華創證券 申港證 發表於 2020-09-04 19:07:14
（綜合自華創證券 申港證券 港股解碼）
國產替代是當下時點的半導體邏輯，正在制定中的「十四五」規劃爆出我國擬全面支持半導體產業，由於傳統半導體製程工藝已近物理極限，「摩爾定律」演進開始放緩，第三代半導體是「超越摩爾定律」的重要發展內容。
第三代半導體市場前景
根據Omdia的《2020年SiC和GaN功率半導體報告》，到2020年底，全球SiC 和GaN功率半導體的銷售收入預計將從2018年的5.71億美元增至8.54億美元。未來十年的年均兩位數增長率，到2029年將超過50億美元。
第三代半導體寫入十四五的背景分析
隨著中美關係的惡化，中國企業從海外採購零部件和晶片製造技術正面臨越來越多的困難。
而且隨著物聯網、大數據和人工智慧驅動的新計算時代的發展，對半導體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。以碳化矽為代表的第三代半導體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料、器件、模塊和應用等環節的產業鏈，全球新一輪的產業升級已經開始。
據中國海關數據統計顯示，2015年以來我國集成電路進口數量和進口額呈逐年上升趨勢。2019年我國晶片的進口額為3050億美元，較2018年進口額少了72億美元，同比下降2.3%;2019年累計出口晶片金額為1016.5億美元，同比增長20.1%;貿易逆差達到2033.60億美元。
中國2020年晶片進口預計將連續第三年保持在3000億美元以上。而根據國務院發布的相關數據顯示，中國晶片自給率2019年僅為30%左右。
8月4日，國務院公開發布《新時期促進集成電路產業和軟體產業高質量發展的若干政策》強調，集成電路產業和軟體產業是信息產業的核心，是引領新一輪科技革命和產業變革的關鍵力量，其中重點強調，中國晶片自給率要在2025年達到70%。所以中國半導體產業發展是非常有必要的，中國的崛起也必將大力發展半導體產業，以保證中國的電子信息產業的穩定發展。
我國最新計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的「十四五」規劃，計劃在2021-2025年期間，舉全國之力，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面對「第三代半導體」提供廣泛支持，加強該行業的研究、教育和融資，以期實現產業獨立自主，不再受制於人。其中還提到，要大力支持發展第三代半導體產業，相對於傳統的矽材料，第三代半導體以氮化鎵、碳化矽、硒化鋅等寬帶半導體原料為主，更適合製造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件 。
什麼是第三代半導體
第一代材料是矽（Si），大家通俗理解的矽谷，就是第一代半導體的產業園。
第二代材料是砷化鎵（GaAs），為4G時代而生，目前的大部分通信設備的材料。
第三代材料主要以碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶的半導體材料，是未來5G時代的標配，是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源網際網路等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件。
延伸閱讀：碳化矽產業鏈龍頭企業盤點
碳化矽半導體產業鏈主要包括高純粉料、單晶襯底、外延片、功率器件、模塊封 裝和終端應用等環節。
國內碳化矽半導體產業鏈代表企業
申港證券表示，碳化矽和氮化鎵是未來功率半導體的核心發展方向，英飛凌等全球功率半導體巨頭以及華潤微、中車時代半導體等國內功率廠商都重點布局在該領域的研究。為了發展功率半導體，華為也開啟了對第三代半導體材料的布局。
華為旗下的哈勃科技投資有限公司在2019年8月份投資了山東天嶽先進材料科技有限公司，持股10%，而山東天嶽是我國第三代半導體材料碳化矽龍頭企業。
襯底企業
天科合達
