同樣是造7納米晶片，為什麼EUV光刻機比DUV光刻機貴一倍？

光刻機作為生產製造半導體晶片的關鍵設備，其技術和先進程度直接影響著晶片的工藝和性能，比如說目前非常熱門的7nm級晶片，臺積電和三星基本都採用ASML生產的EUV光刻機來製造，產能也開始趨於穩定，然而，很多人可能認為想要造7nm晶片就只能靠EUV光刻機，其實使用傳統的DUV光刻機也是可以製造的。

僅僅從價格上來說，DUV光刻機就比EUV光刻機便宜太多了，像ASML生產的一臺EUV光刻機價格可能高達1.2億歐元，折合人民幣10億元左右，被人們稱之為「天價」光刻機。而相對來說，成熟的高端DUV光刻機要價只有5.8億人民幣左右，價格幾乎比EUV光刻機便宜一半，雖然同樣很貴，但是一臺EUV光刻機都快頂兩臺DUV光刻機了。

當年，臺積電第一代7nm晶片其實就是使用這類DUV光刻機製造的，比如說高通驍龍855，華為麒麟980都是這類光刻機參與生產製造的晶片，而後來的EUV光刻機上馬之後，臺積電的代工價格立馬水漲船高，裡面的原因自然少不了光刻機成本的大幅上升。

為什麼同樣製造7nm晶片，EUV光刻機卻這麼貴？這恐怕得從製造原理上說起，DUV其實就是指193nm波長的光刻機，分乾式和液浸式。基本上液浸式一次曝光可以搞定45-28的工藝，所以這個製程節點也是DUV光刻機發揮作用的主要時期，而對於10nm及7nm的先進工藝，那麼DUV光刻機就要用多重曝光技術，通過更多的曝光次數來達到目標。

一顆晶片的多次曝光付出的代價是巨大的，晶片每一次曝光貴的離譜，其實一次都夠燒錢了，更別提反覆曝光了，所以說曝光次數越多，晶片的量產成本越高，而且良品率也不好控制，這不管是對於臺積電這樣的代工方，還是高通和華為這樣的客戶方都是難以接受的，所以說7nm工藝用DUV光刻機不能是長期方案。

而EUV光刻機就不一樣了，EUV是高能紫外線，波長大概是10nm到124nm，起步就可以製造7nm工藝級別的晶片，甚至為未來5nm和3nm以後的晶片做好了準備，不需要多次曝光就可以完成，所以儘管價格貴，但是長期使用的話對控制成本和風險優勢很大。

而EUV光刻機之所以這麼貴，主要是其中涉及精密光學、精密運動、精密物料傳輸、高精度微環境控制等多項先進技術，是所有半導體製造設備中技術含量最高的設備，雖說EUV光刻機只有ASML生產，但是卻是英特爾、三星和臺積電等諸多巨頭多年投入研發的結果，所以說短期內指望EUV光刻機降價很不現實，這也是未來掌握先進晶片製造技術的關鍵。