據外媒報導，高通當地時間周三表示，歐盟反壟斷機構歐盟委員會正在對該公司進行反壟斷調查，查證其是否利用在5G射頻晶片領域的市場優勢在歐盟國家從事反競爭行為。
高通在其提交給美國證券交易委員會（SEC）的10-Q季度報表中稱，2019年12月3日，該公司收到歐盟委員會的通知，稱正在調查高通是否通過利用其在射頻前端（RFFE）市場及5G數據機領域的市場地位，在歐盟國家從事反競爭行為。
如果發現違規行為，歐盟委員會有可能採取廣泛的補救措施，包括處以罰款（高至高通年營收的10%），以及禁止或限制某些高通商業行為的禁令。
高通表示，該公司的商業行為並未違反歐盟的反壟斷準則，很難預測此事的結果，也很難預測歐盟會採取什麼補救措施。
高通在射頻前端領域的布局
眾所周知，高通公司是全球主要的手機晶片及數據機（基帶晶片）提供商，而基帶晶片也正是手機及其他終端設備連接到蜂窩無線網絡的關鍵。高通憑藉其在基帶晶片領域的技術和專利優勢，已經成為了全球最大的基帶晶片供應商，全球幾乎所有的手機廠商都有採用高通的基帶晶片。即便是此前與高通對簿公堂的蘋果，也在去年選擇放棄英特爾基帶晶片，與高通和解並達成了新為期6年的許可協議。足見高通在基帶晶片領域的強勢地位。
此外，近年來，高通也在積極將自身的優勢地位擴展至射頻前端相關領域。射頻前端是移動通信系統的核心組件，主要起到收發射頻信號的作用，它包括功率放大器(PA)、雙工器(Duplexer和Diplexer)、射頻開關(Switch)、濾波器(Filter)、低噪放大器(LNA)等五個組成部分。
早在2016年，高通就與TDK共同斥資30億美元成立了合資公司RF360 Holdings Singapore Pte（以下簡稱「RF360」），使得高通獲得了完整的4G/5G射頻前端解決方案。資料顯示，RF360產品主要涉及濾波器和濾波技術，包括表面聲波（SAW）、溫度補償表面聲波（TC-SAW）和體聲波（BAW）解決方案等。
此後，高通就憑藉其在基帶晶片及手機晶片市場的優勢地位，開始將其射頻前端產品與其基帶晶片及SoC進行打包銷售，並很快取得了不錯的成績。
雖然高通沒有詳細列出射頻前端業務的收入，但該公司此前曾指出，其射頻前端銷售額在其2018財年同比幾乎翻了一番。另外，根據高通此前公布的預測數據顯示，除了手機晶片業務之外，高通近年來在包括射頻前端、汽車、物聯網等領域也增長迅速，這些非核心業務有望在2019財年為高通貢獻約70億至80億美元的收入，並在2017-2019財年以25%的速度穩固增長。
而隨著5G的商用，智慧型手機需要支持的頻段數量正在不斷上升，因為不僅要支持5G頻段，還要兼容4G的頻段，以應對4G、5G多模信號切換的需求。因此，這也對5G手機的射頻前端晶片提出了更高的要求，同時對於射頻前端晶片的需求量和價值也快速增長。以濾波器為例，目前一款4G手機中的需要用到的濾波器數量大約為30多個，而5G手機則可能需要上百個。
根據高通此前預計，到2020年，隨著5G的大規模商用，高通可服務的市場業務規模將達到1500億美元。其中，高通佔據主導地位的智慧型手機晶片業務將達320億美元，而射頻前端業務也將達到200億美元的規模。
另外，根據福布斯的預計，隨著5G的推動，到2019年，基於高通數據機的設備將有約3%的配備了高通的射頻前端組件，到2021年，這一數字將上升至20%。
在此預期之下，高通也一直在不斷強化其射頻前端業務，並通過自身在手機晶片市場的強勢地位，推動手機製造廠商購買其射頻晶片與基帶晶片（或SoC晶片）組成的全套解決方案，而不是從其他供應商那裡單獨選擇射頻前端晶片進行集成。
雖然此前大多數搭載高通數據機的4G旗艦手機都依賴於Skywork、Qorvo、AVAGO和muRata等第三方的射頻前端晶片，但高通正尋求在5G時代改變這一局面。
2019年2月，高通在推出其第二代5G基帶晶片驍龍X55同時，還率先推出了一套完整的5G射頻前端解決方案，其中包括與驍龍X55配合的QTM525毫米波天線模組、全球首款宣布的5G包絡追蹤解決方案QET6100、集成式5G/4G功率放大器(PA)和分集模組系列，以及QAT3555 5G自適應天線調諧解決方案。
相對於4G設備來說，在設備輕薄化的趨勢之下，5G設備內部需要集成更多器件，對於設備的成本、內部空間、功耗和系統設計都帶來了極大的挑戰。這也使得集成5G基帶的5G SoC和5G射頻晶片的集成模組化成為了趨勢。
而高通在這方面處於有利地位，因為它不僅提供手機基帶晶片、手機SoC晶片，同時還為射頻前端提供端到端的解決方案，包括功率放大器、濾波器、射頻收發器和天線調諧器，這意味著整個數據機到天線的組合可以使用高通的組件構建。這可以幫助終端廠商降低5G終端的開發難度，提升研發效率，縮短產品開發周期，降低開發成本，使得產品能夠更快地推向市場。而使用第三方供應商的射頻前端器件則沒有這些優勢。此外，由於射頻前端還對設備的電池壽命、接收、通話質量和數據速度有直接影響，終端廠商可能更願意使用高通這樣的單一供應商來滿足他們的需求。
