隨著小米10的發布，氮化鎵（GaN）充電器開始進入大眾視野，同時也激活了市場。此次小米發布的氮化鎵充電器Type-C 65W，體積比常規充電器小50%，且能夠為筆記本電腦充電。與此同時，該充電器具備多檔位充電功率自動調節，智能兼容市面上主流筆電和手機產品，即使是為iPhone 11充電，充電速度也比iPhone原裝充電速度快50%。
新型的GaN快充與傳統快充相比，由於GaN充電器擁有更大的功率密度，所以能夠實現更快的充電速度；同時，由於具有更高的能量轉化效率，所以GaN快充具有更低的功耗並減少發熱，此外，GaN功率器件的開關頻率顯著高於傳統快充中的Si功率器件，因此可以實現體積更小的充電器產品設計，有望成為快充技術升級的重要方向。
氮化鎵：第三代半導體材料
在國內，氮化鎵被稱為第三代半導體材料（又稱為寬禁帶半導體材料）。GaN的禁帶寬度、電子飽和遷移速度、擊穿場強和工作溫度遠遠大於Si和GaAs，具有作為電力電子器件和射頻器件的先天優勢。目前第三代半導體材料以SiC和GaN為主。相較於SiC，GaN材料的優勢主要是成本低，易於大規模產業化。儘管耐壓能力低於SiC器件，但優勢在於開關速度快。同時，GaN如果配合SiC襯底，器件可同時適用高功率和高頻率。
目前業界已推出多種快充技術方案，主要包括高通Quick Charge技術、OPPO VOOC閃充技術、聯發科PumpExpress技術、華為Super Charge技術、vivo SUPER Flash Charge技術和USB3.1 PD充電技術等。隨著智慧型手機等應用市場對快充產品需求的持續提升，快充產業將保持快速發展趨勢。
氮化鎵充電器最主要的成本來自於氮化鎵MOS功率晶片，昂貴的原材料導致了消費級氮化鎵充電器價格高昂，但氮化鎵充電器是實現快充突破的關鍵，未來將成為各大主流手機廠商的標配，隨著應用的逐步擴大，規模化效應會逐步凸顯，成本將越來越低。未來如果蘋果也開始採用氮化鎵的充電器，氮化鎵充電器的滲透率會加速上升。
2013年高通發布快充技術，起步階段只是在手機充電器領域使用，一年之內成為安卓手機的標配。快充手機和充電器滲透率迅速提升。無線充電起步階段只在三星高端機使用，現在已經滲透到各品牌的旗艦機。預計氮化鎵充電器，2020年只是在少數高端機型上作為標配產品，獨立的氮化鎵充電器是主要產品。根據快充和無線充電發展規律，預計2021年氮化鎵充電器有望會成為旗艦手機標配。
隨著技術的突破，產品價格降低，氮化鎵成為最重要的半導體材料，使行業產生巨大變革，GaN（氮化鎵）市場將迎來爆發。
氮化鎵應用領域廣泛
GaN應用領域廣泛，目前氮化鎵器件有三分之二應用於軍工電子，如軍事通訊、電子幹擾、雷達等領域；在民用領域，氮化鎵主要被應用於通訊基站、功率器件等領域。
基站建設將是氮化鎵市場成長的主要驅動力之一。Yoledevelopment數據顯示，2018年，基站端氮化鎵射頻器件市場規模不足2億美元，預計到2023年，基站端氮化鎵市場規模將超5億美元。氮化鎵射頻器件市場整體將保持23%的複合增速，2023年市場規模有望達13億美元。
氮化鎵基站PA的功放效率較其他材料更高，因而能節省大量電能，且其可以幾乎覆蓋無線通訊的所有頻段，功率密度大，能夠減少基站體積和質量。
功率器件領域，GaN器件在高頻、高轉換效率、低損耗、耐高溫上具有極大的優勢，隨著5G手機耗電量增加，大功率快充將成為標配，同時手機、筆電、平板電腦等終端產品充電器將趨於歸一化。光電領域，GaN器件應用在LED、VCSEL傳感器等領域。
Yoledevelopment數據顯示，2018年GaN功率電子器件國內市場規模約為1.2億元，尚處於應用產品發展初期，但未來市場空間有望持續拓展，在市場樂觀預期下2023年GaN功率電子市場規模有望達到4.24億美元。氮化鎵射頻市場規模將於2023年增長至13億美元，複合增速為22.9%。下遊應用結構整體保持穩定，以通訊與軍工為主，二者合計佔比約為80%。.
