省整體成本約 30% 左右。

7、Beam Lead 光芒式的平行密集引腳
是指"卷帶自動結合"(TAB)式的載體引腳，可將裸體晶片直接焊接在TAB的內腳上，並再利用其外腳焊接在電路板上，這種做為晶片載體的梁式平行密集排列引腳，稱為 Beam Lead。

8、Bonding Wire 結合線
指從 IC 內藏的晶片與引腳整間完成電性結合的金屬細線而言，常用者有金線及鋁線，直徑在 1-2mil之間。

9、Bump 突塊
指各種突起的小塊，如杜邦公司一種 SSD 製程(Selective Solder Deposit)中的各種 Solder Bump 法，即"突塊"的一種用途(詳見電路板信息雜誌第 48 期P.72)。又，TAB 之組裝製程中，晶片(Chip)上線路面的四周外圍，亦做有許多小型的焊錫或黃金"突塊"(面積約 1μ2 )，可用以反扣覆接在 TAB 的對應內腳上，以完成"晶粒"(Chip)與"載板"(PCB)各焊墊的互連。此"突塊"之角色至為重要，此製程目前國內尚未推廣。

10、Bumping Process凸塊製程
指在線路完工的晶圓表面，再製做上微小的焊錫凸塊(或黃金凸塊)，以方便下遊進行 TAB與Flip Chip等封裝與組裝製程。這種尺寸在1mm左右的微小凸塊，其製作技術非常困難，國內至今尚未投入生產。

11、C4 Chip Joint，C4晶片焊接
利用錫鉛之共融合金(63/37) 做成可高溫軟塌的凸球，並定構於晶片背面或線路正面，對下遊電路板進行"直接安裝"(DCA)，謂之晶片焊接。C4為IBM公司二十多年前所開故的製程，原指"對晶片進行可控制軟塌的晶片焊接"(Controlled Collapsed Chip Connection)，現又廣用於 P-BGA對主機板上的組裝焊接，是晶片連接以外的另一領域塌焊法。

12、Capacitance 電容
當兩導體間有電位差存在時，其介質之中會集蓄電能量，些時將會有"電容"出現。其數學表達方式C＝Q／V，即電容(法拉)＝電量(庫倫)／電壓(伏特)。若兩導體為平行之平板(面積 A)，而相距 d，且該物質之介質常數(Dielectric Constant)為ε時，則C＝εA／d。故知當A、d不變時，介質常數愈低，則其間所出現的電容也將愈小。

13、Castallation堡型集成電路器
是一種無引腳大型晶片(VLSI)的瓷質封裝體，可利用其各垛口中的金屬墊與對應板面上的焊墊進行焊接。此種堡型 IC 較少用於一般性商用電子產品，只有在大型計算機或軍用產品上才有用途。

14、Chip Interconnection晶片互連
指半導體集成電路(IC)內心臟部份之晶片(Chip)，在進行封裝成為完整零件前之互連作業。傳統晶片互連法，是在其各電極點與引腳之間採打線方式 (Wire Bonding) 進行；後有"卷帶自動結合"(TAB)法；以及最先進困難的"覆晶法" (Flip Chip)。後者是近乎裸晶大小的封裝法(CSP)，精密度非常高。

15、Chip on Board 晶片黏著板
是將集成電路之晶片，以含銀的環氧樹脂膠，直接貼合黏著在電路板上，並經由引腳之"打線"(Wire Bonding)後，再加以適當抗垂流性的環氧樹脂或矽烷(Silicone)樹脂，將 COB 區予以密封，如此可省掉集成電路的封裝成本。一些消費級的電子表筆或電子表，以及各種定時器等，皆可利用此方式製造。該次微米級的超細線路是來自鋁膜真空蒸著(Vacuum Deposit)，精密光阻，及精密電漿蝕刻(Plasma Etching)法所製得的晶圓。再將晶圓切割而得單獨晶片後，並續使晶粒在定架中心完成焊裝(Die Bond)後，再經接腳打線、封裝、彎腳成型即可得到常見的 IC。其中四面接腳的大型 IC(VLSI)又稱"Chip Carrier晶片載體"，而新式的 TAB 也是一種無需先行封裝的"晶片載體"。又自 SMT 盛行以來，原應插裝的電阻器及電容器等，為節省板面組裝空間及方便自動化起見，已將其臥式軸心引腳的封裝法，更改而為小型片狀體，故亦稱為片狀電阻器 Chip Resistor ，或片狀電容器 Chip Capacitor等。又，Chips是指鑽針上鑽尖部份之第一面切削刃口之崩壞，謂之Chips。

