【華為實力那麼強，為何還沒有提前啟動光刻機研究計劃？還必須依賴臺積電呢？】
前提回顧：
在5月15日，美國商務部新的政策規定：任何企業出貨半導體產品以及相關技術給華為，須經過美國政府審查！
為此，臺積電等給華為代工的企業將會頗受影響，雖然有120天的緩衝期，但是120天以後呢。之前，美國規定的技術是，佔比由25%降到10%後，這次新規定直接這次降到0%。
而臺積電作為重要的代工企業，因為擁有ASML的光刻機，技術在全球應該是領先的存在。一旦美國的晶片規定實施，華為的晶片一定備受影響，因此會有疑問：為何華為不自己製造光刻機，自己晶片代工呢？
華為的光刻機？
我們知道目前讓華為稍微有所心裡安慰的，國內的中芯國際可以給華為進行代工，代工的是14nm工藝的芯。
但是，我們不得不知道，一直以來，準備賣給中芯國際的ASML光刻機，一直受到影響，無法取得ASML的半導體設備，即使可以通過N+1 技術帶來更接近7nm的工藝製程，可終歸還是技術的缺乏。
中芯國際技術還是受限制。有人問為何不華為自己研發光刻機呢？這裡我們必須要知道光刻機的難度。
光刻機難度
第一：光刻機的零部件高達80000多個，包括了測量臺、曝光臺、雷射器（光源，光刻機核心設備）、光束矯正器、能量控制器、 光束形狀設置、掩模版、 掩膜、物鏡等等。可以說光刻機的零部件複雜，來自世界各地。
第二：技術要求高。不僅僅德國蔡司的鏡頭，還需要功率高而穩定的光源，就像上海微電子的總經理賀榮明說：「光刻機的難度，相當於兩架大飛機從起飛到降落，始終齊頭並進。一架飛機上伸出一把刀，在另一架飛機的米粒上刻字，還不能刻壞了。」
其實，ASML難度決定華為很難打破束縛去研究光刻機。更何況華為也知道，如果研發光刻機並非一日之功，更會獲得美國在各種方面的制約。
因此，華為很難發展光刻機技術，這是難度造成，也是沒有必要去研發光刻機技術。