氮化鎵主要增長：電源和射頻晶片
電源和射頻晶片是GaN主要增長點：
1)電源晶片將是GaN短期推動力。在電源晶片方面（主要是充電器晶片），受到小米，VIVO等廠商的推動，充電器將會成為GaN市場發展的短期推動力。伴隨著GaN產量的上升，GaN晶片的製造成本也會快速下降，形成消費電子類GaN市場。
根據材料深一度援引Yole數據，2018年GaN功率器件國際市場規模中，電源設備領域佔比55%，其次是雷射雷達，佔比達到26%，其他下遊應用如包絡跟蹤、無線電源等。GaN在電源設備的應用還包括手機的快速充電及無線充電等，隨著消費電子朝小型化，智能化發展，GaN將擁有更多應用場景。
電源驅動晶片主要廠商有：聖邦股份和富滿電子。
2)射頻晶片將是GaN長期推動力。射頻領域是GaN目前滲透率較高、未來發展前景大的產業，尤其是用於價格敏感度較低的基站建設和改造，GaN射頻晶片已經在少部分基站投入使用，由於GaN耐壓高，高頻特性好，特別是在毫米波上的的優勢，在5G基站領域需求強烈。
氮化鎵將佔射頻器件市場半壁江山。在射頻器件領域，目前LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）、GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）三者佔比相差不大，但據Yoledevelopment預測，至2025年，砷化鎵市場份額基本維持不變的情況下，氮化鎵有望替代大部分LDMOS份額，佔據射頻器件市場約50%的份額。
據YoleDevelopment數據，目前GaN在射頻市場（除手機PA）的市佔率超過20%，未來GaN將替代LDMOS，預計通信領域RF用GaN市場規模將從2017年的1.5億美元增長到2023年的5.6億美元。
在軍用市場，GaN射頻器件需求快速增長，根據《第3代半導體發展概述及我國的機遇、挑戰與對策》數據，僅戰鬥機雷達對GaN射頻功率模塊的需求就將達到7500萬隻。目前，美國海軍新一代幹擾機吊艙及空中和飛彈防禦雷達（AMDR）已採用GaN射頻功放器件替代GaAs器件。根據該期刊論文援引Yole的預測，2020年末，GaN射頻器件市場規模將達到7.5億美元，年均複合增長率20%。
氮化鎵產業鏈將迎快速發展
隨著智慧型手機等應用市場對快充產品需求的持續提升，快充產業將保持快速發展趨勢，相關產業鏈公司有望率先受益。快充產業鏈的上遊為快充方案設計，以及GaN、電容器、連接器及線束、充電接口等電子原材料或電子元器件，中遊為充電器模塊、快充晶片、電源管理晶片、電芯和電芯PACK，下遊則為各類充電應用。
其中GaN（氮化鎵）產業鏈包括上遊原材料、中遊器件模塊和下遊應用。
上遊原材料基本包括襯底、外延片
襯底廠商主要有：蘇州納維、東莞中鎵、住友電氣、三菱化學等；
外延片廠商有：晶湛半導體、江蘇能華、華功半導體、大連芯冠、英國IQE、美國Allos等。
國外主要廠商方面，矽基襯底主要供應商有德國Siltronic、日本Sumco、日本Shin-Etsu等企業，而日本的NTT-AT、比利時的EpiGaN和英國的IQE等則是矽基GaN外延片的主要供應商。部分廠商則在產業鏈上延伸，同時生產外延片及器件製造，例如Episil、Bridg、Fujitsu等。
中遊器件模塊環節包括設計、製造、封測、IDM
設計廠商主要有：海思半導體、中興微電子、安譜隆等、Dialog等；
製造環節廠商主要有：三安光電、臺積電等；
封測廠商有：富滿電子等；
IDM廠商有：士蘭微、英飛凌、恩智浦、住友電氣等；
下遊應用包括消費電子、數據中心、電源、電力電子。
目前主流氮化鎵生產廠家依舊集中在美、歐、日等國，我國企業尚未進入供給端第一梯隊。
初創型的公司比如EPC，Transphorm，GaN system和Navitas主要選擇fabless模式，代工廠有臺積電，Episil。EPC宣布低壓晶圓級封裝產品價格和矽相同。同時傳統的IDM公司比如德州儀器，英飛凌，意法半導體和松下等也參與競爭，比如英飛凌在2018年批量600V E-mode HEMT，意法半導體和CEA Leti合作8寸的GaN-on-Si技術。
氮化鎵刺激功率半導體市場繁榮
在今年的CES2020上，包括Anker在內的30家廠商推出了66款氮化鎵快充產品。現在小米再緊接著推出氮化鎵充電器，將把這個市場需求進一步擴大。伴隨著GaN在消費電子行業中的普及，GaN晶片的設計、製造成本將快速下降，進一步刺激市場應用普及。
氮化鎵領域的投資機會將呈現由點到面，多領域相互促進的態勢。第一層，GaN充電器已經走進消費電子，將迎來快速爆發；第二層，疫情過後，國內市場5G Sub-6GHz基站建設需求加速回補，美國市場5G毫米波建設如期推進，全球5G基站建設將刺激射頻GaN和電源GaN的應用普及；第三層，隨著GaN產品在消費電子滲透率提升和5G基建剛需的帶動下，成本下降，應用場景將進一步擴大到新能源汽車、雷射雷達、數據中心等，從而刺激功率半導體市場繁榮。