16、Chip On Glass晶玻接裝(COG) (晶片對玻璃電路板的直接安裝)
液晶顯像器 (LCD) 玻璃電路中，其各ITO(Indium Tin Oxide)電極，須與電路板上的多種驅動 IC互連，才能發揮顯像的功能。目前各類大型IC仍廣採QFP封裝方式，故須先將 QFP安裝在PCB上，然後再用導電膠(如Ag/Pd膏、Ag膏、單向導電膠等) 與玻璃電路板互連結合。新開故的做法是把驅動用大型IC (Driver LSI)的Chip，直接用"覆晶"方式扣裝在玻璃板的ITO電極點上，稱為 COG法，是一很先進的組裝技術。類似的說法尚有COF(Chip on Film)等。Conformal Coating 貼護層，護形完成零件裝配的板子， 為使整片板子外形受到仔細的保護起見，再以絕緣性的塗料予以封護塗裝，使有更好的信賴性。一般軍用或較高層次的裝配板，才會用到這種外形貼護層。

17、Chip 晶粒、晶片、片狀
各種集成電路(IC)封裝體的心臟位置處，皆裝有線路密集的晶粒(Dies)或晶片(Chip)，此種小型的"線路片"，是從多片集合的晶圓(Wafer)上所切割而來。

18、Daisy Chained Design菊瓣環設計
指由四周"矩墊"緊密排列所組成之方環狀設計，如同菊瓣依序羅列而成的花環。常見者如晶片外圍之電極墊，或板面各式QFP之焊墊均是。

19、Device 電子組件
是指在一獨立個體上，可執行獨立運作的功能，且非經破壞無法再進一步區分其用途的基本電子零件。

20、Dicing晶片分割
指將半導體晶圓(Wafer)，以鑽石刀逐一切割成電路體系完整的晶片 (Chip)或晶粒(Die)單位，其分割之過程稱為Dicing。

21、Die Attach晶粒安裝
將完成測試與切割後的良好晶粒，以各種方法安裝在向外互連的引線架體系上(如傳統的Lead Frame或新型的 BGA載板)，稱為"安晶"。然後再自晶粒各輸出點 (Output)與腳架引線間打線互連，或直接以凸塊(Bump)進行覆晶法 (Flip Chip)結合，完成 IC的封裝。上述之"晶粒安裝"，早期是以晶片背面的鍍金層配合腳架上的鍍金層，採高溫結合(T. C. Bond)或超音波結合 (U. C. Bond)下完成結合，故稱為 Die Bond。但目前為了節省鍍金與因應板面"直接晶粒安裝"(DCA或COB)之新製程起見，已改用含銀導熱膠之接著，代替鍍金層熔接，故改稱為"Die Attach"。

22、Die Bonding 晶粒接著
Die 亦指集成電路之心臟部份,系自晶圓(Wafer)上所切下一小片有線路的"晶粒"，以其背面的金層，與定架(Lead Frame)中央的鍍金面，做瞬間高溫之機械壓迫式熔接(Thermo Compression Bonding,T.C.Bonding)。或以環氧樹脂之接著方式予以固定，稱為 Die Bond，完成 IC 內部線路封裝的第一步。

23、Diode 二極體
為半導體組件"電晶體"(Transistor)之一種，有兩端點接在一母體上，當所施加電壓的極性大小不同時，亦將展現不同導體性質。另一種"發光二極體"可代替儀錶板上各種顏色的發光點，比一般燈泡省電又耐用。目前二極體已多半改成 SMT 形式，圖中所示者即為 SOT-23 之解剖圖。

24、DIP(Dual Inline Package)雙排腳封裝體
指具有雙排對稱接腳的零件，可在電路板的雙排對稱腳孔中進行插焊。此種外形的零件以早期的各式 IC 居多，而部份"網狀電阻器"亦採用之。

25、Discrete Component 散裝零件
指一般小型被動式的電阻器或電容器，有別於主動零件功能集中的集成電路。

26、Encapsulating 囊封、膠囊
為了防水或防止空氣影響，對某些物品加以封包而與外界隔絕之謂。

27、End Cap 封頭
指 SMD 一些小型片狀電阻器或片狀電容器，其兩端可做為導電及焊接的金屬部份，稱為End Cap。

28、Flat Pack 扁平封裝（之零件）
指薄形零件，如小型特殊的 IC 類，其兩側有引腳平行伸出，可平貼焊接在板面，使組裝品的體積或厚度得以大幅降低，多用於軍品，是SMT的先河。

29、Flip Chip覆晶，扣晶
晶片在板面上的反扣直接結合，早期稱為 Facedown Bonding，是以凸出式金屬接點(如Gold Bump或 Solder Bump)做連接工具。此種凸起狀接點可安置在晶片上，或承接的板面上，再用 C4焊接法完成互連。是一種晶片在板面直接封裝兼組裝之技術 (DCA或COB)。

