EXB8..Series的使用特點：
1）EXB8..Series的驅動晶片是通過檢測IGBT在導通過程中的飽和壓降Uce來實施對IGBT的過電流保護的。對於IGBT的過電流處理完全由驅動晶片自身完成，對於電機驅動用的三相逆變器實現無跳閘控制有較大的幫助。
2）EXB8..Series的驅動晶片對IGBT過電流保護的處理採用了軟關斷方式，因此主電路的dv/dt比硬關斷時小了許多，這對IGBT的使用較為有利，是值得重視的一個優點。
3）EXB8..Series驅動晶片內集成了功率放大電路，這在一定程度上提高了驅動電路的抗幹擾能力。
4）EXB8..Series的驅動晶片最大只能驅動1200V/300A的IGBT，並且它本身並不提倡外加功率放大電路，另外，從圖7中可以看出，該類晶片為單電源供電，IGBT的關斷負電壓信號是由晶片內部產生的－5V信號，容易受到外部的幹擾。因此對於300A以上的IGBT或者IGBT並聯時，就需要考慮別的驅動晶片，比如三菱公司的M57962L等。
圖8給出了EXB841驅動IGBT時，過電流情況下的實驗波形。可以看出，正如前面介紹過的，由於EXB8..Series晶片內部具備過流保護功能，當IGBT過流時，採用了軟關斷方式關斷IGBT，所以IGBT中電流是一個較緩的斜坡下降，這樣一來，IGBT關斷時的di/dt明顯減少，這在一定程度上減小了對控制電路的過流保護性能的要求。
2.3M579..Series（MITSUBISHI公司生產）
M579..Series是日本三菱公司為IGBT驅動提供的一種IC系列，表7給出了這種系列的幾種晶片的基本應用特性（其中有＊者為晶片內部含有Booster電路）。
在M579..Series中，以M57962L為例做出一般的解釋。隨著逆變器功率的增大和結構的複雜，驅動信號的抗幹擾能力顯得尤為重要，比較有效的辦法就是提高驅動信號關斷IGBT時的負電壓，M57962L的負電源是外加的（這點和EXB8..Series不同），所以實現起來比較方便。它的功能框圖和圖6所示的EXB8..Series功能框圖極為類似，在此不再贅述。圖9給出了M57962L在驅動大功率IGBT模塊時的典型電路圖。在這種電路中，NPN和PNP構成的電壓提升電路選用快速電晶體（tf≤200ns），並且要有足夠的電流增益以承載需要的電流。
在使用M57962L驅動大功率IGBT模塊時，應注意以下三個方面的問題：
1）驅動晶片的最大輸出電流峰值受柵極電阻Rg的最小值限制，例如，對於M57962L來說，Rg的允許值在5Ω左右，這個值對於大功率的IGBT來說高了一些，且當Rg較高時，會引起IGBT的開關上升時間td（on）、下降時間td（off）以及開關損耗的增大，在較高開關頻率（5kHz以上）應用時，這些附加損耗是不可接受的。
2）即便是這些附加損耗和較慢的開關時間可以被接受，驅動電路的功耗也必須考慮，當開關頻率高到一定程度時（高於14kHz），會引起驅動晶片過熱。
3）驅動電路緩慢的關斷會使大功率IGBT模塊的開關效率降低，這是因為大功率IGBT模塊的柵極寄生電容相對比較大，而驅動電路的輸出阻抗不夠低。還有，驅動電路緩慢的關斷還會使大功率IGBT模塊需要較大的吸收電容。
以上這三種限制可能會產生嚴重的後果，但通過附加的Booster電路都可以加以克服，如圖9所示。
從圖10（a）可以看出，在IGBT過流信號輸出以後，門極電壓會以一個緩慢的斜率下降。圖10（b）及圖10（c）給出了IGBT短路時的軟關斷過程（集電極－發射極之間的電壓uCE和集電極電流iC的軟關斷波形）。
3結語
隨著電力電子技術的快速發展，三相逆變器的應用變得非常廣泛。近年來，隨著IGBT製造技術的提高，相繼出現了電壓等級越來越高、額定功率越來越大的單管、兩單元IGBT模塊及六單元IGBT模塊，同時性能價格比的提高使得IGBT在三相逆變器的設計中佔有很大的比重，成為許多設計人員首選的功率器件。隨之而來的是IGBT的驅動晶片也得到了很大的發展，設計人員、生產廠家都給予了高度重視，小型化、多功能集成化成為人們不斷追求的目標。相信隨著製造技術的發展，將會研製出更多更好的IGBT驅動晶片，並得到廣泛的應用。