第一第三代半導體是什麼
第一代材料是矽,大家通俗理解的矽谷,就是第一代半導體的產業園。
第二代材料是砷化鎵,為4G時代而生,目前的大部分通信設備的材料
第三代材料是碳化矽和氮化鎵等,未來5G時代的標配。
氮化鎵,氮化鎵可以在1~110GHz 範圍的高頻波段應用, 三大應用領域是LED(照明、顯示)、射頻通訊、高頻功率器件。LED的有效成分即氮化鎵,本身是發藍光,需要配合螢光劑變成白光。LED應用方面,最近火的miniLED就用到了氮化鎵,射頻應用方面主要是基站PA,華為找三安集成代工的就是這個東東,功率器件主要用在低壓上,最容易實現的設備應用之一就是人盡皆知的氮化鎵充電器,小米華為等手機廠,都有。氮化鎵可用微波電路,高速開關電路和紅外線電路。VR\AR的核心是VCSEL,它也用到了氮化鎵,預計2025年氮化鎵的市場規模超過百億美元。
碳化矽,碳化矽有四大大優勢:高壓、高頻、高溫、壽命,主要應用領域在電網、軌道交通、電動汽車及充電樁領域。而在氮化鎵的應用領域,如果搭配碳化矽的襯底,性能會更優異。最近很火的特斯拉model3採用了意法半導體的24個碳化矽MOSFET模塊,對比矽基的IGBT續航可以提升5~10%。2017 年全球碳化矽功率器件市場規模約4 億美元,2023 年將達到 16.44億美元。年複合增長率 26.6%。兩者對比,從兩者各自的特性,碳化矽是襯底材料最優的選擇,以此生長碳化矽的外延片適合高壓功率半導體,生長氮化鎵的外延片適合中低壓功率半導體、LED、射頻。功率半導體是電動車的核心,LED是顯示設備的核心,射頻是5G通訊的核心,這三者的基礎都是碳化矽,
所以我認為碳化矽是半導體材料的王者,而氮化鎵溫文爾雅,在碳化矽的肩膀上極致發揮,應該被譽為半導體材料的王后。
第三代半導體哪些環節最受益?中國計劃將大力支持發展第三代半導體產業寫入「十四五」規劃之中。中國計劃在2021至2025年期間,「舉全國之力」,在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面,大力支持發展第三代半導體產業,目標實現產業獨立自主,「不會受制於人」。另外,消息補充稱,中國將高度優先發展半導體產業,地位如同當年製造原子彈一般。
第三代半導體有一個特點,它不是摩爾定律,是後摩爾定律,它的線寬都不是很小的,設備也不是特別的貴,但是它的材料不容易做,設計上要有優勢更新的技術,才需要更強的產品做技術換代,同時推動市場量產來降低成本。而在3G4G時代,風口未到。這個行業領域,國內產業化正在飛速發展。
可以說在這個材料行業,中國一開始就跑在了前面。這個和華為在5G技術上領先是很類似的。
中國成都的海威華芯(HiWafer)半導體公司,海特高新旗下子公司
廈門的三安集成電路公司(San』an IntegratedCircuit),三安光電子公司
還有一個乾照光電
較為正宗的為國內這3家上市公司。氮化鎵作為新的材料,是5G時代的最大受益者之一。
不止射頻電路LED等等應用,未來5G全行業上下遊都可能採用這個新材料。
未來市場巨大,而且軍工雷達等應用上也是必不可少的部分。未來有軍工氮化鎵應用也要關注。
美國的雷達系統已經全面使用了,我相信軍工改進裝備上也不會落後。
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