30、Four Point Twisting四點扭曲法
本法是針對一些黏焊在板面上的大型QFP，欲了解其各焊點強度如何的一種外力試驗法。即在板子的兩對角處設置支撐點，而於其它兩對角處施加壓力，強迫板子扭曲變形，並從其變形量與壓力大小關係上，觀察各焊點的強度。

31、Gallium Arsenide(GaAs) 砷化鎵　
是常見半導體線路的一種基板材料，其化學符號為GaAs，可用以製造高速IC組件，其速度要比以矽為晶片基材者更快。

32、Gate Array閘極數組，閘列
是半導體產品的基本要素，指控制訊號入口之電極，習慣上稱之為"閘"。

33、Glob Top圓頂封裝體
指晶片直接安裝於板面(Chip-On-Board)的一種圓弧外形膠封體(Encapsulant) 或其施工法而言。所用的封膠劑有環氧樹脂、矽樹脂(Silicone，又稱聚矽酮) 或其等混合膠類。

34、Gull Wing Tead 鷗翼引腳
此種小型向外伸出的雙排腳，是專為表面黏裝 SOIC 封裝之用，系 1971 年由荷蘭 Philips 公司所首先開發。此種本體與引腳結合的外形，很像海鷗展翅的樣子，故名"鷗翼腳"。其外形尺寸目前在 JEDEC 的 MS-012 及 -013 規範下，已經完成標準化。

35、Integrated Circuit(IC) 集成電路器
在多層次的同一薄片基材上(矽材)，布置許多微小的電子組件(如電阻、電容、半導體、二極體、電晶體等)，以及各種微小的互連(Interconnection)導體線路等，所集合而成的綜合性主動零件，簡稱為 I.C.。

36、J-Lead J 型接腳
是 PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)"塑料晶(芯)片載體"(即 VLSI) 的標準接腳方式，由於這種雙面接腳或四面腳接之中大型表面黏裝組件，具有相當節省板子的面積及焊後容易清洗的優點，且未焊裝前各引腳強度也甚良好不易變形，比另一種鷗翼接腳(Gull Wing Lead)法更容易維持"共面性"(Coplanarity)，已成為高腳數SMD 在封裝(Packaging)及組裝(Assembly)上的最佳方式。

37、Lead 引腳，接腳
電子組件欲在電路板上生根組裝時，必須具有各式引腳而用以完成焊接與互連的工作。早期的引腳多採插孔焊接式，近年來由於組裝密度的增加，而漸改成表面黏裝式 (SMD)的貼焊引腳。且亦有"無引腳"卻以零件封裝體上特定的焊點，進行表面黏焊者，是為 Leadless 零件。

38、Known Good Die (KGD)已知之良好晶片
IC之晶片可稱為Chip或Die，完工的晶圓 (Wafer)上有許多晶片存在，其等品質有好有壞，繼續經過壽命試驗後 (Burn-in Test亦稱老化試驗)，其已知電性良好的晶片稱為 KGD。不過KGD的定義相當分歧，即使同一公司對不同產品或同一產品又有不同客戶時，其定義也都難以一致。一種代表性說法是：「某種晶片經老化與電測後而有良好的電性品質，續經封裝與組裝之量產一年以上，仍能維持其良率在99. 5％以上者，這種晶片方可稱KGD」。

39、Lead Frame 腳架
各種有密封主體及多隻引腳的電子組件，如集成電路器(IC)，網狀電阻器或簡單的二極體三極體等，其主體與各引腳在封裝前所暫時固定的金屬架，稱成 Lead Frame。此詞亦被稱為定架或腳架。其封裝過程是將中心部份的晶片(Die，或 Chip 晶片)，以其背面的金層或銀層，利用高溫熔接法與腳架中心的鍍金層加以固定,稱為 Die Bond。再另金線或鋁線從已牢固的晶片與各引腳之間予以打線連通，稱為 Lead Bond。然後再將整個主體以塑料或陶瓷予以封牢，並剪去腳架外框，及進一步彎腳成形，即可得到所需的組件。故知"腳架"在電子封裝工業中佔很重要的地位。其合金材料常用者有 Kovar、Alloy 42 以及磷青銅等，其成形的方式有模具衝切法及化學蝕刻法等。

40、Lead Pitch腳距
指零件各種引腳中心線間的距離。早期插孔裝均為 100mil的標準腳距，現密集組裝SMT的QFP腳距，由起初的 50mil一再緊縮，經 25mil、 20mil、16mil、12. 5mil至9.8mil等。一般認為腳距在 25mil (0.653mm)以下者即稱為密距(Fine Pitch)。