這也使得，在5G射頻前端市場，高通的市場份額有望持續提升，並對於Skywork、Qorvo、AVAGO、muRata等廠商形成擠壓。而高通在手機晶片及基帶晶片市場的強勢地位，也正是推動其射頻前端業務增長的關鍵助力。
值得一提的是，在「2018 Qualcomm中國技術與合作峰會」上，高通還分別與OPPO、vivo、小米、聯想等手機大廠籤署了諒解備忘錄（MoU），四家公司表示有意向在三年內（2019-2021年）向高通採購價值總計不低於20億美元的射頻前端部件。
此外，據了解，高通此前也已經與三星電子、谷歌和LG電子等籤署了射頻晶片合同。
2019年9月，高通宣布斥資31億美元收購了TDK在RF360中的剩餘股權，至此，RF360成為了高通100%控股的射頻前端晶片子公司。高通表示這是其5G戰略布局的又一重要裡程碑。
當地時間2020年2月5日，高通公布了截至2019年12月29日的第一財季財報，根據財報顯示，該公司營收為50.77億美元，比去年同期的48.42億美元增長5%。高通公司高管表示，來自射頻市場的收入對銷售預期的貢獻超過了分析師的預期。
顯然，高通在射頻前端領域的持續投資，已經為高通帶來了不小的回報。
射頻前端市場競爭格局
從整個射頻前端市場的演變來看，過去的十年間，通信行業經歷了從2G到3G，再從3G到4G的兩次重大產業升級，雙4G/全網通、五模/七模、十三頻/十七頻/三十頻、載波聚合、MIMO逐漸成為智慧型手機標配，這也導致對於包括射頻開關、射頻低噪聲放大器、射頻功率放大器、雙工器、射頻濾波器在內的射頻前端器件的要求越來越高，同時所需的數量和價值也在急劇增加。
例如，2G時代，手機頻段數是4個，總價值約0.8美元；3G時代，手機頻段數上升到6個，總價值約3.25美元；然而到了4G時代，千元機頻段數就達到了8-20個，總價值也提高到了8-10美元；旗艦機頻段數在17-30，需要20-40個濾波器，10個開關，總價值達到了16-20美元；而到了5G 手機，頻段數將達到50多個，需要80個濾波器和15個開關，總價值達25-40美元。
從整個射頻前端市場的供應商格局變化來看，隨著通信技術的持續迭代，需要的資金和技術投入越來越大，市場競爭也進一步加劇，射頻前端市場的玩家也在不斷的併購當中越來越少，市場也越來越集中。目前在整個射頻前端市場，Skywork、Qorvo、Avago（Broadcomm）和muRata四家國外廠商佔據著全球約85%的市場份額，國產射頻前端廠商存在感較低。
根據數據顯示，在移動市場，現在全球93%的PA供應集中在 Skyworks、Qorvo 和 Avago（Broadcomm）等幾家廠商手中。濾波器也被Murata、TDK、TAIYO YUDEN、Avago（Broadcomm）和Qorvo等廠商瓜分，其中Murata、TDK和TAIYO YUDEN瓜分了82%的SAW濾波器市場，而Broadcomm（Broadcomm）和Qorvo則佔據了95%的BAW市場。
相對來說，國內SAW濾波器廠商主要有無錫好達、麥捷科技、瑞宏科技、信維通信、中電德清華瑩、華遠微電等，在5G所需的BAW濾波器這塊，國內廠商天津諾思和開元通信也才剛有產品推出。在4G PA這塊，國內也有唯捷創芯、絡達（已被聯發科收購）、展銳、漢天下、飛驤科技等。在射頻開關方面，國內有卓勝微（三星和小米是最大客戶）、展銳、立積電子等。總的來說，在射頻器件領域，國內供應商的器件性能相比國外大廠來說仍有較大的差距。
而在5G射頻前端器件這塊，目前供應商也只有Skywork、Qorvo、AVAGO、muRata和高通的RF360，同時，高通RF360也是目前唯一一家能夠提供從5G手機基帶晶片到5G射頻端到端解決方案的廠商。而國產射頻前端廠商在5G設備前端器件這塊基本還是空白。
此前，紫光展銳執行副總裁王瀧在接受芯智訊採訪時就曾表示：「2G、3G射頻前端比較簡單，所以2G、3G時代很多公司在做射頻，RDA曾佔有很大的市場份額，但是到了4G就變得很複雜，玩家也越來越少，基本是美日廠商的天下。因為這並不單單是設計的問題，要設計＋生產製作跟產能的整合，要走IDM的模式，基本上就是國際大廠形成了對主流市場的實際壟斷。而到了5G時代，射頻變得更加的複雜，因為需要支持的頻段更多了，同時對於製造工藝和化合物材料的要求也變得更高，玩家將會進一步的減少。」
據了解，目前4G高端射頻器件大多採用的是砷化鎵材料。進入5G時代，5G產品大多具備高功率、高壓、高溫等特性，原有的材料因無法克服在高壓、高頻中的損耗，所以已無法滿足5G需求，而新的氮化鎵、碳化矽材料，可以降低電能轉換過程中的能量損耗、更容易實現小型化、更耐高溫高壓。但目前，在氮化鎵和碳化矽工藝方面，也主要是被國外廠商所壟斷，國內供應商較少，這也在一定程度上制約了國產5G射頻前端器件的發展。
編輯：芯智訊-浪客劍