據財聯社消息，臺積電方面近期表示，將在新的臺灣研發中心運營一條先進生產線，擁有8000名工程師，該設施將專注於研究2納米晶片等產品。
臺積電在先進位程方面的速度一直很快——在「晶片之王」英特爾還戀戰14nm支撐的時候，臺積電此前宣布已經製造出10億顆良率完好的7nm晶片；5nm雖然已經量產，但產能還是很有限，還在持續提升中；另外3nm製程也預計在2021年風險量產，在2022年下半年量產，這次臺積電內部又將2nm晶片提上了日程。有業界聲音估計，臺積電2nm將在2023年至2024年推出。
值得注意的是，如果沒有一步步突破核心技術壁壘，那麼摩爾定律可能無法實現線性提升。比如，在如今廣泛使用的FinEFT技術提出之前，Pianar FET架構下晶片工藝節點製程的極限只有35nm。
Pianar FET架構的下一代是FinFET工藝，全稱是鰭式場效應電晶體（Fin Field-Effect Transistor），就是在原有的電晶體架構基礎上增加了一個柵極，形狀有點像魚鰭，名稱也由此而來。
Pianar FET、FinFET、GAA FET、MBCFET的結構差別 圖片來自網絡
有了這個架構，可以讓尺寸非常小的電晶體緩解漏電現象——在短溝道效應下，晶體機構溝道下方的流通區域經常產生漏電。
從誕生到現在的二十年間，FinEFT技術已經讓晶片工藝節點製程最高突破到3nm。
不過，3nm幾乎已經逼近FinFEt的極限，再往下發展，無論是鰭片距離、短溝道效應還是材料已經到達閾值，如果沒有改變架構，晶片可能連物理結構都構不成。
所以，這次臺積電的2nm製程用上了全環繞柵(gate-all-around，簡稱GAA)技術，作為FinFET技術的演進，這也可以用來繼續抑制短溝道效應的技術。
在GAA工藝上，臺積電並不是走得最快的。
臺積電的FinFEt太過強大，在最新的3nm製程上也將繼續沿用FinFET工藝，不過，三星這邊的3nm則選擇了GAA工藝路線。主流廠商包括三星、臺積電、英特爾和中芯國際等都對GAA技術表示興趣，或者已經開始試產。有了GAA工藝，高端晶片的廝殺也將拉開序幕。