41、Multi-Chip-Module (MCM) 多晶片(晶片)模塊
這是從 90 年才開始發展的另一種微電子產品，類似目前小型電路板的IC卡或Smart卡等。不過 MCM所不同者，是把各種尚未封裝成體的IC，以"裸體晶片"(Bare Chips)方式，直接用傳統"Die Bond"或新式的 Flip Chip 或TAB 之方式，組裝在電路板上。如同早期在板子上直接裝一枚晶片的電子表筆那樣，還需打線及封膠，稱為COB(Chip On Bond)做法。但如今的 MCM 卻複雜了許多，不僅在多層板上裝有多枚晶片，且直接以"凸塊"結合而不再"打線"。是一種高層次 (High End) 的微電子組裝。MCM的定義是僅在小板面上，進行裸體晶片無需打線的直接組裝，其晶片所佔全板面積在 70％以上。這種典型的MCM共有三種型式即 (目前看來以D型最具潛力)： MCM-L：系仍採用PCB各種材質的基板(Laminates)，其製造設傋及方法也與PCB完全相同，只是較為輕薄短小而已。目前國內能做IC卡，線寬在5mil孔逕到 10 mil 者，將可生產此類 MCM 。但因需打晶片及打線或反扣焊接的關係，致使其鍍金"凸塊"(Bump)的純度須達99.99％，且面積更小到1微米見方，此點則比較困難。MCM-C：基材已改用混成電路(Hybrid)的陶瓷板(Ceramic)，是一種瓷質的多層板(MLC)，其線路與Hybrid類似，皆用厚膜印刷法的金膏或鈀膏銀膏等做成線路，晶片的組裝也採用反扣覆晶法。MCM-D：其線路層及介質層的多層結構，是採用蒸著方式(Deposited)的薄膜法，或Green Tape的線路轉移法，將導體及介質逐次迭層在瓷質或高分子質的底材上，而成為多層板的組合，此種 MCM-D 為三種中之最精密者。

42、OLB(Outer Lead Bond)外引腳結合
是"卷帶自動結合"TAB(Tape Automatic Bonding)技術中的一個製程站是指TAB 組合體外圍四面向外的引腳，可分別與電路板上所對應的焊墊進行焊接，稱為"外引腳結合"。這種TAB組合體亦另有四面向內的引腳，是做為向內連接集成電路晶片(Chip 或稱晶片)用的，稱為內引腳接合(ILB)，事實上內腳與外腳本來就是一體。故知TAB技術，簡單的說就是把四面密集的內外接腳當成"橋梁"，而以OLB 方式把複雜的IC晶片半成品，直接結合在電路板上，省去傳統IC事先封裝的麻煩。

43、Packaging封裝，構裝
此詞簡單的說是指各種電子零件，完成其"密封"及"成型"的系列製程而言。但若擴大延伸其意義時，那么直到大型計算機的完工上市前，凡各種製造工作都可稱之為"Interconnceted Packaging互連構裝"。若將電子王國分成許多層次的階級制度時(Hierarchy)，則電子組裝或構裝的各種等級，按規模從小到大將有：Chip(晶片、晶片製造)，Chip Carrier(集成電路器之單獨成品封裝)，Card(小型電路板之組裝)，及Board(正規電路板之組裝)等四級，再加"系統構裝"則共有五級。

44、Passive Device(Component)被動組件（零件）
是指一些電阻器(Resistor)、電容器(Capacitor)，或電感器(Incuctor)等零件。當其等被施加電子訊號時，仍一本初衷而不改變其基本特性者，謂之"被動零件"；相對的另有主動零件(Active Device)，如電晶體(Tranistors)、二極體(Diodes)或電子管(Electron Tube)等。

45、Photomask光罩
這是微電子工業所用的術語，是指半導體晶圓(Wafer)在感光成像時所用的玻璃底片，其暗區之遮光劑可能是一般底片的乳膠，也可能是極薄的金屬膜(如鉻)。此種光罩可用在塗有光阻劑的"矽晶圓片"面上進行成像，其做法與PCB很相似，只是線路寬度更縮細至微米(1～2μm)級，甚至次微米級(0.5μm)的精度，比電路板上最細的線還要小100倍。(1 mil＝25.4μm)。

46、Pin Grid Array(PGA)矩陣式針腳封裝
是指一種複雜的封裝體，其反面是採矩陣式格點之針狀直立接腳，能分別插裝在電路板之通孔中。正面則有中間下陷之多層式晶片封裝互連區，比起"雙排插腳封裝體"(DIP)更能布置較多的I/O Pins。附圖即為其示意及實物圖。

47、Popcorn Effect爆米花效應
原指以塑料外體所封裝的IC，因其晶片安裝所用的銀膏會吸水，一旦未加防範而逕行封牢塑體後，在下遊組裝焊接遭遇高溫時，其水分將因汽化壓力而造成封體的爆裂，同時還會發出有如爆米花般的聲響，故而得名。近來十分盛行P-BGA的封裝組件，不但其中銀膠會吸水，且連載板之BT基材也會吸水，管理不良時也常出現爆米花現象。

