在晶片工藝的製作上,臺積電從來就沒有輸過,人家研究14nm的時候,它突破了7nm工藝,當人家突破7nm工藝的時候,它卻開始量產5nm晶片。不光如此,就在前段時間三星剛剛宣布要在晶片的製程上超越臺積電開始3nm工藝製程研究的時候,臺積電近日又傳出好消息稱:「已經研發出2nm製程工藝的晶片,並取得突破性進展。」
這種瘋狂突破的行為,像極了曾經學校裡面的學霸,輕輕鬆鬆就能獲得好成績,而三星就像是一直想爭奪第一名寶座的「二寶」,但是卻一直被「吊打」。據IT之家7月13日的消息,臺灣媒體報導,臺積電在2nm晶片的製程上迎來了新的突破,已經成功找到切入環繞式柵極技術(gate-all-around,簡稱 GAA)的技術路徑。並且按照臺積電的計劃,該製程的晶片將於2023-2024年投產使用。
根據摩爾定律的說法:「當價格不變時,集成電路上可容納的元器件的數目,約每隔18-24個月便會增加一倍,性能也將提升一倍」。這個定律自1959年美國著名半導體公司「仙童公司」推出平面型電晶體以來,一直延續到今天,並且很多專家和網友也預測2nm工藝或是矽基晶片的開發極限。這就意味著,三星想要在矽基晶片的製程工藝上超越臺積電是十分困難的。
臺積電每年的毛利率比蘋果公司還要高,在2019年的時候達到了50.2%,同期的蘋果公司卻只有36%左右,在代工企業中,臺積電可以稱得上是「代工皇帝」了。甚至在晶片的製造中,幾乎沒有人比臺積電更精通的了,那麼是什麼讓臺積電擁有如此輝煌成就的呢。在西瓜視頻漲知識了,借用西瓜視頻創作人東城觀星的話來說,臺積電的成功源自於三點:
1、技術優勢
很多人認為,是ASML的光刻機成就了臺積電,畢竟ASML每年生產的光刻機大部分都被臺積電購買了,讓臺積電成了世界上高端光刻機最多的晶片生產廠商之一。但這只是其中的一個因素,畢竟這種極紫外線的光刻機在製作工藝中擁有絕對的優勢,很多國家對這種光刻機也是夢寐以求。但是對於晶片代加工企業來說,並不是光靠光刻機這麼簡單,從晶圓到加工成晶片,過程包括晶圓的切割—打磨—塗膜—塗光刻膠—光刻—刻蝕—離子注入—晶圓測試—切割die—封裝等很多非常重要的步驟,中間設計了幾千道的工序,而光刻機只是其中一個重要的環節。目前5nm的晶片生產良率已經達到了80%。擁有這種光刻機設備的不止臺積電一家,但是想做到這一點卻非常難。
2、製程工藝升級快
在製程工藝上,誰的工藝更先進,那麼誰就能佔領先機,臺積電曾經就提出了工藝「領先半步」的專業,在Intel投產45納米的時候,臺積電就做出了40nm的晶片,而當Intel32納米時,臺積電就達到了28納米,就是因為在這種戰略下,臺積電一直領跑Intel和三星兩大晶片生產和設計廠家。並且臺積電還擁有領先的封裝技術,比同行的封裝面積更小,更薄。就這樣吸引了很多高品質的客戶,一直發展到今天。
3、不和客戶競爭市場
相對於三星和Intel來說,臺積電的設立之初就給自己定位的很清楚,只做晶片的代工,對於晶片設計企業來說,想要邊設計邊生產,成本和技術難度都太高,但如果把設計好的晶片圖紙交給代加工企業生產,整體的效率會高很多,而且成本也變得更低了。但是把設計圖紙交給那些會製作銷售自己晶片的廠家,很容易造成技術洩露,而臺積電正因為承諾永遠不會突破代工的邊界,不做晶片的開發和銷售,一致獲得客戶的信賴和認可。
不得不說,矽基晶片的發展非常迅速,短短幾十年的時間,就已經突破到2nm工藝的研發。那麼被譽為矽基晶片開發極限的2nm工藝是否還有被開發的可能呢,其實我絕對想要在2nm工藝突破的話難度將會變得非常大,畢竟光刻機也是有極限的,2nm工藝也是依賴於5nm的光刻機製作的。類似於中芯國際7nm的N+1技術,想要再次升級到1nm將變得非常困難。根據中科院的消息,我國的碳基半導體也迎來了新的突破,使用碳納米管制成的半導體在性能上更優異,性能將提升10倍以上,而且功耗也降低30%以上。碳基晶片成為了未來晶片半導體的主要發展方向。
隨著「矽基晶片」製作工藝的極限被開發,新材料的碳基晶片和工藝崛起,「代工皇帝」臺積電的輝煌是否還能延續呢,這個要看未來的「碳基晶片」量產化工藝是否能夠優化,並繼承「矽基晶片」的生產設備,只有這樣,擁有高端光刻機和豐富生產「矽基晶片」的臺積電才能重新獲得先機。
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