北京天科合達半導體股份有限公司於2006年9月由新疆天富集團、中國科學院物理研究所共同設立，是一家專業從事第三代半導體碳化矽（SiC）晶片研發、生產和銷售的高新技術企業。公司為全球SiC晶片的主要生產商之一。
總部公司設在北京市大興區生物醫藥基地，擁有一個研發中心和一個集晶體生長-晶體加工-晶片加工-清洗檢測的全套碳化矽晶片生產基地；全資子公司—新疆天科合達藍光半導體有限公司位於新疆石河子市，主要進行碳化矽晶體生長。
山東天嶽
山東天嶽公司成立於2010年11月，是以碳化矽半導體襯底材料為主的高新技術企業。公司投資建成了第三代半導體材料產業化基地，具備研發、生產國際先進水平的半導體襯底材料的軟硬體條件，是我國第三代半導體襯底材料行業的先進企業。
河北同光晶體
河北同光晶體有限公司成立於2012年，位於保定市高新技術開發區，主要從事第三代半導體材料碳化矽襯底的研發和生產。公司主要產品包括4英寸和6英寸導電型、半絕緣碳化矽襯底，其中4英寸襯底已達到世界先進水平。目前，公司已建成完整的碳化矽襯底生產線，是國內著名的碳化矽襯底生產企業。
中科集團2所
中科集團二所成立於1962年，是專業從事電子先進位造技術研究和電子專用設備研發製造的國家級研究所。目前，二所已形成以液晶顯示器件生產設備、半導體及集成電路製造設備、特種工藝設備為主的電子專用設備和以太陽能多晶矽片、三代半導體SiC單晶拋光片為主的半導體材料兩大業務方向，能夠為用戶提供工藝和設備的系統集成服務。
外延片企業
東莞天域半導體
天域成立於2009年，是中國第一家從事碳化矽 （SiC） 外延晶片市場營銷、研發和製造的私營企業。2010年，天域與中國科學院半導體研究所合作，共同創建了碳化矽研究所。
廈門瀚天天成
瀚天天成電子科技（廈門）有限公司成立於2011年3月，是一家集研發、生產、銷售碳化矽外延晶片的中美合資高新技術企業，已形成3英寸、4英寸以及6英寸的完整碳化矽半導體外延晶片生產線，並滿足600V、1200V、1700V器件製作的需求。
器件/模組企業
泰科天潤
泰科天潤是中國第三代半導體碳化矽功率器件產業化倡導者，並擁有目前國內唯一碳化矽器件生產線。作為國內唯一一家碳化矽研發生產和平臺服務型公司，泰科天潤核心產品以碳化矽肖特基二極體為代表，其中600V/5A～50A，1200V/5A～50A和1700V/10A等系列的碳化矽肖特基二極體產品已經投入批量生產。
嘉興斯達
嘉興斯達半導體股份有限公司成立於2005年4月，是一家專業從事功率半導體晶片和模塊尤其是IGBT晶片和模塊研發、生產和銷售服務的國家級高新技術企業。總部位於浙江嘉興，在上海和歐洲均設有子公司，並在國內和歐洲設有研發中心，是目前國內IGBT領域的領軍企業。公司主要產品為功率半導體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。
中車時代電氣
株洲中車時代電氣股份有限公司是中國中車旗下股份制企業，其前身及母公司——中車株洲電力機車研究所有限公司創立於1959年。
2017年12月，中車時代電氣總投資3.5億元人民幣的6英寸碳化矽產業基地技術調試成功，2018年1月首批晶片試製成功。這是國內首條6英寸碳化矽生產線，獲得了國家「02專項 」、國家發改委新材料專項等國家重點項目支持，是中車時代電氣的重點投資項目之一，實現碳化矽二極體和MOSFET晶片工藝流程整合，成功試製1200V碳化矽肖特基二極體功率晶片。
揚傑科技
揚州揚傑電子科技股份有限公司成立於2006年8月2日。2014年1月，公司在深交所創業板掛牌上市。公司集研發、生產、銷售於一體，專業致力於功率半導體晶片及器件製造、集成電路封裝測試等領域的產業發展。
公司主營產品為各類電力電子器件晶片、功率二極體、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN產品、SGT MOS及碳化矽SBD、碳化矽JBS等，產品廣泛應用於消費類電子、安防、工控、汽車電子、新能源等諸多領域。
參考資料：
半導體圈子。國內第三代半導體（氮化鎵 碳化矽）廠商盤點
全球半導體觀察。國內碳化矽產業鏈企業大盤點
劉興昉、陳宇。碳化矽半導體技術及產業發展現狀
各公司官網
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