48、Potting鑄封，模封
指將容易變形受損，或必須隔絕的各種電子組裝體，先置於特定的模具或凹穴中，以液態的樹脂加以澆注灌滿，待硬化後即可將線路組體固封在內，並可將其中空隙皆予以填滿，以做為隔絕性的保護，如TAB電路、集成電路，或其它電路組件等之封裝，即可採用Potting法。Potting與Encapsulating很類似，但前者更強調固封之內部不可出現空洞(Voids)的缺陷。

49、Power Supply電源供應器
指可將電功供應給另一單元的裝置，如變壓器(Transfomer)、整流器(Rectifier)、濾波器(Filter)等皆屬之，能將交流電變成直流電，或在某一極限內，維持其輸入電壓的恆定等裝置。

50、Preform預製品
常指各種封裝原料或焊接金屬等，為方便施工起見，特將其原料先做成某種容易操控掌握的形狀，如將熱熔膠先做成小片或小塊，以方便稱取重量進行熔化調配。或將瓷質IC 熔封用的玻璃，先做成小珠狀， 或將焊錫先做成小球小珠狀，以利調成錫膏(Solder Paste)等，皆稱為Preform。

51、 Purple Plague紫疫
當金與鋁彼此長久緊密的接觸，並曝露於溼氣以及高溫(350℃以上)之環境中時，其接口間生成的一種紫色的共化物謂之Purple Plague。此種"紫疫"具有脆性，會使金與鋁之間的"接合"出現崩壞的情形，且此現象當其附近有矽(Silicone)存在時，更容易生成"三元性"(Ternary)的共化物而加速惡化。因而當金層必須與鋁層密切接觸時，其間即應另加一種"屏障層"(Barrier)，以阻止共化物的生成。故在TAB上遊的"凸塊"(Bumping)製程中，其晶片(Chip)表面的各鋁墊上，必須要先蒸著一層或兩層的鈦、鎢、鉻、鎳等做為屏障層，以保障其凸塊的固著力。(詳見電路板信息雜誌第66期P.55)。

52、Quad Flat Pack(QFP)方扁形封裝體
是指具有方型之本體，又有四面接腳之"大規模集成電路器"(VLSI)的一般性通稱。此類用於表面黏裝之大型IC，其引腳型態可分成J型腳(也可用於兩面伸腳的SOIC，較易保持各引腳之共面性Coplanarity)、鷗翼腳(Gull Wing)、平伸腳以及堡型無接腳等方式。平常口語或文字表達時，皆以QFP為簡稱，亦有口語稱為Quad Pack。大陸業界稱之為"大型積成塊"。

53、Radial Lead放射狀引腳
指零件的引腳是從本體側面散射而出，如各種DIP或QFP等，與自零件兩端點伸出的軸心引腳(Axial lead)不同。

54、Relay繼電器
是一種如同活動接點的特殊控制組件，當通過之電流超過某一"定值"時，該接點會斷開(或接通)，而讓電流出現"中斷及續通"的動作，以刻意影響同一電路或其它電路中組件之工作。按其製造之原理與結構，而製作成電磁圈、半導體、壓力式、雙金屬之感熱、感光式及簧片開關等各種方式的繼電器，是電機工程中的重要組件。

55、Semi-Conductor半導體
指固態物質(例如Silicon)，其電阻係數(Resistivity)是介乎導體與電阻體之間者，稱為半導體。

56、Separable Component Part可分離式零件
指在主要機體上的零件或附件，其等與主體之間沒有化學結合力存在，且亦未另加保護皮膜、焊接或密封材料(Potting Compound)等補強措施；使得隨時可以拆離，稱為"可分離式零件"。

57、Silicon矽
是一種黑色晶體狀的非金屬原素，原子序14，原子量28，約佔地表物質總重量比的25％，其氧化物之二氧化矽即砂土主要成份。純矽之商業化製程，系將 SiO2 經由複雜程序的多次還原反應，而得到99.97％的純矽晶體，切成薄片後可用於半導體"晶圓"的製造，是近代電子工業中最重要的材料。

58、Single-In-line Package(SIP)單邊插腳封裝體
是一種只有一直排針柱狀插腳，或金屬線式插腳的零件封裝體，謂之SIP

59、Solder Bump焊錫凸塊
晶片(Chip)可直接在電路板面上進行反扣焊接(Filp Chip on Board)，以完成晶片與電路板的組裝互連。這種反扣式的COB覆晶法，可以省掉晶片許多先行封裝 (Package) 的製程及成本。但其與板面之各接點，除PCB需先備妥對應之焊接基地外，晶片本身之外圍各對應點，也須先做上各種圓形或方形的微型"焊錫凸塊"，當其凸塊只安置在"晶片"四周外圍時稱為FCOB，若晶片全表面各處都有凸塊皆布時，則其覆晶反扣焊法特稱為"Controlled Collapsed Chip Connection"簡稱C4法。

