矽管的初始導通壓降是0.5V左右，正常導通壓降是0.7V左右，在接近極限電流情況下導通壓降是1V左右；鍺管的初始導通壓降是0.2V左右，正常導通壓降是0.3V左右，在接近極限電流情況下導通壓降是0.4V左右，肖特基二極體的初始導通壓降是0.4V左右，正常導通壓降是0.5V左右，在接近極限電流情況下導通壓降是0.8V左右。
兩種二極體都是單向導電，可用於整流場合。區別是普通矽二極體的耐壓可以做得較高，但是它的恢復速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發生反向漏電，最後導致管子嚴重發熱燒毀;肖特基二極體的耐壓能常較低，但是它的恢復速度快，可以用在高頻場合，故開關電源採用此種二極體作為整流輸出用，儘管如此，開關電源上的整流管溫度還是很高的。
快恢復二極體是指反向恢復時間很短的二極體(5us以下)，工藝上多採用摻金措施，結構上有採用PN結型結構，有的採用改進的PIN結構。其正向壓降高於普通二極體(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，後者則在100納秒以下。肖特基二極體是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體，簡稱肖特基二極體(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復時間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低於150V，多用於低電壓場合。這兩種管子通常用於開關電源。肖特基二極體和快恢復二極體區別：前者的恢復時間比後者小一百倍左右，前者的反向恢復時間大約為幾納秒~! 前者的優點還有低功耗，大電流，超高速~!電氣特性當然都是二極體阿~!快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件。
反向耐壓值較低(一般小於150V)，通態壓降0.3-0.6V，小於10nS的反向恢復時間。它是有肖特基特性的「金屬半導體結」的二極體。其正向起始電壓較低。
其金屬層除材料外，還可以採用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料採用矽或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的
PN結大得多。由於肖特基二極體中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極體可以用來製作太陽能電池或發光二極體。
有0.8-1.1V的正嚮導通壓降，35-85nS的反向恢復時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率並改善了波形。快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件.
快恢復二極體FRD（Fast Recovery Diode）是近年來問世的新型半導體器件，具有開關特性好，反向恢復時間短、正向電流大、體積小、安裝簡便等優點。超快恢復二極體SRD（Superfast Recovery Diode），則是在快恢復二極體基礎上發展而成的，其反向恢復時間trr值已接近於肖特基二極體的指標。它們可廣泛用於開關電源、脈寬調製器（PWM）、不間斷電源（UPS）、交流電動機變頻調速（VVVF）、高頻加熱等裝置中，作高頻、大電流的續流二極體或整流管，是極有發展前途的電力、電子半導體器件。
反向耐壓值較低(一般小於 150V)，通態壓降 0.3-0.6V，小於 10nS 的反向恢復 時間。它是有肖特基特性的「金屬半導體結」的二極體。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外， 還可以採用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料採用矽或砷化鎵，多為 N 型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的 PN 結大得多。由於肖特基二極體中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為 RC 時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達 100GHz。並且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極體可以用來製作太陽能電池或發光二極體。
快恢復二極體：有 0.8-1.1V 的正嚮導通壓降，35-85nS 的反向恢復時間，在導通和截止之間 迅速轉換，提高了器件的使用頻率並改善了波形。快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的 擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極體主要應用在逆 變電源中做整流元件.快恢復二極體 FRD（Fast Recovery Diode）是近年來問世的新型半導體器件，具有開關特性 好，反向恢復時間短、正向電流大、體積小、安裝簡便等優點。超快恢復二極體 SRD（Superfast Recovery Diode），則是在快恢復二極體基礎上發展而成的，其反向恢復時間 trr 值已接近於肖特 基二極體的指標。它們可廣泛用於開關電源、脈寬調製器（PWM）、不間斷電源（UPS）、交流 電動機變頻調速（VVVF）、高頻加熱等裝置中，作高頻、大電流的續流二極體或整流管，是極 有發展前途的電力、電子半導體器件。
器件本身具有很高的開關頻率，而且它的反向擊穿電壓比較的低。同時因為技術的不斷改進，對新型材料的使用，使得肖特基二極體本身充滿了生機以及很強的競爭力。
在運行的過程中，肖特基二極體的反向偏壓比較的低，同時它的反向漏電流卻是比較大的，而且在實際的操作過程中它容易產生發熱的現象，對器件的運作和效率都會造成一定的影響。
肖特基二極體的單向導電性，電源接反了直接導通肖特基二極體,保護後級電路，其實這裡肖特基二極體主要起過壓吸收作用，異常電壓或高諧波超過肖特基二極體擊穿電壓時，肖特基二極體導通，保護電路以免擊穿。當電壓反接之後，肖特基二極體與5V的輸出端是並聯電路，而肖特基二極體的阻抗要小，所以分流較多，從而保護輸出端。