60、Solder Colum Package錫柱腳封裝法
是IBM公司所開發的製程。系陶瓷封裝體 C-BGA以其高柱型錫腳在電路板上進行焊接組裝之方法。此種焊錫柱腳之錫鉛比為90／10，高度約150mil，可在柱基加印錫膏完成熔焊。此錫柱居於PCB與 C-BGA之間，有分散應力及散熱的功效，對大型陶瓷零件 (邊長達35mm～64mm)十分有利。

61、Spinning Coating自轉塗布
半導體晶圓(Wafer)面上光阻劑之塗布，多採自轉式塗布法。系將晶圓裝設在自轉盤上，以感光乳膠液小心澆在圓面中心，然後利用離心力 (Centrifugal Force)與附著力兩者較勁後的平衡，而在圓面上留下一層均勻光阻皮膜的塗布法稱之。此法亦可用於其它場合的塗布施工。

62、Tape Automated Bonding (TAB)卷帶自動結合
是一種將多接腳大規模集成電路器(IC)的晶片(Chip)，不再先進行傳統封裝成為完整的個體，而改用TAB載體，直接將未封晶片黏裝在板面上。即採"聚亞醯胺"(Polyimide)之軟質卷帶，及所附銅箔蝕成的內外引腳當成載體，讓大型晶片先結合在"內引腳"上。經自動測試後再以"外引腳"對電路板面進行結合而完成組裝。這種將封裝及組裝合而為一的新式構裝法，即稱為TAB法。此 TAB 法不但可節省 IC 事前封裝的成本，且對 300 腳以上的多腳VLSI，在其採行 SMT 組裝而困難重重之際，TAB將是多腳大零件組裝的新希望(詳見電路板信息雜誌第66期之專文)。

63、Thermocompression Bonding熱壓結合
是 IC的一種封裝方法，即將很細的金線或鋁線，以加溫加壓的方式將其等兩線端分別結合在晶片(晶片)的各電極點與腳架(Lead Frame)各對應的內腳上，完成其功能的結合，稱為"熱壓結合"，簡稱T.C.Bond。

64、Thermosonic Bonding熱超音波結合
指集成電路器中，其晶片與引腳間"打線結合"的一種方法。即利用加熱與超音波兩種能量合併進行，謂之 Thermosonic Bonding，簡稱 TS Bond。

65、Thin Small Outline Packange(TSOP) 薄小型集成電路器
小型兩側外伸鷗翼腳之"IC"(SOIC)，其腳數的約 20～48腳，含腳在內之寬度6～12mm，腳距0.5mil。若用於 PCMCIA或其它手執型電子產品時，則還要進一步將厚度減薄一半，稱為TSOP。此種又薄又小的雙排腳IC可分為兩型； TypeⅠ 是從兩短邊向外伸腳，TypeⅡ是從兩長邊向外伸腳。

66、Three-Layer Carrier三層式載體
這是指"卷帶自動結合"(TAB) 式"晶片載體"的基材結構情形，由薄片狀之樹脂層(通常用聚亞醯胺之薄膜)、銅箔，及居於其間的接著劑層等三層所共同組成，故稱為 Three-Layer Carrier。相對有"兩層式載體"，即除掉中間接著劑層的TAB產品。

67、Transfer Bump移用式突塊，轉移式突塊
卷帶自動結合式的晶片載體，其內引腳與晶片之結合，必須要在晶片各定點處，先做上所需的焊錫突塊或黃金的突塊，當成結合點與導電點。其做法之一就是在其它載體上先備妥突塊，於進行晶片結合前再將突塊轉移到各內腳上，以便繼續與晶片完成結合。這種先做好的突塊即稱為"移用式突塊"。

68、Transistor電晶體
是一種半導體式的動態零件(Active Components)，具有三個以上的電極，能執行整流及放大的功能。其中晶片之原物料主要是用到鍺及矽元素，並刻意加入少許雜質，以形成負型(n Type)及正型(p Type)等不同的簡單半導體，稱之為"電晶體"。此種 Transistor有引腳插裝或SMT黏裝等方式。

69、Ultrasonic Bonding超音波結合
是利用超音波頻率(約10 KHz)振蕩的能量，及機械壓力的雙重作用下，可將金線或鋁線，在IC半導體晶片上完成打線的操作。

70、Two Layer Carrier兩層式載體
這也是"卷帶式晶片載體"的一種新材料，與業界一向所使用的三層式載體不同。其最大的區別就是取消了中間的接著劑層，只剩下"Polyimide"的樹脂層及銅箔層等兩層直接密貼，不但在厚度上變薄及更具柔軟性外，其它性能也多有改進，只是目前尚未達到量產化的地步。

71、Very Large-Scale Integration(VLSI)極大規模集成電路器
凡在單一晶粒(Die)上所容納的半導體(Transistor)其數量在 8 萬個以上，且其間互聯機路的寬度在1.5μ(60μin)以下，而將此種極大容量的晶粒封裝成為四面多接腳的方型 IC 者，稱為 VLSI 。按其接腳方式的不同，此等 VLSI有J型腳、鷗翼腳、扁平長腳、堡型墊腳，等多種封裝方式。目前容量更大接腳更多(如250腳以上)的 IC ，由於在電路上的 SMT 安裝日漸困難，於是又改將裸體晶粒先裝在 TAB 載架的內腳上，再轉裝於 PCB 上；以及直接將晶粒反扣覆裝，或正貼焊裝在板面上，不過目前皆尚未在一般電子性工業量產中流行。

72、Wafer晶圓
是半導體組件"晶粒"或"晶片"的基材，從拉伸長出的高純度矽元素晶柱 (Crystal Ingot)上，所切下之圓形薄片稱為"晶圓"。之後採用精密"光罩"經感光製程得到所需的"光阻"，再對矽材進行精密的蝕刻凹槽，及續以金屬之真空蒸著製程，而在各自獨立的"晶粒或晶片"(Die，Chip)上完成其各種微型組件及微細線路。至於晶圓背面則還需另行蒸著上黃金層，以做為晶粒固著(Die Attach) 於腳架上的用途。以上流程稱為Wafer Fabrication。早期在小集成電路時代，每一個6吋的晶圓上製作數以千計的晶粒，現在次微米線寬的大型VLSI，每一個8吋的晶圓上也只能完成一兩百個大型晶片。Wafer的製造雖動輒投資數百億，但卻是所有電子工業的基礎。

73、Wedge Bond楔形結合點
半導體封裝工程中，在晶片與引腳間進行各種打線；如熱壓打線 TC Bond、熱超音波打線TS Bond、及超音波打線UC Bond等。打牢結合後須將金線末端壓扁拉斷，以便另在其它區域繼續打線。此種壓扁與拉斷的第二點稱為 Wedge Bond。至於打線頭在晶片上起點處，先行壓縮打上的另一種球形結合點，則稱為 Ball Bond。左四圖分別為兩種結合點的側視圖與俯視圖，以及其等之實物體。Welding熔接也是屬於一種金屬的結合(Bonding)方法，與軟焊(soldering或稱錫焊)、硬焊(Brazing)同屬"冶金式"(Metallugical)的結合法。熔接法的強度雖很好，但接點之施工溫度亦極高，須超過被接合金屬的熔點，故較少用於電子工業。

74、Wire Bonding打線結合
系半導體 IC封裝製程的一站，是自IC晶粒 (Die或 Chip)各電極上，以金線或鋁線(直徑3μ)進行各式打線結合，再牽線至腳架(Lead Frame)的各內腳處續行打線以完成迴路，這種兩端打線的工作稱為 Wire Bond。

75、Zig-Zag In-Line Package (ZIP)鏈齒狀雙排腳封裝件
凡電子零件之封裝體具有單排腳之結構，且其單排腳又採不對稱"交錯型式"的安排，如同拉鏈左右交錯之鏈齒般，故稱為Zig-Zag式。ZIP是一種低腳數插焊小零件的封裝法，也可做成表面黏裝型式。不過此種封裝法只在日本業界中較為流行。

76、ASIC Application Specific Integrated Circuit
特定用途之集成電路器是依照客戶特定的需求與功能而設計及製造的IC，是一種可進行小量生產，快速變更生產機種，並能維持低成本的IC。

77、BGA Ball Grid Array
矩陣式球墊表面黏裝組件(與PGA類似，但為S MD)

78、BTAB Bumped Tape-Automated Bonding
已有突塊的自動結合卷帶指TAB卷帶的各內腳上已轉移有突塊，可用以與裸體得片進行自動結合。

79、C-DIP Ceramic Dual -in-line Package
瓷質雙祭腳封裝體(多用於IC)

80、C4 Controlled Collapse Chpi connection
可總握高度的裸體晶片反扣熔塌焊接

81、CMOS Complimentary Metal-Oxide Semiconductor
互補性金屬氧化物半導體 (是融合P通路及N通路在同一片"金屬氧化物半導體"上的技術)

82、COB Chip On Board
晶片在電路板上直接組裝。是一種早期將裸體晶片在PCB上直接組裝的方式。系以晶片的背面採膠黏方式結合在小型鍍金的PCB上，再進行打線及膠封即完成組裝，可省掉IC本身封裝的製程及費用。早期的電子表筆與 LED電子表等均將採COB法。不過這與近年裸體晶片反扣組裝法 (Flip Chip)不同，新式的反扣法不但能自動化且連打線 (Wire Bond) 也省掉，而其品質與可靠度也都比早期的COB要更好。

83、CSP Chip Scale Package
晶粒級封裝

84、DIP Dual Inline Package
雙排腳封裝體 (多指早期插孔組裝的集成電路器)

85、FET Field-Effect Tranistor
場效電晶體利用輸入電壓所形成的電場，可對輸出電流加以控制，一種半導體組件，能執行放大、振蕩及開關等功能。一般分為"接面閘型"場效電晶體，與"金屬氧化物半導體"場效電晶體等兩類

86、GaAs Gallium Arsenide (Semiconductor )
砷化半導體是由砷(As)與　(Ga)所化合而成的半導體，其能隙寬度為1.4電子伏特，可用在電晶體之組件，其溫度上限可達400℃。通常在砷化　半導體中其電子的移動速度，要比矽半導體中快六倍。GaAs將可發展成高頻高速用的"集成電路"，對超高速計算機及微波通信之用途將有很好的遠景。

87、HIC Hybrid Integrated Circuit
混合集成電路將電阻、電容與配線採厚膜糊印在瓷板上，另將二極體與電晶體以矽片為材料，再結合於瓷板上，如此混合組成的組件稱為HIC。

88、IC Integrated Circuit
集成電路器是將許多主動組件 (電晶體、二極體)和被動組件 (電阻、電容、配線)等互連成為列陣，而生長在一片半導體基片上 (如矽或砷化　等)，是一種微型組件的集合體，可執行完整的電子電路功能。亦稱為單石電路 (Monolihic Circuits)。

89、ILB Inner Lead Bonding
內引腳結合是指將TAB的內引腳與晶片上的突塊 (Bump ; 鍍錫鉛或鍍金者)，或內引腳上的突塊與晶片所進行反扣結合的製程。

90、KGD Known Good Die
確知良好晶片

91、LCC Leadless Chip Carrier
無腳晶片載體(是大型IC的一種)

92、LCCC Leadless Ceramic Chip Carrier
瓷質無腳晶片載(大型IC的一種)

93、LGA Land Grid Array
焊墊格點排列指矩陣式排列之引腳焊墊，如BGA"球腳數組封裝體"，或CGA"柱腳數組封裝體"等皆屬之。

94、LSI Large Scale Integration
大規模集成電路指一片矽半導體的晶片上，具有上千個基本邏輯閘和電晶體等各種獨立微型之組件者，稱為LSI。

95、MCM Multichip Module
多晶片模塊是指一片小型電路板上，組裝多枚裸體晶片，且約佔表面積 70% 以上者稱為MCM。此種MCM共有 L、C及D等三型。L型(Laminates)是指由樹脂積層板所製作的多層板。 C(Co-Fired) 是指由瓷質板材及厚膜糊印刷所共燒的混成電路板，D(Deposited)則採集成電路的真空蒸著技術在瓷材上所製作的電路板。

96、PGA Pin Grid Array
矩陣式插腳封裝組件

97、PLCC Plastic Leaded Chip Carrier
有腳塑料封裝晶片載體(膠封大型IC)

98、QFP Quad Flat Package
四面督平接腳封裝體(指大型晶片載體之瓷封及膠封兩種IC)

99、SIP Single Inline Package
單排腳封裝體

100、SOIC Small Outline Intergrated Circuit
小型外貼腳集成電路器指雙排引腳之小型表面黏裝IC，有鷗翼腳及 J型腳兩種。

101、SOJ Small Outline J-lead Package
雙排J型腳之封裝組件

102、SOT Small-Outline Transistors
小型外貼腳之電晶體

103、TAB Tape Automatic Bonding
卷帶自動結合技術是先將裸體晶片以鍍金或鍍錫鉛的"突塊"(Bump)反扣結合在"卷帶腳架"的內腳上 (ILB) ，經自動測試後，再以卷帶架的外腳結合在電路板的焊墊上(OLB) ，這種以卷帶式腳架為中間載體，而將裸體晶片直接組裝在 PCB上的技術，稱為"TAB技術"。

104、TCP Tape Carrier Package
卷帶載體封裝(此為日式說法，與美式說法TAB"卷帶自動結合"相同)

105、TFT Thin Film Transistor
薄膜式電晶體可用於大面積LCD之彩色顯像，對未來之薄型電視非常有用。

106、TSOP Thin Small Outline Plackage
薄超型外引腳封裝體是一種又薄又小雙排腳表面黏裝的微小IC，其厚度僅 1.27mm，為正統SOJ高度的四分之一而已。

107、ULSI Ultra Large Scale Integration
超大規模集成電路

108、VHSIC Very High Speed Integrated Chips
極高速集成電路晶片

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